원천데이터
한국어 지식관계 원천데이터
문장별 주어·목적어·관계 목록 (server1). "가공데이터"를 누르면 해당 문서의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 또한 폴리머 자체가 골촉진성 또는 골허용성 성질을 가지며 복합물의 골결합 및 개조에 기여하는, 골/폴리머 복합물의 제조를 위한 흡수가능성 폴리머를 개발할 필요가 존재한다. | 폴리머 | 골허용성 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 유생분자는 레시틴일 수 있다. | 유생분자 | 레시틴 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 보강재는 골 또는 골 치환물를 포함하는 반면, 폴리우레탄 매트릭스는 생분해성 폴리머를 형성하기 위하여 폴리이소시아네이트와 선택적으로 수산화된 유생분자와의 반응에 의하여 형성된다. | 골 치환물 | 보강재 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 폴리이소시아네이트는 디이소시아네이트일 수도 있다. | 폴리이소시아네이트 | 디이소시아네이트 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 폴리우레탄은 가교-결합될 수도 있다. | 폴리우레탄 | 가교-결합 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 복합물은 폴리카프로락톤, 또는 유생분자, 생활성제, 또는 소형 분자를 포함할 수도 있다. | 폴리카프로락톤 | 복합물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 복합물은 폴리카프로락톤, 또는 유생분자, 생활성제, 또는 소형 분자를 포함할 수도 있다. | 유생분자 | 복합물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 복합물은 폴리카프로락톤, 또는 유생분자, 생활성제, 또는 소형 분자를 포함할 수도 있다. | 생활성제 | 복합물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012214 | 골임플란트용 폴리우레탄 | 특허청 | 의약학 | 복합물은 폴리카프로락톤, 또는 유생분자, 생활성제, 또는 소형 분자를 포함할 수도 있다. | 소형 분자 | 복합물 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 시대에 따라 현대의 전자장치는 많은 복잡한 부품들을 포함한다. | 부품 | 전자장치 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 이러한 부품 중 하나로는 수천 또는 수백만 개의 작은 트랜지스터로 이루어진 마이크로전자 칩이 있다. | 트랜지스터 | 칩 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 이러한 부품 중 하나로는 수천 또는 수백만 개의 작은 트랜지스터로 이루어진 마이크로전자 칩이 있다. | 칩 | 부품 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 이들 트랜지스터는 현재 리소그래피로 공지된 프로세스에 의해 반도체 웨이퍼 상에 제조된다. | 트랜지스터 | 웨이퍼 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 반도체 웨이퍼를 형성하기 위해, 실리콘 웨이퍼는 그의 표면상에, 통상적으로 금속의 재료가 변형되어 하나 이상의 층을 제공하는 프로세스를 거쳐야 한다. | 웨이퍼 | 프로세스 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 이러한 프로세스의 2가지 예로는, CVD 및 ALD가 있다. | 프로세스 | CVD | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 이러한 프로세스의 2가지 예로는, CVD 및 ALD가 있다. | 프로세스 | ALD | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | CVD는 재료의 박막이 반도체, 절연체 및 금속을 포함하는 재료들상에 변형되어 증착되거나 층을 이루는 프로세스이다. | CVD | 프로세스 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 증착된 막 또는 막들은 반응기 챔버내의 상승된 온도에서 가스 반응물들 사이의 화학적 반응에 의해 형성된다. | 막 | 반응물 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | 증착된 막 또는 막들은 반응기 챔버내의 상승된 온도에서 가스 반응물들 사이의 화학적 반응에 의해 형성된다. | 막들 | 반응물 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012217 | ＡＬＤ/ＣＶＤ 반응기용의 정화된 히터-서셉터 | 특허청 | 의약학 | ALD는 가열된 반응기 챔버내에서 표면상에 막을 형성하는 또 다른 프로세스이다. | ALD | 프로세스 | isA | 가공데이터 |