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문서유형doc_id제목출처분야문장 주어목적어관계
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 통상적으로 소스RF전원에는 400KHz, 2MHz, 13.56MHz또는27.12MHz 이상의 주파수가 이용되고, 바이어스RF전원에는 13.56MHz 또는 2MHz이하의 주파수가 이용된다. 바이어스RF전원 13.56MHz hasAttribute 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 통상적으로 소스RF전원에는 400KHz, 2MHz, 13.56MHz또는27.12MHz 이상의 주파수가 이용되고, 바이어스RF전원에는 13.56MHz 또는 2MHz이하의 주파수가 이용된다. 바이어스RF전원 2MHz hasAttribute 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 소스RF전원과 바이어스RF전원의 선단에는 임피던스를 정합시키기 위한 소스용 매칭회로와 바이어스용 매칭회로가 각각 설치된다. 소스용 매칭회로 임피던스 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 소스RF전원과 바이어스RF전원의 선단에는 임피던스를 정합시키기 위한 소스용 매칭회로와 바이어스용 매칭회로가 각각 설치된다. 바이어스용 매칭회로 임피던스 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 한편, 정전기력을 이용하여 기판을 기판안치대에 밀착시키기 위해 기판안치대의 내부에는 텅스텐 등 금속재질의 DC전극이 설치되며, 상기 DC전극은 별도의 DC전원에 연결된다. 텅스텐 금속 isA 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 한편, 정전기력을 이용하여 기판을 기판안치대에 밀착시키기 위해 기판안치대의 내부에는 텅스텐 등 금속재질의 DC전극이 설치되며, 상기 DC전극은 별도의 DC전원에 연결된다. DC전극 정전기력 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 저온 공정에서 기판에 처리하는 경우, 기판안치대에 냉매가 흐르도록 냉각유로을 형성하여 기판의 온도를 저온으로 유지할 수 있다. 냉각유로 기판 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 저온 공정에서 기판에 처리하는 경우, 기판안치대에 냉매가 흐르도록 냉각유로을 형성하여 기판의 온도를 저온으로 유지할 수 있다. 저온 냉각유로 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 기판과 기판안치대의 효율적인 열전달이 되도록 기판의 후면과 기판안치대의 표면에 헬륨가스 등을 공급한다. 헬륨가스 효율적인 열전달 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 기판과 기판안치대의 효율적인 열전달이 되도록 기판의 후면과 기판안치대의 표면에 헬륨가스 등을 공급한다. 헬륨가스 기판 isMemberOf 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 한편, 정전기력을 이용하여 기판을 기판안치대에 밀착시키기 위해 기판안치대의 내부에는 텅스텐 등 금속재질의 DC전극이 설치되며, 상기 DC전극은 별도의 DC전원에 연결된다. DC전극 DC전원 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 먼저 갭필공정을 수행할 기판을 기판안치대에 안치시키고 챔버 내부로 비반응가스를 분사하는 한편 RF안테나에 소스RF전원을 인가하여 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 RF안테나 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 쉬스영역의 전위차에 의해서 전자와의 충돌로 인해 이온 또는 활성종으로 변환된 공정가스가 기판을 향해서 가속되고, 기판안치대에 바이어스RF전원이 인가되면 전위차는 더욱 커지고, 가속된 이온 또는 활성종이 기판에 입사하여 이미 기판에 안착되어 있는 이온 또는 활성종들을 기판으로부터 이탈시킨다. 이온 전위차 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 쉬스영역의 전위차에 의해서 전자와의 충돌로 인해 이온 또는 활성종으로 변환된 공정가스가 기판을 향해서 가속되고, 기판안치대에 바이어스RF전원이 인가되면 전위차는 더욱 커지고, 가속된 이온 또는 활성종이 기판에 입사하여 이미 기판에 안착되어 있는 이온 또는 활성종들을 기판으로부터 이탈시킨다. 전위차 쉬스영역 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 쉬스영역의 전위차에 의해서 전자와의 충돌로 인해 이온 또는 활성종으로 변환된 공정가스가 기판을 향해서 가속되고, 기판안치대에 바이어스RF전원이 인가되면 전위차는 더욱 커지고, 가속된 이온 또는 활성종이 기판에 입사하여 이미 기판에 안착되어 있는 이온 또는 활성종들을 기판으로부터 이탈시킨다. 기판안치대 바이어스RF전원 hasAttribute 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 이때 증착은 주로 활성종에 의하여 이루어지고 식각은 바이어스RF전원에 의하여 가속된 이온이나 전자에 의하여 주로 이루어진다. 증착 활성종 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 이때 증착은 주로 활성종에 의하여 이루어지고 식각은 바이어스RF전원에 의하여 가속된 이온이나 전자에 의하여 주로 이루어진다. 식각 이온 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 이때 증착은 주로 활성종에 의하여 이루어지고 식각은 바이어스RF전원에 의하여 가속된 이온이나 전자에 의하여 주로 이루어진다. 식각 전자 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623017048 펄스 알에프 전력을 이용한 갭필 방법 및 이를 위한 갭필장치 특허청 의약학 따라서 증착을 수행함과 동시에 이온을 가속시켜 개구부 근방에 증착된 박막을 적절히 식각해 내면 개구부 부근의 증착속도를 낮출수 있기 때문에 보이드 없이 갭필을 완료할 수 있다. 박막 식각 hasAttribute 가공데이터
특허 A220623017049 다중 변압기의 1차 권선을 병렬로 연결한 전하 균일 장치 특허청 전기전자 많은 시스템은, 직렬로 접속되는 복수의 각각의 배터리 셀을 포함하는 배터리 팩 또는 배터리 어레이로 구성되는 배터리를 이용하고 있다. 배터리 팩 배터리 isPartOf 가공데이터
14301–14320번째 행