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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 화소 전극은 행렬의 형태로 배열되어 있고 박막 트랜지스터 등 스위칭 소자에 연결되어 한 행씩 차례로 데이터 전압을 인가 받는다. | 화소 전극 | 데이터 전압 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 이러한 액정 표시 장치에서는 두 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고, 이 전계의 세기를 조절하여 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 얻는다. | 전계 | 액정 표시 장치 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 이러한 액정 표시 장치에서는 두 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고, 이 전계의 세기를 조절하여 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 얻는다. | 빛의 투과율 | 액정 표시 장치 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 터치 스크린 패널은 화면 위에 손가락 또는 터치 펜 등을 접촉해 문자나 그림을 쓰고 그리거나, 아이콘을 실행시켜 컴퓨터 등의 기계에 원하는 명령을 수행시키는 장치를 말한다. | 화면 | 터치 스크린 패널 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 터치 스크린 패널은 화면 위에 손가락 또는 터치 펜 등을 접촉해 문자나 그림을 쓰고 그리거나, 아이콘을 실행시켜 컴퓨터 등의 기계에 원하는 명령을 수행시키는 장치를 말한다. | 터치 펜 | 터치 스크린 패널 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 터치 스크린 패널이 부착된 액정 표시 장치는 사용자의 손가락 또는 터치 펜 등이 화면에 접촉하였는지 여부 및 접촉 위치 정보를 알아낼 수 있다. | 터치 스크린 패널 | 화면에 접촉 | isMemberOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 터치 스크린 패널이 부착된 액정 표시 장치는 사용자의 손가락 또는 터치 펜 등이 화면에 접촉하였는지 여부 및 접촉 위치 정보를 알아낼 수 있다. | 접촉 위치 정보 | 터치 스크린 패널 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 감지 소자는 사용자의 손가락 등이 화면에 가한 빛 또는 압력의 변화를 감지함으로써 액정 표시 장치가 사용자의 손가락 등이 화면에 접촉하였는지 여부 및 접촉 위치 정보를 알아낼 수 있게 한다. | 감지 소자 | 압력의 변화 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010120 | 표시 장치 및 그 검사 방법 | 특허청 | 전기전자 | 감지 소자는 사용자의 손가락 등이 화면에 가한 빛 또는 압력의 변화를 감지함으로써 액정 표시 장치가 사용자의 손가락 등이 화면에 접촉하였는지 여부 및 접촉 위치 정보를 알아낼 수 있게 한다. | 감지 소자 | 빛 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것으로, 특히 CMOS 이미지 센서의 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극 형성방법에 관한 것이다. | 반도체 소자 | 게이트 전극 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이미지 센서는 광학 영상을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자이며, 이미지 센서는 크게 전하결합소자와 CMOS 이미지 센서로 이루어진다. | 전기신호 | 이미지 센서 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이미지 센서는 광학 영상을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자이며, 이미지 센서는 크게 전하결합소자와 CMOS 이미지 센서로 이루어진다. | 이미지 센서 | 반도체 소자 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이미지 센서는 광학 영상을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자이며, 이미지 센서는 크게 전하결합소자와 CMOS 이미지 센서로 이루어진다. | 이미지 센서 | 전하결합소자 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이미지 센서는 광학 영상을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자이며, 이미지 센서는 크게 전하결합소자와 CMOS 이미지 센서로 이루어진다. | 이미지 센서 | CMOS 이미지 센서 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판 상에 게이트 산화막을 형성한 후, 게이트 산화막 상에 폴리 실리콘막을 증착한다. | 게이트 산화막 | 폴리 실리콘막 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 그런 다음, 폴리 실리콘막 상에 산화막 계열의 물질로 이루어진 하드 마스크를 증착한다. | 폴리 실리콘막 | 산화막 계열 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이로써, 기판 상에는 게이트 산화막, 폴리 실리콘막, 하드 마스크 및 SiON막이 적층된 구조의 게이트 구조물이 형성된다. | 게이트 산화막 | 게이트 구조물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이로써, 기판 상에는 게이트 산화막, 폴리 실리콘막, 하드 마스크 및 SiON막이 적층된 구조의 게이트 구조물이 형성된다. | 폴리 실리콘막 | 게이트 구조물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 이로써, 기판 상에는 게이트 산화막, 폴리 실리콘막, 하드 마스크 및 SiON막이 적층된 구조의 게이트 구조물이 형성된다. | SiON막 | 게이트 구조물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623010121 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | 특허청 | 의약학 | 예컨대, LP-TEOS로 이루어진 하드 마스크를 증착한다. | LP-TEOS | 하드 마스크 | isPartOf | 가공데이터 |