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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 최근 반도체소자의 집적도가 증가하여 금속배선의 선폭이나 소자간 간격이 감소함에 따라 소자간 분리막, 금속간 절연막, 층간 절연막 등을 형성할 때 메워야 하는 트렌치나 홀의 폭이 갈수록 감소하고 있으며, 따라서 갭필공정에 있어서도 갈수록 우수한 공정특성이 요구되고 있다. | 반도체소자 | 소자간 분리막 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 최근 반도체소자의 집적도가 증가하여 금속배선의 선폭이나 소자간 간격이 감소함에 따라 소자간 분리막, 금속간 절연막, 층간 절연막 등을 형성할 때 메워야 하는 트렌치나 홀의 폭이 갈수록 감소하고 있으며, 따라서 갭필공정에 있어서도 갈수록 우수한 공정특성이 요구되고 있다. | 반도체소자 | 금속간 절연막 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 최근 반도체소자의 집적도가 증가하여 금속배선의 선폭이나 소자간 간격이 감소함에 따라 소자간 분리막, 금속간 절연막, 층간 절연막 등을 형성할 때 메워야 하는 트렌치나 홀의 폭이 갈수록 감소하고 있으며, 따라서 갭필공정에 있어서도 갈수록 우수한 공정특성이 요구되고 있다. | 반도체소자 | 층간 절연막 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 갭필은 여러 가지 방법을 통해서 이루어질 수 있으나, 갭의 종횡비가 높아짐에 따라 최근에는 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 우수한 갭필특성을 구현하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착법이 주로 이용된다. | 갭필 | 고밀도 플라즈마 화학기상증착법 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | HDP CVD 장치는 일정한 반응공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버의 내부에 설치되며 기판이 놓여지는 기판안치대, 기판안치대의 주변에 대칭적으로 설치되어 공정가스를 분사하는 가스인젝터를 포함한다. | 챔버 | HDP CVD 장치 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | HDP CVD 장치는 일정한 반응공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버의 내부에 설치되며 기판이 놓여지는 기판안치대, 기판안치대의 주변에 대칭적으로 설치되어 공정가스를 분사하는 가스인젝터를 포함한다. | 기판안치대 | HDP CVD 장치 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | HDP CVD 장치는 일정한 반응공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버의 내부에 설치되며 기판이 놓여지는 기판안치대, 기판안치대의 주변에 대칭적으로 설치되어 공정가스를 분사하는 가스인젝터를 포함한다. | 가스인젝터 | HDP CVD 장치 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 챔버는 챔버몸체의 상단에 챔버 내부와 외부를 서로 격리하는 절연체가 결합하여 이루어지며, 챔버의 상부에는 플라즈마 발생원의 역할을 하는 RF안테나가 설치된다. | 챔버 | 절연체 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 챔버는 챔버몸체의 상단에 챔버 내부와 외부를 서로 격리하는 절연체가 결합하여 이루어지며, 챔버의 상부에는 플라즈마 발생원의 역할을 하는 RF안테나가 설치된다. | 플라즈마 발생원 | RF안테나 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | RF안테나는 플라즈마를 형성하는 방식에 따라서 용량결합형 전극 또는 유도결합형 전극이 설치될 수 있다. | RF안테나 | 용량결합형 전극 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | RF안테나는 플라즈마를 형성하는 방식에 따라서 용량결합형 전극 또는 유도결합형 전극이 설치될 수 있다. | RF안테나 | 유도결합형 전극 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 용량결합형 전극은 전극이 기판안치대를 대향전극으로 설치되고, 유도결합형 전극은 챔버의 외부에 설치되고, 챔버의 내부공간과는 유전체이 개재된다. | 용량결합형 전극 | 대향전극 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 용량결합형 전극은 전극이 기판안치대를 대향전극으로 설치되고, 유도결합형 전극은 챔버의 외부에 설치되고, 챔버의 내부공간과는 유전체이 개재된다. | 챔버의 외부 | 유도결합형 전극 | isPlaceOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 용량결합형 전극은 전극이 기판안치대를 대향전극으로 설치되고, 유도결합형 전극은 챔버의 외부에 설치되고, 챔버의 내부공간과는 유전체이 개재된다. | 용량결합형 전극 | 전극 | isPartOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 상기 RF안테나는 소스RF전원에 연결된다. | RF안테나 | 소스RF전원 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 한편 기판안치대에는 기판으로 입사하는 이온의 에너지를 제어하는 바이어스RF전원이 연결된다. | 기판안치대 | 바이어스RF전원 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 통상적으로 소스RF전원에는 400KHz, 2MHz, 13.56MHz또는27.12MHz 이상의 주파수가 이용되고, 바이어스RF전원에는 13.56MHz 또는 2MHz이하의 주파수가 이용된다. | 소스RF전원 | 400KHz | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 통상적으로 소스RF전원에는 400KHz, 2MHz, 13.56MHz또는27.12MHz 이상의 주파수가 이용되고, 바이어스RF전원에는 13.56MHz 또는 2MHz이하의 주파수가 이용된다. | 소스RF전원 | 2MHz | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 통상적으로 소스RF전원에는 400KHz, 2MHz, 13.56MHz또는27.12MHz 이상의 주파수가 이용되고, 바이어스RF전원에는 13.56MHz 또는 2MHz이하의 주파수가 이용된다. | 소스RF전원 | 13.56MHz | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017048 | 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 | 특허청 | 의약학 | 통상적으로 소스RF전원에는 400KHz, 2MHz, 13.56MHz또는27.12MHz 이상의 주파수가 이용되고, 바이어스RF전원에는 13.56MHz 또는 2MHz이하의 주파수가 이용된다. | 소스RF전원 | 27.12MHz | hasAttribute | 가공데이터 |