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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 일반적으로 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절하여 화상을 표시한다. | 액정표시장치 | 전계 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 이를 위하여, 액정표시장치는 액정화소들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과, 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비하게 된다. | 액정패널 | 액정표시장치 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 상기 액정패널에는 액정화소들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소 전극들과 공통 전극이 구비된다. | 화소 전극 | 액정패널 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 하부기판 상에 액정화소별로 형성되는 반면 공통 전극은 상부기판의 전면에 형성된다. | 화소 전극 | 하부기판 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 TFT를 통해 공급되는 데이터신호에 따라 공통 전극과 함께 액정화소를 구동하게 된다. | 화소 전극 | TFT | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 상기 반도체층은 액티브층과 오믹콘택층이 차례대로 적층되어 형성된다. | 액티브층 | 반도체층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 또한, TFT는 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극의 절연을 위한 게이트 절연층을 더 구비한다. | 게이트 절연층 | TFT | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 데이터 라인과 게이트 라인에 의해 분할된 셀 영역에 위치하며 광 투과율이 높은 투명 전도성 물질인 ITO로 이루어진다. | 화소 전극 | 셀 영역 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 기판전면에 형성되는 보호층상에 형성되며, 상기 보호층을 관통하는 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 접속된다. | 화소 전극 | 보호층상 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 일반적으로 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절하여 화상을 표시한다. | 액정표시장치 | 광 투과율 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 일반적으로 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절하여 화상을 표시한다. | 액정표시장치 | 화상 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 이를 위하여, 액정표시장치는 액정화소들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과, 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비하게 된다. | 구동회로 | 액정표시장치 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 이를 위하여, 액정표시장치는 액정화소들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과, 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비하게 된다. | 구동회로 | 액정패널 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 상기 액정패널에는 액정화소들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소 전극들과 공통 전극이 구비된다. | 공통 전극 | 액정패널 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 TFT를 통해 공급되는 데이터신호에 따라 공통 전극과 함께 액정화소를 구동하게 된다. | 화소 전극 | 데이터신호 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 TFT를 통해 공급되는 데이터신호에 따라 공통 전극과 함께 액정화소를 구동하게 된다. | 공통 전극 | 액정화소 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 상기 반도체층은 액티브층과 오믹콘택층이 차례대로 적층되어 형성된다. | 오믹콘택층 | 반도체층 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 또한, TFT는 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극의 절연을 위한 게이트 절연층을 더 구비한다. | TFT | 게이트 전극 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 또한, TFT는 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극의 절연을 위한 게이트 절연층을 더 구비한다. | TFT | 드레인 전극 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517010107 | 액정패널 및 그 제조 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 데이터 라인과 게이트 라인에 의해 분할된 셀 영역에 위치하며 광 투과율이 높은 투명 전도성 물질인 ITO로 이루어진다. | 화소 전극 | ITO | isUsedFor | 가공데이터 |