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문장별 주어·목적어·관계 목록 (server1). "가공데이터"를 누르면 해당 문서의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 이러한 박막 트랜지스터의 반도체층은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성할 수 있었다. | 다결정 실리콘 | 반도체층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 또한, 박막 트랜지스터와 구동 회로를 동일 기판 상에 형성할 수 있으며, 박막 트랜지스터와 구동 회로를 연결하는 과정이 불필요하므로 공정이 간단해지는 장점이 있어, 다결정 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터의 필요성이 증대되고 있었다. | 다결정 실리콘 | 박막 트랜지스터 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 비정질 실리콘을 이용하여 다결정 실리콘을 형성하는 방법으로는 고상 결정화(Solid Phase Crystallization; SPC) 방법, 금속유도 결정화(Metal Induced Crystallization; MIC) 방법, 그리고 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing; ELA) 방법, 순차 측면 고상법(sequential lateral solidification; SLS) 등이 있었다. | 고상 결정화 | 다결정 실리콘 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 비정질 실리콘을 이용하여 다결정 실리콘을 형성하는 방법으로는 고상 결정화(Solid Phase Crystallization; SPC) 방법, 금속유도 결정화(Metal Induced Crystallization; MIC) 방법, 그리고 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing; ELA) 방법, 순차 측면 고상법(sequential lateral solidification; SLS) 등이 있었다. | 금속유도 결정화 | 다결정 실리콘 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 비정질 실리콘을 이용하여 다결정 실리콘을 형성하는 방법으로는 고상 결정화(Solid Phase Crystallization; SPC) 방법, 금속유도 결정화(Metal Induced Crystallization; MIC) 방법, 그리고 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing; ELA) 방법, 순차 측면 고상법(sequential lateral solidification; SLS) 등이 있었다. | 엑시머 레이저 어닐링 | 다결정 실리콘 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 비정질 실리콘을 이용하여 다결정 실리콘을 형성하는 방법으로는 고상 결정화(Solid Phase Crystallization; SPC) 방법, 금속유도 결정화(Metal Induced Crystallization; MIC) 방법, 그리고 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing; ELA) 방법, 순차 측면 고상법(sequential lateral solidification; SLS) 등이 있었다. | 순차 측면 고상법 | 다결정 실리콘 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 그 중, 엑시머 레이저 어닐링 방법은 가장 널리 사용되는 결정화 방법으로, 약 308nm의 파장을 갖는 엑시머 레이저(XeCl 등)를 조사함으로써 비정질 실리콘층을 결정화시키는 방법이었다. | 엑시머 레이저 어닐링 | 비정질 실리콘 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014929 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 엑시머 레이저 어닐링 방법은 비교적 유리 기판에 미치는 열적 영향이 적고, 우수한 특성을 갖는 다결정 실리콘층을 만들 수 있기 때문에 널리 이용되고 있었다. | 엑시머 레이저 어닐링 방법 | 유리 기판 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 발명의 분야 본 발명은 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법에 관한 것이다. | 적층콘덴서 | 등가직렬저항 | isMemberOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 관련 배경 기술 이러한 종류의 적층 콘덴서로서, 복수의 유전체층과 복수의 내부전극이 교대로 적층된 적층체와, 상기 적층체에 형성된 복수의 단자전극을 구비한 것이 알려져 있다. | 유전체층 | 적층 콘덴서 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 관련 배경 기술 이러한 종류의 적층 콘덴서로서, 복수의 유전체층과 복수의 내부전극이 교대로 적층된 적층체와, 상기 적층체에 형성된 복수의 단자전극을 구비한 것이 알려져 있다. | 적층체 | 적층 콘덴서 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 관련 배경 기술 이러한 종류의 적층 콘덴서로서, 복수의 유전체층과 복수의 내부전극이 교대로 적층된 적층체와, 상기 적층체에 형성된 복수의 단자전극을 구비한 것이 알려져 있다. | 단자전극 | 적층 콘덴서 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 디지털 전자기기에 탑재되어 있는 중앙처리장치(CPU)에 공급용의 전원에 있어서는 저전압화가 진행되는 한편으로 부하전류는 증대하고 있다. | 중앙처리장치 | 디지털 전자기기 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 따라서, 부하전류의 급격한 변화에 대하여 전원전압의 변동을 허용치 내로 억제하는 것이 대단히 곤란하게 되었기 때문에, 디커플링 콘덴서라고 불리는 적층 콘덴서가 전원에 접속되게 되었다. | 전원전압 | 부하전류 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 따라서, 부하전류의 급격한 변화에 대하여 전원전압의 변동을 허용치 내로 억제하는 것이 대단히 곤란하게 되었기 때문에, 디커플링 콘덴서라고 불리는 적층 콘덴서가 전원에 접속되게 되었다. | 적층 콘덴서 | 부하전류 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 그리고, 부하전류의 과도적인 변동시에 이 적층 콘덴서로부터 CPU에 전류를 공급하고, 전원전압의 변동을 억제하도록 하고 있다. | 적층 콘덴서 | CPU | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 그리고, 부하전류의 과도적인 변동시에 이 적층 콘덴서로부터 CPU에 전류를 공급하고, 전원전압의 변동을 억제하도록 하고 있다. | 적층 콘덴서 | 부하전류 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 최근 CPU의 동작주파수의 다른 고주파수화에 동반하여, 부하전류는 고속이며 보다 큰 것으로 되어 있고, 디커플링 콘덴서에 사용되는 적층 콘덴서에는, 대용량화와 함께 등가직렬 저항(ESR)을 크게 하고자 하는 요구가 있다. | 적층 콘덴서 | 디커플링 콘덴서 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 그래서, 단자도체를 내부저항층을 포함하는 다층구조로 함으로써 등가직렬저항을 크게 하는 적층콘덴서가 검토되고 있다. | 등가직렬저항 | 적층콘덴서 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623014931 | 적층콘덴서, 및 적층콘덴서의 등가직렬저항 조정방법 | 특허청 | 전기전자 | 최근 CPU의 동작주파수의 다른 고주파수화에 동반하여, 부하전류는 고속이며 보다 큰 것으로 되어 있고, 디커플링 콘덴서에 사용되는 적층 콘덴서에는, 대용량화와 함께 등가직렬 저항(ESR)을 크게 하고자 하는 요구가 있다. | 등가직렬 저항 | 디커플링 콘덴서 | isMemberOf | 가공데이터 |