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문서유형doc_id제목출처분야문장 주어목적어관계
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 US 6,548,012에 잘 설명된 바와 같이, 히스테리시스손은 월 도메인 이동에 의해 방산된 에너지로 인한 것이고 이들은 주파수에 비례한다. 히스테리시스손 에너지 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 히스테리시스손은 화학적 구성 및 그 재료의 구조에 의해 영향을 받는다. 히스테리시스손 구성 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 히스테리시스손은 화학적 구성 및 그 재료의 구조에 의해 영향을 받는다. 히스테리시스손 구조 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 와전류는 자기장이 교류 자기장에 노출될 때 유도된다. 와전류 자기장 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 따라서, 상당량의 와전류손은 자성체의 전기 저항에 종속되어 있다. 와전류손 저항 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 이러한 공정은 또한 제조될 파트의 치수보다 큰 치수의 재료의 데폴트 프리 롤을 필요로 한다. 롤 공정 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 라미네이션은 파트의 최종 지오메트리 또는 이 최종 지오메트리의 서브디비젼을 가지고 있고 유기 및/또는 무기 절연재로 코팅될 수 있다. 지오메트리 라미네이션 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 라미네이션은 파트의 최종 지오메트리 또는 이 최종 지오메트리의 서브디비젼을 가지고 있고 유기 및/또는 무기 절연재로 코팅될 수 있다. 서브디비젼 라미네이션 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 라미네이션의 비용은 이들의 두께와 관련되어 있다. 비용 두께 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 20세기 초 이후에 잘 알려진, AC 애플리케이션용 연자성 파트의 제조를 위한 제2 공정은 사용된 입자가 코팅재에 의해 서로 전기적으로 절연되는 대량 생산 파우더 금속야금 공정의 한 변형이다. 공정 변형 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 이러한 공정이 재료 손실을 제거하는 장점을 갖는다는 것은 명백하다. 공정 장점 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 또한, 연자성 파트의 원형상 에지로 인한 도체의 길이의 감소는 동손은 물론 사용된 구리의 양을 최소화할 수 있도록 하기 때문에 유리하다. 감소 최소화 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 파우더 금속야금 공정의 또 다른 장점은 최종 파트에서 라미네이션을 함께 고정시키는데 필요한 클램핑 수단을 제거할 수 있다는 것이다. 장점 제거 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 SMC의 한계는 강 라미네이션과 비교하여 높은 히스테리시스손 및 낮은 투자율이다. 한계 히스테리시스손 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 SMC의 한계는 강 라미네이션과 비교하여 높은 히스테리시스손 및 낮은 투자율이다. 한계 투자율 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 이러한 종래 기술의 문헌에는 각각의 입자의 절연재의 확산 또는 상호작용에 의해 입자를 강화시키기 위한 약 1000℃ 이하에서의 가열 처리가 나타나 있다. 문헌 처리 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 이러한 모든 경우에서, 목표는 연속 전기 절연 매개체에 의해 결합된 이산의 별개의 연자성 입자를 가진 연자성 복합재를 생산하는 것이다. 목표 생산 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 이러한 복합재의 특성은 10KHz 내지 1MHz 이상의 애플리케이션 주파수에 대하여 매우 적합하다. 특성 적합 isA 가공데이터
특허 A220623012220 AC 애플리케이션용 고성능 자기 복합재 및 그 제조 공정 특허청 전기전자 모든 실제 연자성 복합재가 이산 금속 매개체이기 때문에, 재료의 기계적 힘은 절연 코딩재의 힘으로 제한되어 있다. 복합재 매개체 isA 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 많은 전자 장치들을 작동시키기 위해서는 하나 이상의 배터리가 필요하다. 배터리 전자 장치 isPartOf 가공데이터
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