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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019880006807 | 1 | 8 | <RELATION_3245>를 갖추고 있으며</RELATION_3245>, <COMPONENT>그리고 여기</COMPONENT>에서는 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880006807 | 1 | 9 | <ANY>팩시밀리에서 인자수단이 공급된 기록매체위에 공급된 인자신호에 따라서 인자할때는, 공급모터의 출력축의 한 방향으로의 회전은 제1의 원 웨이 클러치에 의해 제1의 송부로울러에만 전달되며, 상기 절환수단은 제2의 송부로울러를 상기 출력축으로부터의 한방향으로의 회전을 전달하지 않으며, 또 제2의 원 웨이 클러치도 제2의 송부로울러로 상기 회전을 전달하지 않은, 그 결과로서 제1의 송부로울러에 의해 기록매체는 인자를 위해 인자 수단 위를 주행하게 되며, 제2의 송부로울러에 의해 이미지부 기록매체가 이미지 센서위를 주행하는 일은 없으며, 이미지부 기록매체위의 이미지를 이미지 센서에 의해서 읽어내고 읽어낸 이미지에 대응한 인자신호를 발신시킬때는, 구동모터의 출력축의 다른 방향으로의 회전은 제2의 원 웨이 클러치를 통해서 제2의 송부로울러를 전달됨과 동시에 상기 절환수단은 제2의 송부로울러로 상기 출력축으로부터의 다른 방향으로의 회전을 전달하지 않으며, 상기 제1의 원 웨이 클러치는 제1의 송부로울러에 상기 회전을 전달하지 않는다. 이 결과로서 제2의 송부로울러에 의해 이미지부 기록매체가 이미지 센서위를 주행하게 되며, 제1의 송부로울러에 의해 기록매체가 인자를 위해 인자수단위를 주행하는 일은 없으며, 이미지 센서에서 이미지 기록매체 위에서 읽어낸 이미지를 인자수단에 공급된 다른 기록매체위에 인자할때는, 구동모터의 출력축의 한 방향으로의 회전은 제1의 원 웨이 클러치를 통해서 제1의 송부로울러로 전달됨과 동시에 상기 절환수단이 제2의 송부로울러로 상기 출력축으로부터의 한 방향으로의 회전을 제2이 원 웨이 클러치를 통함이 없이 직접 전달하며, 그 결과로서 제2의 송부로울러에 의해 이미지부 기록매체가 이미지 센서위를 주행하게 됨과 동시에 제1의 송부로울러에 의해 다른 기록매체가 인자를 위해</ANY> <COMPONENT>인자수단위</COMPONENT><RELATION_400426>를 주행하게 되는</RELATION_400426> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>기록매체 송부장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 1 | 1 | <ANY>저항 전압 디바이더 래더 네트워크 ; 래더 저항의 터미날에 접속된 드레인, 제1 서플라이 전압 콘덕터에 접속된 소오스, 및 제1 인버터에 접속된 게이트</ANY><RELATION_131>를 갖춘</RELATION_131> <COMPONENT>p 채널 비트 스위치 mosfet</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 1 | 2 | <ANY>래더 저항의 터미날에 접속된 드레인, 제1 기준 전압 콘덕터상의 제1 기준 전압을 수신하기 위해 접속된 소오스, 및 제2 드라이버의 출력에 접속된 게이트</ANY><RELATION_131>를 갖춘</RELATION_131> <COMPONENT>n 채널 비트 스위치 mosfet</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 1 | 3 | <ANY>및 p채널과 n 채널 비트 스위치 mosfet의 온채널 저항이 동일하게 하는 비트 스위치 조정회로로 구성되는</ANY> <COMPONENT>cmos 디지탈/아날로그 변환기</COMPONENT><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 1 | 4 | <ANY>비트 스위치 조정 회로가 (a) 제2 기준전압 콘덕터상에 제2 기준전압을 발생하며, 제2 기준전압 콘덕터에 접속된 소오스와 제1 드라이버의 출력에 접속된 드레인을 갖는 제1 채널 mosfet</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제1 회로수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 1 | 5 | <ANY>및 (b) 제2 기준전압에 응하여, 제2 기준전압이 제1 드라이버 출력전압을 p 채널 비트 스위치 mosfet를 온시키는 값을 가질때 모니터 콘덕터상에 소정레벨의 모니터 전압을 발생하여 p 채널 비트 스위치 mosfet의 온 채널저항이 n채널 비트 스위치 mosfet의 온채널 저항과 동일하게 하는</ANY> <COMPONENT>제2 회로수단의 결합</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성되는</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>cmos 디지탈/아날로그 변환기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 5 | 1 | <ANY>(a) 제1전류 발생수단 (b) 그의 저항치가 온도 불변인 제1저항 (c) 제1트랜지스터의 v be 전압을 제1저항 양단에 인가하여 제1전류가 제1트랜지스터의 에미터와 제1저항의 제1터미날에 접속된 제1콘덕터를 흐르게 하며, 따라서 제2전류가 제1저항을 통하여 흐르도록 하고 제2전류가 제1트랜지스터의 v be 의 네가티브온도 변동에 대응하는 네가티브 온도 변동</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 5 | 2 | <ANY>(d) 공급 전압 콘덕터와 제1 트랜지스터의 베이스 사이에 직렬 접속되며, 제2 및 제3저항중 하나가 공급전압 콘덕터에 접속되며 나머지 하나는 제1트랜지스터의 베이스에 접속되고, 제2저항의 저항치는 온도 불변이며, 제3항의 저항치는 포지티브 백분율 온도 변동을 가지며, 온도 변동의 크기는 제2전류의 백분율 온도 변동의 크기를 초과하는 제2 및 제3저항, (e) 제2전류가 제2및 제3저항을 동시에 흐르게 하며, 제2 및 제3저항의 저항치는 제2저항 양단의 전압 강하게 있어서 백분율 온도 변동을 정확히 취소하도록</ANY> <COMPONENT>제3저항의 양단 전압 강하</COMPONENT><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 5 | 3 | <ANY>백분율 온도 변동을 일으키는 값을 가지므로서</ANY> <COMPONENT>제1트랜지스터의 베이스상에 온도 불변 기준 전압</COMPONENT><RELATION_36872>을 발생하는 수단으로 구성되는</RELATION_36872> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>온도 불변 기준전압 제공회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 4 | 1 | <ANY>(a) 각각이 베이스, 콜렉터와 에미터, 및 그들의 베이스를 함께 접속하는 수단</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제1및 제2트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 4 | 2 | <ANY>(b) 제1및 제2트랜지스터내에 상위한 에미터 전류를 발생하여 동일한 온도 편차를 갖는 상위 한 v be 전압을 발생하는 수단, (c) 제로온도 편차를 갖는 제1저항과 제1및 제2트랜지스터의 에미터 사이에 제1저항을 접속하여 제1저항을 통한 온도 불변인 제1전류</ANY><RELATION_31>를 발생하는</RELATION_31> <COMPONENT>수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 4 | 3 | <ANY>(d) 제1트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 접속되며 온도 불변이 되어 제2저항 양단전압에 따라서 제2저항을 통하여 흐르는 제2전류가 제1트랜지스터의 b be 전압의 네거티브온도 변동에 대응하는 네거티브온도 변동</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제2 저항</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 4 | 4 | <ANY>(e) 제 1 트랜지스터의 베이스와 서플라이 전압 콘덕터 사이에 결합되며 온도 불변이어서 제2전류가 제3저항을 흐르며, 제3항 저항 양단 전압이 제2전류와 동일한 온도변동</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제3저항</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007126 | 4 | 5 | <ANY>및 (f) 제2전류가 제4저항을 통하여 흐르도록 제1트랜지스터의 베이스와 서플라이 전압간에 제3저항과 직렬 관계로 결합되며, 제4저항의 백분율 포지티브 온도 변동 크기가 제2전류의 네거티브 백분율 온도 변동크기를 초과하며, 제4저항 양단 전압의 포지티브 온도변동은 제3저항의 양단 전압의 네거티브 온도 변동에 의하여 취소되어 제2및 제3저항간의 접합이 온도 불변이 되게하는</ANY> <COMPONENT>제4저항</COMPONENT><RELATION_141930>이 결합하여 구성되는</RELATION_141930> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>온도 불변 기준전압 발생회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007339 | 12 | 1 | <ANY>외곽부위에서 소정방향으로 돌설된 환상부를 구비한 도자성인 재료로 된 자극체와, 외곽부위에서 상기 환상부 측</ANY><RELATION_4103>으로 돌설된</RELATION_4103> <COMPONENT>환상부를 구비한 아마추어</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007339 | 12 | 2 | <ANY>자장을 잘생시키기 위하여 중심공을 형성하고 상기 자극체의 환상부와 상기아마추어의 환상부가 적어도 일부분씩 스리브 형상으로 포위하도록 된 코일수단과, 상기 자극체의 환상부와 상기 아마추어의 환상부 상호 근본적으로 동축상으로 배설하여 상호이간되어서 형성된 환상공극과 이 환상공극이 적어도 솔레노이드 비여자시에 이간된 상태로 있으며, 상기 환상공극이 밀접토록하여 상기 아마추어가 상기 자극체에 대하여 상기 소정방향에 반대인 작동방향으로 이동시키는</ANY> <COMPONENT>수단</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>3차원의 2중 공극을 가진 솔레노이드</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007443 | 1 | 1 | <ANY>고전압원과 고전압케이블(high voltage cable)과를 선택적으로 카프링 결합하기 위한 접속시스템</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007443 | 1 | 2 | <COMPONENT>지지부재(support member)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880007443 | 1 | 3 | <ANY>상기 지지부재와 고전압원과 전기적으로 결합되고 상기 지지주재</ANY><RELATION_3171>에 재치되는</RELATION_3171> <COMPONENT>장치부슁(apparatus bushing)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |