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document_id제목분류문맥청구항 속성연도IPC
1019950700769 매트릭스화된 오디오 신호의 적응 리매트릭싱 전기(H섹션) [청구항 1] 잡음레벨이 신호 진폭레벨에 따라 가변하는 시스템에서의 코딩, 전송 또는, 저장 및 검색을 위하여 4 2 오디오 신호 매트릭스의 오디오 출력 신호들을 적응 리매트릭싱하... 등록공보 H04S 3/02
1019960021287 불휘발성반도체기억장치 전기(H섹션) [청구항 2] 제1항에 있어서,데이타 기록시에, 상기 소스영역(2)을 개방상태로 하는 개방수단과, 데이타 기록시에, 상기 n형 영역(1)을 접지상태로 하는 접지수단더 구비하는불휘발... 등록공보 1996 H01L 27/115
1019970700269 소형 선형운동 액튜에이터 전기(H섹션) [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 50å내지인것을특징으로 하는선형 액튜에이터. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 상기 제 1 웨이퍼 표면에 부착된박막구... 공개공보 1995 H01L 41/08
1019980050239 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 전기(H섹션) [청구항 1] 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 절연막 상기 제1 절연막에 형성된 상기 기판을 노출시키는 콘택홀 상기 콘택홀에 채워진 도전성 플러그 상기 도전성 플러그 사이의 상... 공개공보 1998 H01L 27/10
1020000001338 스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자 및 그 제조 방법 전기(H섹션) [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 다층의 금속층들은 상기 제1 및 제2 연결 라인을 구성하는 제1 금속층, 상기 워드 라인을 구성하는 제2 금속층 및 상기 비트 라인과 제1 및 ... 공개공보 H01L 27/11
1020030033242 스크롤링 유닛 및 이를 채용한 프로젝션 시스템 전기(H섹션) [청구항 1] 입사광을 스크롤시키기 위한 스크롤링 유닛으로서, 상기 입사광을 다수개의 빔으로 나누는 적어도 하나의 렌즈셀이 기둥형의 외주면에 나선형으로 배열되고, 상기 스크롤링 유... 등록공보 2003 H04N 5/74
1020030089564 하이브리드 스위치 셀 및 이를 이용한 메모리 장치 전기(H섹션) [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 하이브리드 스위치는 상기 불휘발성 강유전체 캐패시터의 상기 일단자와 상기 비트라인 사이에 병렬 연결된 pn 다이오드 스위치와 pnpn다이오드 ... 공개공보 2003 H01L 27/115
1020040013313 비터비 복호기의 상태 메트릭 메모리의 주소 할당 방법 및이를 이용하는 비터비 디코더 전기(H섹션) [청구항 16] 제15항에 있어서,상기acs부는 병렬로 배치된 복수개의 acs연산유닛들가지는것을특징으로 하는비터비 복호기. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기acs 연산 유닛들... 공개공보 2004 H03M 13/41
1020040023728 어드레스 전극간 캐패시턴스를 낮춘 플라즈마 디스플레이패널 전기(H섹션) [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 오목부는 상기 방전 셀의 중앙부위치하는플라즈마 디스플레이 패널. [청구항 3] 제1항에 있어서,드레스 전압이 인가되는 제2 전극에 대향하는 확장... 공개공보 2004 H01J 17/49
1020040086779 유기박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치 및그의 제조방법 전기(H섹션) [청구항 1] 캐패시터영역과 트랜지스터영역을 구비한 기판과 상기 기판중 트랜지스터영역에 형성되고, 게이트전극, 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터와 상기 기... 등록공보 2004 H05B 33/00
1020057018901 안테나 전기적 길이 적용 조정용 시스템 및 그 방법 전기(H섹션) [청구항 2] 제 1항에 있어서,송신 라인 신호들을 감지함이 송신 라인 신호 파워 레벨들을 감지함을포함함을특징으로 하는안테나 전기적 길이 적용 조정용 방법 [청구항 3] 제 1항에... 공개공보 2004 H01Q 9/14
1020060109128 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 전기(H섹션) [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전하저장절연막은 터널절연막, 전하저장막 및 블로킹절연막포함하는비휘발성 메모리 장치 [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 전하저장막은 실리콘 질화막... 공개공보 2006 H01L 27/115
1020070045945 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및그의 제조방법 전기(H섹션) [청구항 1] 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서, 나노 임프린트막의 입도(grain size)가 50... 공개공보 2007 H01L 21/027
1020090116943 어레이 기판 및 이의 제조방법 전기(H섹션) [청구항 10] 화소영역과 스위칭 영역이 정의된 기판 상의 상기 스위칭 영역에 불순물 폴리실리콘으로서 아일랜드 형태로 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극 상부에 상기 게이트 전... 공개공보 2009 H01L 29/786
1020140030761 전자장치 및 그 제조방법 전기(H섹션) [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1필라전극과 상기 가변저항층 사이 또는 상기 제2필라전극과 상기 가변저항층 사이에 삽입된 선택소자층더 포함하는전자장치. [청구항 3] 제1항에... 공개공보 2014 H01L 27/115
1020157008616 스케일러블 비디오 코딩을 위한 가중된 예측 모드 전기(H섹션) [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 프로세서는 또한, 정규화 팩터 (normalization factor) 를 사용하도록 구성되고,상기 정규화 팩터는 상기 가중된 인터-레이어 ... 공개공보 2013 H04N 19/30
1019960701584 코드분할다중접속시스템어플리케이션용다중속도직렬비터비디코더 전기(H섹션) [청구항 15] 제 1 복수의 소정의 원시 비트 데이터 속도{r i }중 하나로 제공된 원시 비트 데이터가 코드 심볼 데이터를 제공하기 위해 인코딩되고, 상기 코드 심볼 데이터는 ... 등록공보 1994 H04L 25/02
1019980706547 전기화학 전지의 제조방법 및 제조장치 전기(H섹션) [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 애노드 집전체는 그 양면에 애노드 필름을 가지고 있고 캐소드 집전체는 그 양면에캐소드필름있는것을특징으로 하는전기화학 전지. [청구항 14] ... 공개공보 1997 H01M 10/04
1019910018657 반도체장치 전기(H섹션) [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제2막의 상기 상부면은 상기 필드 산화막의 하부면과 상부면 아래배치된반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제3막은 cvd에 의해 형... 공개공보 1991 H01L 21/76
1020137002674 다중-전압 레벨, 다중-동적 회로 구조를 구현하기 위한 장치 및 방법 전기(H섹션) [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 키퍼 회로는, 상기 제 1 동적 노드의 디스차지 동안 인에이블되지 않는,장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 키퍼 회... 공개공보 2011 H03K 19/0185
1–20번째 행
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