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문장별 주어·목적어·관계 목록 (server1). "가공데이터"를 누르면 해당 문서의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623010183 | 쉬프트 레지스터 | 특허청 | 전기전자 | 그리고, 상기 쉬프트 레지스터는 한 방향 또는 양 방향으로 스캔 펄스 또는 샘플링 신호를 출력할 수 있다. | 쉬프트 레지스터 | 스캔 펄스 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010183 | 쉬프트 레지스터 | 특허청 | 전기전자 | 그리고, 상기 쉬프트 레지스터는 한 방향 또는 양 방향으로 스캔 펄스 또는 샘플링 신호를 출력할 수 있다. | 쉬프트 레지스터 | 샘플링 신호 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010183 | 쉬프트 레지스터 | 특허청 | 전기전자 | 이에 따라, 출력부는 제 14 트랜지스터를 통해 클럭신호 입력라인에 공급되는 로우상태의 클럭신호를 출력한다. | 클럭신호 | 출력부 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 다결정 실리콘은 비정질 실리콘에 비해 이동도가 높고 양호한 광 안정성을 가진다. | 다결정 실리콘 | 이동도 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 다결정 실리콘은 비정질 실리콘에 비해 이동도가 높고 양호한 광 안정성을 가진다. | 다결정 실리콘 | 광 안정성 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | poly-Si TFT는 예를 들어 디스플레이의 스위칭 소자로 이용된다. | poly-Si TFT | 스위칭 소자 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | TFT와 같은 능동소자를 이용하는 디스플레이 소자에는 TFT-LCD, TFT-OLED 등이 있다. | 디스플레이 소자 | TFT-LCD | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | TFT와 같은 능동소자를 이용하는 디스플레이 소자에는 TFT-LCD, TFT-OLED 등이 있다. | 디스플레이 소자 | TFT-OLED | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | TFT의 중요한 특성 중의 하나는 Si 활성층의 이동도이다. | TFT | Si 활성층 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | p-Si TFT의 단점 중의 하나가 오프 커런트 시 높은 누설전류이다. | p-Si TFT | 오프 커런트 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | p-Si TFT의 단점 중의 하나가 오프 커런트 시 높은 누설전류이다. | 누설전류 | 오프 커런트 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | p-Si TFT에서, 전류의 누설이 드레인의 공핍 영역에서 결정경계트랩에 의해 발생하는 것을 알려져 있다. | 누설 | 결정경계트랩 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 오프셋 영역은 LDD로서 채널과 게이트/드레인의 사이에 각각 위치한다. | 오프셋 영역 | 채널 | isPlaceOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 오프셋 영역은 LDD로서 채널과 게이트/드레인의 사이에 각각 위치한다. | 오프셋 영역 | 게이트 | isPlaceOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 오프셋 영역은 LDD로서 채널과 게이트/드레인의 사이에 각각 위치한다. | 오프셋 영역 | 드레인 | isPlaceOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 이러한 LDD는 드레인의 전계를 약화시켜 게이트 전압과 드레인 전압에 의한 전계방출을 감소시킨다. | 전계방출 | 게이트 전압 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 이러한 LDD는 드레인의 전계를 약화시켜 게이트 전압과 드레인 전압에 의한 전계방출을 감소시킨다. | LDD | 드레인 전압 | isMemberOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 예를 들어 큰 게이트는 누설전류를 감소시킬 수 있으나 제한된 면적의 픽셀 내에서 발광영역의 크기가 감소가 불가피하며 따라서 발광 효율이 감소하게 된다. | 큰 게이트 | 누설전류 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 예를 들어 큰 게이트는 누설전류를 감소시킬 수 있으나 제한된 면적의 픽셀 내에서 발광영역의 크기가 감소가 불가피하며 따라서 발광 효율이 감소하게 된다. | 큰 게이트 | 발광 효율 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010185 | 다결정 실리콘 ＴＦＴ 및 이를 적용한 유기발광디스플레이 | 특허청 | 의약학 | 한편 듀얼 게이트 TFT는 제조공정이 복잡하여 제조 비용이 높다. | 듀얼 게이트 TFT | 제조 비용 | hasAttribute | 가공데이터 |