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문서유형doc_id제목출처분야문장 주어목적어관계
특허 A220517003169 이동-대-이동 비디오 능력을 네트워크에 제공하기 위한방법 및 장치 특허청 전기전자 그러나 , 이들 시스템들은 지정 사용자 제어를 위하여 제공하지 않는다. 시스템 지정 사용자 제어 isToBe 가공데이터
특허 A220517003398 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법 특허청 전기전자 다결정 반도체막을 사용한 박막트랜지스터는, 비정질 반도체막을 사용하여 형성된 TFT와 비교하여 이동도가 2자릿수 이상 높으므로, 반도체 표시장치의 화소부와 그 주변의 구동회로를 동일 기판 위에 일체로 형성할 수 있다고 하는 이점을 가지고 있다. 박막트랜지스터 반도체 표시장치 isToBe 가공데이터
특허 A220517003398 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법 특허청 전기전자 다결정 반도체막은, 레이저 어닐링법을 사용함으로써 저렴한 유리 기판 위에 형성할 수 있다. 다결정 반도체막 레이저 어닐링법 isToBe 가공데이터
특허 A220517003398 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법 특허청 전기전자 따라서, 빔 스폿을 수 cm 모서리의 직사각형이나, 길이 100mm이상의 선형이 되도록 광학계로 성형하고, 반도체막에의 레이저 조사를 효율적으로 행한다. 빔 스폿 반도체막 isToBe 가공데이터
특허 A220517003398 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법 특허청 전기전자 이 때문에, 반도체막의 결정화에는, 펄스발진의 레이저를 사용하는 것이 주류가 되고 있다. 결정화 펄스발진 isToBe 가공데이터
특허 A220517003398 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법 특허청 전기전자 이와 같이 펄스발진의 레이저광을 이용하여 결정화된 반도체막은, 그 위치와 크기가 랜덤한 복수의 결정립의 집합으로 형성되어 있다. 반도체막 결정립 isToBe 가공데이터
특허 A220517003398 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법 특허청 전기전자 CW 레이저의 경우, 종래의 펄스 발진의 레이저와는 달리, 일방향으로 주사시키면서 반도체막에 레이저광을 조사하고, 결정을 주사 방향을 향해서 연속적으로 성장시켜, 해당 주사 방향을 따라서 길게 연장된 단결정으로 이루어진 결정립의 집합을 형성할 수 있다. CW 레이저 결정립 isToBe 가공데이터
특허 A220517003443 액정표시소자 특허청 전기전자 이와같은 액정표시소자는 컬러필터 어레이 기판이라 불리는 상부기판과, TFT 어레이 기판이라 불리는 하부기판과, 서로 대향하는 상기 상,하부 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되는데, 상기 상,하부 기판의 내측면에는 액정을 제어하여 일정한 방향으로 배향하기 위한 각종 패턴들이 형성되어 있다. 액정표시소자 기판 isToBe 가공데이터
특허 A220517003443 액정표시소자 특허청 전기전자 액정표시소자의 상부기판에는 빛샘을 방지하는 블랙 매트릭스와, 색상을 표현하기 위한 RGB의 컬러필터층과, 투명도전막인 공통전극이 일반적으로 형성되어 있고, 하부기판에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 수직 교차하여 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 두 배선의 교차 지점에서 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극이 형성되어 있다. 상부기판 RGB isToBe 가공데이터
특허 A220517003443 액정표시소자 특허청 전기전자 상기 상,하부 기판은 액정층을 사이에 두고 대향합착 되는데, 상,하부 기판을 완전 접착시키기 위해 하부기판의 가장자리에 접착제 역할을 하는 씨일제(50)를 형성한다. 기판 하부기판 isToBe 가공데이터
특허 A220517003443 액정표시소자 특허청 전기전자 그리고, 두 기판 사이에는 외부 충격에 의해서 셀갭이 변형되는 것을 방지하기 위해 스페이서를 더 구비하는데, 씨일제가 형성되는 부분에서의 셀갭은 씨일제에 유리섬유를 혼합하여 스페이서를 대신한다. 셀갭 씨일제 isToBe 가공데이터
특허 A220517003443 액정표시소자 특허청 전기전자 구체적으로, 상부기판의 공통전극으로 인가되어야 하는 Vcom 신호는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 하부기판의 공통패드, 공통배선 및 은도트 패드를 차례로 거쳐 은도트 패드에 형성되는 은도트를 통해 상부기판의 공통전극으로 전달된다. Vcom 신호 하부기판 isToBe 가공데이터
특허 A220517003443 액정표시소자 특허청 전기전자 은도트는 액정표시소자의 크기에 따라 0.3mm～0.6mm의 두께로 2～20 포인트 도포한다. 은도트 액정표시소자 isToBe 가공데이터
특허 A220517003789 정전압 생성 회로 특허청 전기전자 본 발명은 변동이 존재할 수 있는 전원전압으로부터 고정된 전압을 생성하기 위한 정전압 생성 회로에 관한 것으로, 특히, 반도체 집적회로의 내부에 사용되는 밴드갭을 이용한 정전압 생성 회로에 관한 것이다. 정전압 생성 회로 밴드갭 isToBe 가공데이터
특허 A220517003789 정전압 생성 회로 특허청 전기전자 반도체 집적회로의 경우 외부에서 인가되는 전원전압을 그대로 내부의 구성요소들에 공급하지 않고, 상기 외부 전원전압을 가지고 소정의 정전압 생성기에서 내부 전원전압을 내부 구성요소들에 공급한다. 정전압 생성기 외부 전원전압 isToBe 가공데이터
특허 A220517003789 정전압 생성 회로 특허청 전기전자 이는 외부 전원전압의 크기가 일정하다는 품질을 보장할 수 없기 때문에, 별도의 정전압 생성 회로를 구비하여 품질을 보장할 수 있는 내부 전원전압을 생성-사용하는 것이다. 정전압 생성 회로 내부 전원전압 isToBe 가공데이터
특허 A220517003789 정전압 생성 회로 특허청 전기전자 반도체 집적회로 내에서 용이하게 고정된 전압 기준을 얻기 위해 p-n접합간의 밴드갭을 이용하며, 이를 적용한 정전압 생성 회로가 밴드갭 정전압 생성 회로이다. 전압 기준 밴드갭 isToBe 가공데이터
특허 A220517003789 정전압 생성 회로 특허청 전기전자 우선, 외부의 환경 변화나 바이폴라 트랜지스터의 품질의 열화등에 의해 상기 베이스-이미터간 전압이 변동하는 경우 바람직한 정전압 특성을 기대하기 어렵게 되는 문제점이 있다. 환경 변화 바이폴라 트랜지스터 isToBe 가공데이터
특허 A220517003789 정전압 생성 회로 특허청 전기전자 한편, 상기 식 1의 관계는 다른 관점에서는 정전압 생성 회로의 출력 정전압 레벨을 용도에 맞게 의도적으로 변경할 수 있는 장점으로 될 가능성이 있으나, 종래 기술에 의한 정전압 생성 회로는 이와 같은 장점을 살릴 수 없었다. 정전압 생성 회로 출력 정전압 레벨 isToBe 가공데이터
특허 A220517003804 리버싱 벨트 콘베이어의 벨트 사행 조정장치 특허청 전기전자 일반적으로 벨트 콘베이어는 수평 또는 경사로 된 긴 프레임의 양 끝에 설치된 복수의 풀리에 벨트를 감아 걸어 이것을 연속적으로 한 방향 또는 양방향으로 움직여서 그 벨트 위에 올려진 적재물을 이송시키는 장치이다. 풀리 벨트 isToBe 가공데이터
661–680번째 행
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