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문서유형doc_id제목출처분야문장 주어목적어관계
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이를 위하여, 액정표시장치는 스위칭 소자로서의 TFT(Thin Film Transistor; 박막 박막트랜지스터)를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치가 알려져 있다. TFT 액정표시장치 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치는, 게이트 라인과 데이터 라인을 매트릭스 형상으로 배치하여 그 교차점에 TFT가 배치된 TFT 어레이 기판과 그 기판과 소정의 간격을 두고 배치되는 대향 기판 사이에 액정 재료를 봉입하고, 이 액정 재료에 인가되는 전압을 TFT에 의해 제어하여 액정의 전기 광학적 효과를 이용하여 표시를 가능하게 하고 있다. 게이트 라인 액정표시장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치는, 게이트 라인과 데이터 라인을 매트릭스 형상으로 배치하여 그 교차점에 TFT가 배치된 TFT 어레이 기판과 그 기판과 소정의 간격을 두고 배치되는 대향 기판 사이에 액정 재료를 봉입하고, 이 액정 재료에 인가되는 전압을 TFT에 의해 제어하여 액정의 전기 광학적 효과를 이용하여 표시를 가능하게 하고 있다. 데이터 라인 액정표시장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이러한, 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치의 고선명화를 수반하는 화소 수의 증대에 따라 화소 수의 증대에 따른 게이트 라인과 데이터 라인의 수량이 매우 많아지고, 구동 집적회로의 수도 증가하여 비용의 상승을 초래하고 있다. 화소 액정표시장치 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이러한, 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치의 고선명화를 수반하는 화소 수의 증대에 따라 화소 수의 증대에 따른 게이트 라인과 데이터 라인의 수량이 매우 많아지고, 구동 집적회로의 수도 증가하여 비용의 상승을 초래하고 있다. 게이트 라인 액정표시장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이러한, 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치의 고선명화를 수반하는 화소 수의 증대에 따라 화소 수의 증대에 따른 게이트 라인과 데이터 라인의 수량이 매우 많아지고, 구동 집적회로의 수도 증가하여 비용의 상승을 초래하고 있다. 데이터 라인 액정표시장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 이러한, 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치의 고선명화를 수반하는 화소 수의 증대에 따라 화소 수의 증대에 따른 게이트 라인과 데이터 라인의 수량이 매우 많아지고, 구동 집적회로의 수도 증가하여 비용의 상승을 초래하고 있다. 구동 집적회로 액정표시장치 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고, 각 데이터 라인은 양측의 단위셀을 구동하도록 배열된다. 단위셀 데이터 라인 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고, 박막트랜지스터는 각각 게이트라인과 데이터라인이 교차하는 부분에 형성된다. 게이트라인 박막트랜지스터 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고, 박막트랜지스터는 각각 게이트라인과 데이터라인이 교차하는 부분에 형성된다. 데이터라인 박막트랜지스터 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고, 상기 제 3 게이트 라인(420)과 제 3 데이터라인(451)이 교차되는 부분의 제 2 픽셀(P2) 영역에 제 1 박막트랜지스터(410)가 형성되고, 상기 제 4 게이트라인(421)과 제 2 데이터라인(450)이 교차되는 부분의 상기 제 1 픽셀(P1)영역에 제 2 박막트랜지스터(411)가 형성된다. 게이트 라인 박막트랜지스터 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고, 상기 제 3 게이트 라인(420)과 제 3 데이터라인(451)이 교차되는 부분의 제 2 픽셀(P2) 영역에 제 1 박막트랜지스터(410)가 형성되고, 상기 제 4 게이트라인(421)과 제 2 데이터라인(450)이 교차되는 부분의 상기 제 1 픽셀(P1)영역에 제 2 박막트랜지스터(411)가 형성된다. 데이터라인 박막트랜지스터 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 또한, 각 픽셀(P1, P2)영역에는 각각 상기 제 1 및 제 2 박막트랜지스터와 연결된 화소전극(406)이 형성되고, 상기 게이트라인(420. 421)에 평행한 방향으로 픽셀영역에 공통라인(407)이 형성된다. 픽셀 화소전극 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 상기 각 박막트랜지스터 영역 및 게이트 및 데이터라인을 포함한 상기 화소전극(406)을 제외한 부분의 빛샘현상을 방지하기 위한 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 박막트랜지스터 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 상기 각 박막트랜지스터 영역 및 게이트 및 데이터라인을 포함한 상기 화소전극(406)을 제외한 부분의 빛샘현상을 방지하기 위한 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 데이터라인 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 상기 각 박막트랜지스터 영역 및 게이트 및 데이터라인을 포함한 상기 화소전극(406)을 제외한 부분의 빛샘현상을 방지하기 위한 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 화소전극 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 제 2 기판(409)에는 상기 게이트라인 및 데이터라인과 박막트랜지스터 및 화소전극과 화소전극 사이에 상응하는 부분에 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 게이트라인 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 제 2 기판(409)에는 상기 게이트라인 및 데이터라인과 박막트랜지스터 및 화소전극과 화소전극 사이에 상응하는 부분에 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 박막트랜지스터 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 제 2 기판(409)에는 상기 게이트라인 및 데이터라인과 박막트랜지스터 및 화소전극과 화소전극 사이에 상응하는 부분에 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 화소전극 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
특허 A220623014996 액정 표시 장치 특허청 전기전자 그리고 제 2 기판(409)에는 상기 게이트라인 및 데이터라인과 박막트랜지스터 및 화소전극과 화소전극 사이에 상응하는 부분에 블랙매트릭스층(403)이 형성된다. 데이터라인 블랙매트릭스층 isPartOf 가공데이터
13841–13860번째 행