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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | PRAM에 사용되는 저항체는 캘코게나이드 저항체인데, 이는 형성 온도를 조절하여 결정질 또는 비정질 상태가 된다. | 캘코게나이드 저항체 | PRAM | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | PRAM에 사용되는 저항체는 캘코게나이드 저항체인데, 이는 형성 온도를 조절하여 결정질 또는 비정질 상태가 된다. | 캘코게나이드 저항체 | 결정질 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | PRAM에 사용되는 저항체는 캘코게나이드 저항체인데, 이는 형성 온도를 조절하여 결정질 또는 비정질 상태가 된다. | 캘코게나이드 저항체 | 비정질 상태 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 산화층(14)은 메모리 노드로 작용하는 것으로 통상 저항 변환 특성을 지닌 전이 금속 산화물로 형성된다. | 산화층 | 메모리 노드 | isMemberOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 산화층(14)은 메모리 노드로 작용하는 것으로 통상 저항 변환 특성을 지닌 전이 금속 산화물로 형성된다. | 전이 금속 산화물 | 저항 변환 특성 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 산화층(14)은 메모리 노드로 작용하는 것으로 통상 저항 변환 특성을 지닌 전이 금속 산화물로 형성된다. | 산화층 | 전이 금속 산화물 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 구체적인 물질을 예로 들면, 산화층(14)은 ZnO, TiO2, Nb2O5, ZrO2 또는 NiO 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. | ZnO | 산화층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 구체적인 물질을 예로 들면, 산화층(14)은 ZnO, TiO2, Nb2O5, ZrO2 또는 NiO 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. | TiO2 | 산화층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 구체적인 물질을 예로 들면, 산화층(14)은 ZnO, TiO2, Nb2O5, ZrO2 또는 NiO 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. | Nb2O5 | 산화층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 구체적인 물질을 예로 들면, 산화층(14)은 ZnO, TiO2, Nb2O5, ZrO2 또는 NiO 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. | ZrO2 | 산화층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 구체적인 물질을 예로 들면, 산화층(14)은 ZnO, TiO2, Nb2O5, ZrO2 또는 NiO 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. | NiO | 산화층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | RRAM(resistance random access memory)은 주로 전이 금속 산화물의 전압에 따른 저항 값이 달라지는 특성(저항 변환 특성)을 이용한 것으로, 도 1a는 일반적인 구조의 저항 변환 물질을 이용한 RRAM 소자의 구조를 나타낸 것이다. | RRAM | 전이 금속 산화물 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 따라서, 통상 메모리 소자는 트랜지스터 구조체 또는 다이오드 구조체와 연결된 구조를 지니고 있다. | 메모리 소자 | 트랜지스터 구조체 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 따라서, 통상 메모리 소자는 트랜지스터 구조체 또는 다이오드 구조체와 연결된 구조를 지니고 있다. | 다이오드 구조체 | 메모리 소자 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 매우 간단한 메모리 어레이 구조인 크로스 포인트형 구조에서는 다이오드 구조체가 주로 채택된다. | 크로스 포인트형 구조 | 메모리 어레이 구조 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 매우 간단한 메모리 어레이 구조인 크로스 포인트형 구조에서는 다이오드 구조체가 주로 채택된다. | 다이오드 구조체 | 크로스 포인트형 구조 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 통상적으로 많이 사용되는 다이오드는 실리콘 다이오드 및 산화물 다이오드가 있다. | 실리콘 다이오드 | 다이오드 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 통상적으로 많이 사용되는 다이오드는 실리콘 다이오드 및 산화물 다이오드가 있다. | 산화물 다이오드 | 다이오드 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 도 1b를 참조하면, 실리콘 다이오드는 비교적 높은 전류 밀도( ~ 107/cm2)를 지니고 있으며, 산화물 다이오드는 상대적으로 낮은 전류 밀도( ~ 103/cm2)를 지니고 있음을 알 수 있다. | 실리콘 다이오드 | 높은 전류 밀도 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014714 | 비휘발성 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 어레이 | 특허청 | 의약학 | 도 1b를 참조하면, 실리콘 다이오드는 비교적 높은 전류 밀도( ~ 107/cm2)를 지니고 있으며, 산화물 다이오드는 상대적으로 낮은 전류 밀도( ~ 103/cm2)를 지니고 있음을 알 수 있다. | 산화물 다이오드 | 낮은 전류 밀도 | hasAttribute | 가공데이터 |