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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | CVD의 변형은 펄스 CVD 또는 연속 CVD를 포함한다. | 펄스 | 변형 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | CVD의 변형은 펄스 CVD 또는 연속 CVD를 포함한다. | 연속 CVD | 변형 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 펄스 또는 연속 CVD에서, 화학 증기, 또는 플라즈마 에너지, 열 에너지 및 레이저 에너지 등의 공급 에너지들은 CVD 공정에서 처럼 연속적인 것이 아니라 펄스화된다. | 에너지 | 펄스화 | isMemberOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 펄스 CVD의 주요 장점은 전구체 또는 에너지의 온-오프 상태로부터 야기되는 과도 상태의 높은 효과 및 펄스 모드로 인한 전구체 또는 에너지 양의 감소이다. | 에너지 양의 감소 | 펄스 모드 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 펄스 CVD에는 어떠한 퍼지 단계도 없는데, 이는 상호 오염 또는 기체 상태 반응은 고려 대상이 아니고, 전구체 또는 에너지를 펄스화하는 목적은 원하는 막 특성을 얻는 것이기 때문이다. | 막 특성 | 펄스화 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 펄스 CVD는 Taylor 등의 미국 특허 번호 5,102,694호에서와 같이 경사 증착을 생성하는 데에 이용될 수 있다. | CVD | 경사 증착 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Taylor는 전구체가 주기적으로 감소되어, 증착된 막에 경사 조합을 생성하는 펄스 증착 공정을 개시한다. | 펄스 증착 공정 | 경사 조합 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Taylor의 펄스 CVD는 막 조합을 변화시키기 위해 오로지 제 1 세트의 전구체를 변경하는 것에만 의존한다. | 막 조합 | CVD | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Batey는 플라즈마 수소의 정상 흐름 동안 전구체 실란이 변조되는 펄스 증착 공정을 개시한다. | 플라즈마 수소 | 펄스 증착 공정 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 그 명칭이 "Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2"인 Sandhu 등의 미국 특허 5,344,792호에 개시된 바와 같이, 펄스 CVD는 증착 공정에 필요한 플라즈마 에너지를 펄스화하는 데에 이용될 수 있다. | 펄스화 | CVD | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 펄스 특성은 정상 상태 대신 과도 상태를 통해 증착막의 최적화를 제공한다. | 증착막의 최적화 | 과도 상태 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 펄스 CVD는, 그 명칭이 "Method for growing semiconductor film and method for fabricating semiconductor devices"인 Takahashi 등의 미국 특허 번호 6,306,211호에서와 같이 증착 공정에 필요한 전구체들을 펄스화하는 데에 이용될 수 있다. | CVD | 펄스화 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Takahashi는 SixGeyCz의 에피택셜막을 증착하기 위한 펄스 CVD 공정을 개시한다. | 펄스 CVD 공정 | 에피택셜막 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 에피택셜 증착은 단결정 기판을 필요로 하고, CVD 다결정 또는 비정질 막 증착과 달리, 증착되는 막은 기판의 단결정 특성을 확대한다. | 단결정 기판 | 에피택셜 증착 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 기판의 단결정 특성을 확대하기 위해, 증착된 전구체들은 특정한 격자 사이트에서 기판과 결합할 필요가 있다. | 전구체 | 격자 사이트 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 따라서, 에피택셜 증착에서는 전구체의 흐름이 감소하는 것이 매우 바람직한데, 이는 전구체들이 올바른 격자 내에 배열될 충분한 시간을 가질 수 있기 때문이다. | 에피택셜 증착 | 전구체 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 이 공정은 도입되는 전구체들을 희석하기 위한 연속적인 수소 흐름을 포함한다. | 수소 | 전구체 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 에피택셜막을 증착하기 위해서는, 소량의 전구체가 필요하다. | 전구체 | 에피택셜막 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 전구체들은 높은 유량의 수소로 더욱 희석될 수 있다. | 전구체 | 희석 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Takahashi의 펄스 CVD의 목적은 화합물 막을 증착하는 것이다. | 펄스 CVD | 화합물 막 | hasAttribute | 가공데이터 |