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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Takahashi의 펄스 CVD의 목적은 Takahashi에 의해 설명되는 바와 같이 충분히 평탄한 표면에 대해 에피택셜막을 증착하는 것으로서, 트렌치 또는 비아 위에서의 증착을 가능하게 하는 것에 대해서는 언급하지 않는다. | 펄스 CVD | 평탄한 표면 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | ALD는 증착을 위해 화학 증기를 이용하는 CVD의 다른 변형이다. | ALD | 변형 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | ALD 공정의 많은 변형이 있지만, ALD 공정은 모두 2개의 공통적인 특징, 즉 연속적인 전구체 증기 흐름 및 주기당 자기 한정적인 두께의 특징을 공유한다. | ALD 공정 | 전구체 증기 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | ALD 공정의 많은 변형이 있지만, ALD 공정은 모두 2개의 공통적인 특징, 즉 연속적인 전구체 증기 흐름 및 주기당 자기 한정적인 두께의 특징을 공유한다. | ALD 공정 | 자기 한정적인 두께 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 연속적인 전구체 흐름 및 배출 특징은 CVD 공정에 일반적으로 관련되는 기체 상태 반응을 제거한다. | CVD 공정 | 기체 상태 반응 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 주기당 자기 한정적인 두께 특성은 우수한 표면 커버리지를 제공하는바, 이는 막의 총 두께가 전구체 흐름에도 의존하지 않고, 공정 시간에도 의존하지 않기 때문이다. | 두께 | 커버리지 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | ALD 공정의 주기당 최대 두께는 1개의 모노층인데, 이는 기판 표면이 제 1 전구체에 의해 포화되는 자기 한정적인 특징때문이다. | ALD 공정 | 모노층 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 전형적인 ALD 주기는 수초이다. | ALD 주기 | 수초 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | 그 명칭이 "Radical-associated sequential CVD"인 Sneh의 미국 특허 번호 6,200,893호 및 그의 분할은 ALD 증착 방법을 개시한다. | Radical-associated sequential CVD | Sneh | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012222 | 나노층 증착 공정 | 특허청 | 전기전자 | Sneh는 제 1 전구체 도입을 위한 증착 단계를 개시하지만, Sneh의 증착은 리간드에 의한 표면 포화때문에 자기 한정적이다. | 증착 단계 | 전구체 도입 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 일반적으로 반도체 제조설비나 화학품 제조설비 등의 프로세스 챔버에는 화학적 반응성이 풍부한 가스가 공급되고 있다. | 프로세스 챔버 | 반도체 제조설비 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 일반적으로 반도체 제조설비나 화학품 제조설비 등의 프로세스 챔버에는 화학적 반응성이 풍부한 가스가 공급되고 있다. | 프로세스 챔버 | 화학품 제조설비 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 그 때문에, 이 프로세스 챔버의 배기계는 이들 반응성이 풍부한 가스를 안전하고 또한 효율적으로 배기하는 것이 요구되고 있다. | 가스 | 반응성 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 즉, 유체의 흐름에 있어서는, 그 압력과 유로 내경의 관계에 있어서, 점성 흐름영역과 분자 흐름영역으로 분류된다. | 점성 흐름영역 | 유체의 흐름 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 즉, 유체의 흐름에 있어서는, 그 압력과 유로 내경의 관계에 있어서, 점성 흐름영역과 분자 흐름영역으로 분류된다. | 분자 흐름영역 | 유체의 흐름 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 또, 가스분자 등의 평균 자유행정(L)과 압력(P)의 사이에는 L=4.98×10-3/P로 되는 관계가 있다. | 가스분자 | 평균 자유행정 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 또, 가스분자 등의 평균 자유행정(L)과 압력(P)의 사이에는 L=4.98×10-3/P로 되는 관계가 있다. | 가스분자 | 압력 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 그 결과, 종전의 진공 배기계에 있어서는, 대구경의 배관계를 필요로 하기 때문에 설비가 대형화한다는 문제가 발생하고 있었다. | 배관계 | 진공 배기계 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012225 | 진공 배기계용 밸브 | 특허청 | 전기전자 | 또한, 진공 배기계를 보다 소형으로 구성하고 배기를 효율적으로, 단시간에 행하기 위해서는, 압축비가 크고 또한 배기속도가 큰 고능력의 고가인 진공펌프를 필요로 한다는 문제가 있다. | 진공펌프 | 진공 배기계 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623012232 | 비포식 세포로의 침투가 약화된 리스테리아, 리스테리아를 포함하는 백신, 및 그것의 사용방법 | 특허청 | 의약학 | 미생물은 이종 항원을 송달하는 백신으로서 사용하도록 개발되어 왔다. | 미생물 | 백신 | isUsedFor | 가공데이터 |