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문서유형doc_id제목출처분야문장 주어목적어관계
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 이러한 전자 장치중 하나인 단안용 야간 투시 장치는 군사 및 법 집행 요우원으로 하여금 광량이 부족할 때나 밤에 작전을 집행할 수 있게 한다. 투시 장치 전자 장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 단안용 야간 투시 장치는 영상증강장치에 전압을 인가하기 위한 이중 배터리 하우징 조립체와, 인쇄회로기판 및 가요성 회로를 포함하는 전자기기 조립체를 사용한다. 조립체 야간 투시 장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 단안용 야간 투시 장치는 영상증강장치에 전압을 인가하기 위한 이중 배터리 하우징 조립체와, 인쇄회로기판 및 가요성 회로를 포함하는 전자기기 조립체를 사용한다. 인쇄회로기판 야간 투시 장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 단안용 야간 투시 장치는 영상증강장치에 전압을 인가하기 위한 이중 배터리 하우징 조립체와, 인쇄회로기판 및 가요성 회로를 포함하는 전자기기 조립체를 사용한다. 전자기기 조립체 야간 투시 장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 이중 배터리 하우징 조립체는 전지실을 제공하고, 전자기기를 지지하며, 배터리와 전자기기를 시스템의 나머지 부분에 연결한다. 조립체 전지실 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 이중 배터리 하우징 조립체는 전지실을 제공하고, 전자기기를 지지하며, 배터리와 전자기기를 시스템의 나머지 부분에 연결한다. 조립체 전자기기 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 이중 배터리 하우징 조립체를 작동시키기 위해서는 두 개의 1.5볼트 직류 AA 배터리가 필요하다. AA 배터리 조립체 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 상기 두 개의 배터리 시스템은 또한 시스템 주위의 주변 시야를 방해하는 크고 가시적인 장애물이 된다. 배터리 시스템 시야 hasAttribute 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 더욱이, 종래의 단안용 야간 투시 장치의 설계는 이중 병렬 전지실로 사용하기 위해 설계된 배터리 카트리지를 이용한다. 설계 배터리 카트리지 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 예를 들면, 이중 배터리 카트리지는 해제 레버를 사용하는데, 이 해제 레버는 부주의하게 작동되어, 직무를 하는 동안 배터리 카트리지를 배터리 하우징으로부터 이탈시킬 수도 있다. 이중 배터리 카트리지 해제 레버 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012221 단일 배터리 하우징 조립체 특허청 전기전자 종래의 이중 배터리 카트리지는 목걸이 줄에 의해 시스템의 나머지 부분에 연결되는데, 이러한 목걸이 줄은 배터리 카트리지를 삽입할 때 방해가 될 수 있기 때문에, 배터리 하우징에 배터리 카트리지를 삽입하는 것을 어렵게 할 수 있다. 이중 배터리 카트리지 목걸이 줄 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 증착은 현대 반도체 디바이스 구조의 기본적인 제조 공정중 하나이다. 증착 공정 isA 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 PVD 공정은 고진공 장치, 및 원자 또는 원자의 클러스터를 웨이퍼 기판의 표면을 향해 스퍼터링하는 생성된 플라즈마를 이용한다. PVD 플라즈마 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 PVD는 가시거리 증착 공정으로서, 특히 4:1 이상의 높은 종횡비를 가지고, 0.13㎛ 이하의 작은 트렌치 또는 비아 위에 얇고 균일한 라이너 또는 장벽층을 증착하는 등의 복잡한 토포그래피 위에 적합한 막 증착을 달성하는 것은 더욱 어렵다. PVD 공정 isA 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 CVD 공정의 기본적인 특성은 모든 전구체 증기가 기판에서 함께 반응한다는 것이다. CVD 공정 전구체 증기 hasAttribute 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 이러한 반응은 종종 열 에너지 또는 플라즈마 에너지 등의 에너지원의 존재를 필요로 한다. 플라즈마 에너지 에너지원 isPartOf 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 웨이퍼 표면의 온도는 CVD 증착에서 중요한 요인인데, 이는 증착이 전구체들의 반응에 의존하고, 큰 웨이퍼 표면에서의 증착의 균일성에 영향을 주기 때문이다. 증착 반응 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 웨이퍼 표면의 온도는 CVD 증착에서 중요한 요인인데, 이는 증착이 전구체들의 반응에 의존하고, 큰 웨이퍼 표면에서의 증착의 균일성에 영향을 주기 때문이다. 증착 균일성 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 일반적으로, CVD는 반도체 공정의 다른 공정과 양립할 수 없는 높은 증착 온도를 필요로 한다. CVD 증착 온도 hasAttribute 가공데이터
특허 A220623012222 나노층 증착 공정 특허청 전기전자 CVD 기술은 반도체 공정에서 오랫동안 이용되어 왔고, 그 특성들은 이용가능한 다양한 전구체와 함께 잘 알려져 있다. CVD 반도체 isUsedFor 가공데이터
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