원천데이터
한국어 지식관계 원천데이터
문장별 주어·목적어·관계 목록 (server1). "가공데이터"를 누르면 해당 문서의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 특허 | A220623012219 | 비부착식 타이어 모니터링 장치 | 특허청 | 전기전자 | 특정 안테나 구성들은 지향된 감쇄 바디를 통해서 다른 안테나 구성보다 더욱 바람직한 전송율을 제공한다. | 안테나 구성 | 전송율 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012219 | 비부착식 타이어 모니터링 장치 | 특허청 | 전기전자 | 일부 종래 기술의 해법들은 타이어 내의 비부착식 모니터링 장치의 위치를 제어하도록 시도하여, 안테나가 타이어 측벽에 대해서 예측가능한 위치에 있도록 한다. | 타이어 | 비부착식 모니터링 장치 | isPlaceOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012219 | 비부착식 타이어 모니터링 장치 | 특허청 | 전기전자 | 종래 기술은 타이어 측벽에 대해 모니터링 장치의 위치에 관계없이 타이어 측벽을 통해서 신호 전송을 제공할 안테나 구성 및 모니터링 장치를 원한다. | 타이어 측벽 | 신호 전송 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012219 | 비부착식 타이어 모니터링 장치 | 특허청 | 전기전자 | 종래 기술은 타이어 측벽에 대해 모니터링 장치의 위치에 관계없이 타이어 측벽을 통해서 신호 전송을 제공할 안테나 구성 및 모니터링 장치를 원한다. | 신호 | 안테나 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 자성체는 2개의 주요 클라스로 나누어지는데, 하나는 영구자성체 및 임시 자성체이다. | 영구자성체 | 자성체 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 이 영구자석은 큰 히스테리시스 루프를 갖는 경향이 있는데, 이것은 자성체의 자기 유도를 생성하는 외부 자기장과 함께 자성체의 자기 유도의 변화를 도시하는 폐루프이고, 이때 이러한 자기장은 완전한 사이클을 통해 변화된다. | 루프 | 영구자석 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 이 영구자석은 큰 히스테리시스 루프를 갖는 경향이 있는데, 이것은 자성체의 자기 유도를 생성하는 외부 자기장과 함께 자성체의 자기 유도의 변화를 도시하는 폐루프이고, 이때 이러한 자기장은 완전한 사이클을 통해 변화된다. | 루프 | 폐루프 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 영구 자석은 보통 물리적으로 하드 물질이고, 따라서 경자석으로 불린다. | 자석 | 물질 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 영구 자석은 보통 물리적으로 하드 물질이고, 따라서 경자석으로 불린다. | 자석 | 경자석 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 이상적으로, 연자석은 높이 포화된 자속 밀도에 이르는 큰 값의 투자율을 가지고 있어야 한다. | 연자석 | 투자율 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 투자율의 값은 B/H이고, 여기에서, H는 인가된 자기장 또는 자력이고, 이것은 미터 당 암페어로 표시되고 B는 자성체에 유도된 자속밀도이고, 이것은 테슬라로 표시된다에 해당한다. | 투자율 | B/H | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 투자율의 값은 B/H이고, 여기에서, H는 인가된 자기장 또는 자력이고, 이것은 미터 당 암페어로 표시되고 B는 자성체에 유도된 자속밀도이고, 이것은 테슬라로 표시된다에 해당한다. | H | 자기장 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 투자율의 값은 B/H이고, 여기에서, H는 인가된 자기장 또는 자력이고, 이것은 미터 당 암페어로 표시되고 B는 자성체에 유도된 자속밀도이고, 이것은 테슬라로 표시된다에 해당한다. | H | 자력 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 투자율의 값은 B/H이고, 여기에서, H는 인가된 자기장 또는 자력이고, 이것은 미터 당 암페어로 표시되고 B는 자성체에 유도된 자속밀도이고, 이것은 테슬라로 표시된다에 해당한다. | B | 자속밀도 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 투자율의 값은 B/H이고, 여기에서, H는 인가된 자기장 또는 자력이고, 이것은 미터 당 암페어로 표시되고 B는 자성체에 유도된 자속밀도이고, 이것은 테슬라로 표시된다에 해당한다. | 자속밀도 | 테슬라 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 연자성체는 변하는 자속을 유도해야만 하는 애플리케이션에 보통 사용된다. | 연자성체 | 애플리케이션 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 따라서, 연자석은 교류에 주로 사용되고, 최대 효율을 위해, 변화하는 전기장과 연관된 에너지손실을 최소화하는 것이 중요하다. | 연자석 | 교류 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 이러한 손실은 주어진 주파수에서 주어진 자속밀도에 대한 watt/kg으로 보통 표시된다. | 손실 | watt/kg | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 연자성체는 포화상태에서 작은 히스테리시스 루프 및 높은 자속 밀도를 가져야한다. | 연자성체 | 루프 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012220 | ＡＣ 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 | 특허청 | 전기전자 | 연자성체는 포화상태에서 작은 히스테리시스 루프 및 높은 자속 밀도를 가져야한다. | 연자성체 | 밀도 | isCausedBy | 가공데이터 |