원시데이터
특허 지식베이스 원시데이터
청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019870001650 | 44 | 1 | <ANY>청구범위 40항</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001650 | 44 | 2 | <ANY>상기 외갑체 수단에 상기 푸쉬버튼의 지나친</ANY> <COMPONENT>이동</COMPONENT><RELATION_427>을 방지하기 위한</RELATION_427> 수단<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>바의 순간푸쉬버튼형 스위치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002151 | 20 | 1 | <ANY>자형 데이타를 지정하는 사용자로부터 문안 코드를 수신하며, 지정된 자형 데이타를 비데오 신호로 변환하여, 비데오 신호를 가시 표시 스크린상에 표시하는 형의 가시 표시 단말장치에 문자를 발생하는 장치로서, 문안 코드를 기억하며 비데오 신호가 코드화된 문자 각각에 대해 발생될 수 있는 자형 데이타를 기억하는 메모리 수단, 메모리 수단으로부터 문안 데이타를 판독 출력하며, 메모리 수단으로부터 대응하는 자형 데이타를 검색하도록 문안 데이타를 사용하기 위해 메모리 수단을 어드레싱 하는 수단 및, 자형 데이타에 응답하여 자형 데이타를 비데오 신호로 변환하는 수단을 구비하며, 상기 자형 데이타는 12비트 어드레스로 어드레스 가능한 영역에 기억되며</ANY> <COMPONENT>문안 코드는 12비트 자형 어드레스</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>문자 발생용 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 14 | 1 | <COMPONENT>반도체 기판</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 14 | 2 | <ANY>상기 기판</ANY><RELATION_33>에 위치하는</RELATION_33> <COMPONENT>관 영역</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 14 | 3 | <ANY>제1장치 영역 및 관 접점을 포함하는 상기 관 영역</ANY><RELATION_399898>을 실제로 둘러싸는</RELATION_399898> <COMPONENT>측면 분리수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 14 | 4 | <ANY>상기 제1장치 영역과 상기 관 접점사이에서 상기 기판위에 배치되고 상기 영역 사이에서 자체 배열되며 상기 분리수단의 한 부분에서부터 상기 분리수단의 다른 부분으로 측면 방향으로 횡단 확장되는</ANY> <COMPONENT>전기적 비활성 도체 영역</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 12 | 1 | <COMPONENT>반도체 기판</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 12 | 2 | <ANY>상기 기판내</ANY><RELATION_33>에 위치하는</RELATION_33> <COMPONENT>관 영역</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 12 | 3 | <ANY>소스, 드레인 및 관 접점을 포함하는 상기 관 영역</ANY><RELATION_399898>을 실제로 둘러싸는</RELATION_399898> <COMPONENT>측면 분리수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 12 | 4 | <ANY>상기 소스와 드레인 사이에서 상기 기판위</ANY><RELATION_14>에 배치된</RELATION_14> <COMPONENT>활성 게이트</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002199 | 12 | 5 | <ANY>상기 소스 또는 드레인 중 하나와 상기 관 접점사이에서 상기 기판위에 배치된</ANY> <COMPONENT>비활성 게이트</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>mos 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 1 | 1 | <ANY>가) 주기적</ANY><RELATION_66421>으로 충전 및 방전되는</RELATION_66421> <COMPONENT>기준 콘덴서</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 1 | 2 | <ANY>나) 기준 콘덴서에서의 전압을 콘덴서가 충전되는 때는 제1기준전압과 콘덴서가 방전되는 때에는 제2기준전압과 비교시키기 위한 비교수단으로, 비교수단의 출력이 발진기의 출력이며, 콘덴서에서의 전압이 제1기준전압과 같아지는 때 제1수준으로부터 제2수준으로 스위치되며, 콘덴서에서의 전압이 제2기준 전압과 같아지는 때 제2수준으로부터 제1수준</ANY><RELATION_32011>으로 스위치되는</RELATION_32011> <COMPONENT>비교수단,</COMPONENT> 그리고 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 1 | 3 | <ANY>다) 입력전압의 크기에 의해 결정된 속도로 기준 콘덴서를 주기적으로 충전 및 방전하기 위한 펌프(pump) 수단으로 기준 콘덴서를 방전시키기 위한 제1mos 트랜지스터와 기준콘덴서를 충전시키기 위한 제2보조 mos 트랜지스터, 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류가 입력전압의 키기에 상응하도록 된 제3 및 제4보조 mos 트랜지스터, 제1트랜지스터를 작동시키기 위해 제1 및 제3트랜지스터의 게이트를 함께 교대로 연결시키며 제2트랜지스터를 작동시키기 위해 제2 및 제4트랜지스터의 게이트를 함께 교대로 연결시키기 위한 스위칭수단, 제3 및 제4트랜지스터의 게이트에 각각 연결되며 제1 및 제2트랜지스터를 급속히 작동시킴을 용이하게 하기 위해 전하를 저장하는</ANY> <COMPONENT>제1 및 제2콘덴서</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 펌프(pump) 수단등 상기 가), 나) 그리고 다)를 포함함<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전압제어발진기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 12 | 1 | <COMPONENT>a) 전원장치</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 12 | 2 | <ANY>b) 제어전압을 수신하고 수신된 제어전압을 제1노드에서 상응하는 제어전류</ANY><RELATION_1676>로 변환시키기 위한</RELATION_1676> <COMPONENT>전압전류변환기</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 12 | 3 | <ANY>c) 전원장치와 제1노드(node) 사이에 연결된 바이어스 저항기로, 바이어스 전류가 바이어스 저항기를 통하여 흐르고 제1노드에서 기준전류</ANY><RELATION_399920>를 제공하기 위한 제어전류와</RELATION_399920> <COMPONENT>합하여지는 바의 바이어스 저항기</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 12 | 4 | <ANY>d) 드레인이 제1노드에 연결되고 소스가 접지에 연결되며 게이트와 드레인이 상호 연결되도록 된 기준 n 타입 mos 트랜지스터로, 기준전류가 이같은 기준 트랜지스터</ANY><RELATION_20369>를 통하여 흐르는</RELATION_20369> <COMPONENT>바의 기준 n 타입 mos 트랜지스터</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002271 | 12 | 5 | <ANY>e) 소스가 접지에 연결되고 게이트가 기준트랜지스터의 게이트에 연결된 게이트를 갖는 n 타입 mos 제2트랜지스터로, 기준전류에 비례하는 전류가 제2트랜지스터</ANY><RELATION_20369>를 통하여 흐르는</RELATION_20369> <COMPONENT>바의 n 타입 mos 제2트랜지스터</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |