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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 염료감응형 광전변환소자는 투명전극에 접착되어 있는 나노입자로 구성된 다공질 반도체층과 다공질 반도체층 위에 코팅된 염료로 구성되는 반도체 전극, 반도체 전극에 대향하는 대향전극 그리고 두 전극 사이에 있는 공간을 채우고 있는 산화환원용 전해질 용액을 포함하여 구성되는 광전기화학적 태양전지이다. | 염료감응형 광전변환소자 | 산화환원용 전해질 용액 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 염료감응형 광전변환소자는 투명전극에 접착되어 있는 나노입자로 구성된 다공질 반도체층과 다공질 반도체층 위에 코팅된 염료로 구성되는 반도체 전극, 반도체 전극에 대향하는 대향전극 그리고 두 전극 사이에 있는 공간을 채우고 있는 산화환원용 전해질 용액을 포함하여 구성되는 광전기화학적 태양전지이다. | 염료감응형 광전변환소자 | 광전기화학적 태양전지 | isA | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 염료감응형 태양전지는 광전변환효율이 높고 제조비용이 저렴한 이점을 가진다. | 염료감응형 태양전지 | 제조비용이 저렴 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 그러나 이러한 염료감응형 태양전지는 액상 전해질로 구성된 습식이기 때문에, 장기 사용시 전해액의 누설 또는 전해액의 휘발에 의해 광전변환효율이 급격히 저하되는 등 신뢰성 및 장기안정성이 불량한 문제점을 갖는다. | 염료감응형 태양전지 | 액상 전해질 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 고체 고분자 전해질을 홀 전달 재료로 이용한 태양전지는 2001년 브라질의 드 파올리 그룹에 의해 개발된 후 활발하게 연구되고 있다 . | 드 파올리 그룹 | 브라질 | isPlaceOf | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 그러나, 고분자 전해질을 포함하는 태양전지의 경우 에너지 전환 효율이 낮아 상용화가 불가능하였다. | 고분자 전해질 | 태양전지 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017121 | 대향전극의 표면개질방법 및 표면개질된 대향전극 | 특허청 | 의약학 | 특히 고체형 염료감응형 태양전지에서는 대향전극 계면이 고체 고분자와 금속으로 되어 있어서, 고체와 고체 사이의 접촉이 좋지 않기 때문에, 대향전극과 전해질층 사이에서의 전자의 전달이 액체 전해질을 사용하는 경우에 비해 어려워 광전변환효율이 떨어지는 문제점이 있다. | 고체형 염료감응형 태양전지 | 금속 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. | 액정표시장치 | 화상 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 이를 위하여 액정표시장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과, 액정패널을 구동하기 위한 구동회로 및 액정패널에 광을 조 사하기 위한 백라이트 유닛을 구비한다. | 액정표시장치 | 백라이트 유닛 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 액정패널은 서로 대향하는 박막트랜지스터 어레이 기판 및 칼러필터 어레이 기판과, 두 기판 사이에 일정한 셀갭 유지를 위해 위치하는 스페이서와, 그 셀갭에 채워진 액정을 구비한다. | 액정패널 | 액정 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 박막트랜지스터 어레이 기판은 게이트 라인들 및 데이터 라인들과, 그 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차부마다 스위치소자로 형성된 박막트랜지스터와, 액정셀 단위로 형성되어 박막트랜지스터에 접속된 화소전극 등과, 그들 위에 도포된 배향막으로 구성된다. | 박막트랜지스터 어레이 기판 | 배향막 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 또한, 4마스크 공정의 특성상 상기 데이터 라인 영역의 반도체층은 박막트랜지스터 영역의 반도체층과 일체로 이루어진다. | 4마스크 공정 | 반도체층 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 상기 박막트랜지스터의 동작은 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 제어되어야 하지만, 이와 같은 경우 상기 광전류에 의해서 원치 않는 타이밍에 턴-온될 수 있다. | 박막트랜지스터 | 턴-온 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 이와 같이 버스트 모드의 구동방법에 의해 구동되는 백라이트 유닛의 온/오프에 따라 발생되는 광전류에 따라 액정패널의 데이터 라인 영역의 반도체층이 여기되어 도체 또는 부도체가 된다. | 버스트 모드 | 부도체 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 따라서, 반도체층이 도체가 되는 경우에는 반도체층과 화소전극 간의 거리가 데이터 라인과 화소전극간의 거리보다 가깝기 때문에 반도체층과 화소전극간에 캐패시턴스가 발생된다. | 캐패시턴스 | 반도체층 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 반면에 반도체층이 부도체가 되는 경우에는 데이터 라인과 화소전극간에 캐패시턴스가 발생된다. | 반도체층 | 캐패시턴스 | hasAttribute | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017123 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 이와 같이 백라이트 유닛의 온/오프 주파수에 의해 발생되는 반도체층과 화소전극간의 캐패시턴스 및 데이터 신호의 구동주파수에 의해 발생되는 데이터 라인과 화소전극간의 캐패시턴스 차이로 인하여 표시화면에 물결모양이 표시되어 화질저하를 발생하게 된다. | 캐패시턴스 | 온/오프 주파수 | isCausedBy | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017124 | 액정표시소자 및 그 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 액정표시소자는 박막트랜지스터와 화소전극이 형성된 하부기판과, 차광막과 컬러필터층이 형성된 상부기판과, 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. | 액정표시소자 | 액정층 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017124 | 액정표시소자 및 그 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 이와 같은 액정표시소자는 진공주입방식 또는 액정적하방식에 의해 제조된다. | 액정표시소자 | 액정적하방식 | isUsedFor | 가공데이터 |
| 특허 | A220623017124 | 액정표시소자 및 그 제조방법 | 특허청 | 전기전자 | 상기 액정적하방식은 우선 하부기판과 상부기판을 준비하고, 상기 하부기판 또는 상부기판 상에 액정의 주입구가 없는 밀폐형의 씨일재를 형성하고 상기 씨일재 내부에 액정을 적하한 후, 상기 양 기판을 합착하여 액정표시소자를 제조하는 방식이다. | 액정적하방식 | 액정표시소자 | isUsedFor | 가공데이터 |