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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220517007741 | 냉장고 | 특허청 | 전기전자 | 종래의 김치냉장고는 외관을 이루는 하우징 내에 저장실을 형성하는 내상이 구비되어 있으며, 냉매를 고온 고압으로 압축시키는 압축기와, 냉매가 냉각되며 응축되게 하는 응축기와, 냉매를 감압팽창시키기 위한 팽창장치와, 냉매가 저장실을 열을 흡수하며 증발하게 하는 증발냉매관 등의 냉동사이클 구성요소들이 포함된다. | 김치냉장고 | 냉동사이클 구성요소 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007741 | 냉장고 | 특허청 | 전기전자 | 또한, 이러한 종래의 김치냉장고에는 저장실이 하우징의 상하부에 각각 마련되도록 하우징의 상부 및 하부에 상부 내상 및 하부 내상이 배치되고, 상부 내상 및 하부 내상을 각각 냉각하는 상부 증발냉매관 및 하부 증발냉매관을 포함한 김치냉장고가 있다. | 김치냉장고 | 상부 증발냉매관 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007741 | 냉장고 | 특허청 | 전기전자 | 이 때, 이러한 냉매를 압축기로 전달하는 상부 증발냉매관과 하부 증발냉매관의 출구측은 서로 연결되어 상부 증발냉매관 및 하부 증발냉매관을 통과한 냉매가 서로 합류된 후 압축기로 유입되도록 되어 있다. | 냉매 | 압축기 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007741 | 냉장고 | 특허청 | 전기전자 | 그런데 이러한 냉장고에 있어서, 저장실이 충분히 냉각되어 압축기의 운전이 정지되면, 상부 증발냉매관에 잔류하던 냉매가 중력에 의하여 하측으로 유동하게 되는데, 상기에 언급한 바와 같이 상부 증발냉매관과 하부 증발냉매관의 출구측 단부가 서로 연결되어 있으므로, 상부 증발냉매관에 잔류하던 냉매가 상부 증발냉매관과 하부 증발냉매관의 연결부를 통해 하부 증발냉매관으로 역류하며 유입되어 하부 내상을 불필요하게 냉각한다는 문제점이 있다. | 압축기 | 냉매 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 일반적인 반도체 제조 공정에서는 하나의 칩 속에 회로를 집적하는 것이기 때문에 다층의 금속배선을 형성해야 한다. | 반도체 제조 공정 | 금속배선 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 종래의 반도체 소자의 금속배선으로는 Al을 사용하여 제작하였다. | 금속배선 | Al | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 즉, 하부 배선 상에 층간 절연막을 형성한 다음, 층간 절연막의 일부를 식각하여 하부배선과 접속되는 Al 상부 배선을 형성하였다. | 층간 절연막 | Al 상부 배선 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 하지만, 반도체 소자의 고집적화와 고성능화를 위해 Al의 금속배선은 적합하지 않은 단점이 있다. | 고집적화 | Al | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 즉, Cu를 이용한 듀얼 다마신 공법을 통해 백 앤드 오브 라인의 RC 딜레이를 줄일 수 있어 소자의 동작 속도를 향상시킬 수 있었다. | Cu | 듀얼 다마신 공법 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 즉, Cu를 이용한 듀얼 다마신 공법을 통해 백 앤드 오브 라인의 RC 딜레이를 줄일 수 있어 소자의 동작 속도를 향상시킬 수 있었다. | RC 딜레이 | 동작 속도 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 즉, Cu를 이용한 듀얼 다마신 공법을 통해 백 앤드 오브 라인의 RC 딜레이를 줄일 수 있어 소자의 동작 속도를 향상시킬 수 있었다. | 듀얼 다마신 공법 | 백 앤드 오브 라인 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 하지만, Cu는 층간 절연막으로 쉽게 확산되는 특성이 있으며, 이러한 특성으로 인해 Cu원자가 절연막을 통과해 하부 반도체 소자로 확산되어 Si 내의 딥 레벨에 존재하게 되어 소자의 불량을 유발하게 된다. | Cu | 확산 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 하지만, Cu는 층간 절연막으로 쉽게 확산되는 특성이 있으며, 이러한 특성으로 인해 Cu원자가 절연막을 통과해 하부 반도체 소자로 확산되어 Si 내의 딥 레벨에 존재하게 되어 소자의 불량을 유발하게 된다. | Cu원자 | 소자의 불량 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007948 | 반도체 소자의 금속 배선 및 이의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 이들 딥 레벨은 제네레이션-리컴비네이션의 소스로 작용하여 누설 전류를 유발시키고, 심한 경우 소자의 불량이 발생된다. | 딥 레벨 | 누설 전류 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007976 | 반도체 소자의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 트랜지스터의 제조에 있어서 가장 중요한 파라미터의 하나는 문턱전압이다. | 트랜지스터 | 문턱전압 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007976 | 반도체 소자의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 문턱전압은 게이트 산화막 두께, 채널 도핑 농도, 옥사이드 차아지, 그리고 게이트 스택에 사용되는 물질에 의존하는 변수이다. | 문턱전압 | 물질 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007976 | 반도체 소자의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 이러한 문턱전압은 소자의 크기가 감소함에 따라 이론치와 일치하지 않는 여러 현상들이 나타나고 있다. | 문턱전압 | 소자의 크기 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007976 | 반도체 소자의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 그 중에서 현재 당면하고 있는 문제는 게이트 채널 길이가 감소함에 따라 발생하는 숏채널효과라 할 수 있겠다. | 게이트 채널 길이 | 숏채널효과 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007976 | 반도체 소자의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 문턱전압은 게이트 산화막 두께, 채널 도핑 농도, 옥사이드 차아지, 그리고 게이트 스택에 사용되는 물질에 의존하는 변수이다. | 문턱전압 | 게이트 산화막 두께 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517007976 | 반도체 소자의 형성 방법 | 특허청 | 의약학 | 문턱전압은 게이트 산화막 두께, 채널 도핑 농도, 옥사이드 차아지, 그리고 게이트 스택에 사용되는 물질에 의존하는 변수이다. | 문턱전압 | 채널 도핑 농도 | isToBe | 가공데이터 |