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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019870008666 | 7 | 3 | <ANY>상기 소자스파인을 상기 케이스의 제1및 제2내부면과 일정한 간격을 가지며 평행한 소자핑거의 제1및 제2내부면</ANY><RELATION_399697>을 갖는 케이스에 장착하는</RELATION_399697> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870008666 | 7 | 4 | <ANY>개개의 전위를 상기 소자핑거면에 대한 직각방향의 편향을 독립적으로 제어하도록 각 소자핑거</ANY><RELATION_372>에 인가하는</RELATION_372> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870008666 | 7 | 5 | <ANY>스파인과 대향하는 각 핑거의 인접단부에 설치되며 전위 인가수단</ANY><RELATION_1112>과 절연되는</RELATION_1112> <COMPONENT>적어도 하나의 분리형 가동접점</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870008666 | 7 | 6 | <ANY>각각의 가동접점과 대향하는 각 제1및 제2내부 케이스면에 설치된 적어도 하나의 분리형 고정접점을 구비함으로써, 각각의 핑거들이 적절한 전위의 인가에 의하여 핑거가 편향되고 핑거의 가동접점과 대향하고 있는 제1또는 제2내부 케이스면상의 고정접점이 전기적으로 접속되도록</ANY> <COMPONENT>독립적</COMPONENT><RELATION_1396>으로 제어되는</RELATION_1396> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>압전 스위치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 1 | 1 | <ANY>실리콘 웨이퍼상에 한 부분은 전도형이고 인접한 부분은 반대전도형인 폴리크리스탈린 실리콘층</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 1 | 2 | <ANY>상기 폴리크리스탈린 실리콘층이 상기 인접한 부분들간의 장치 영역을 한정하는 상기 실리콘웨이퍼의 영역</ANY><RELATION_843>을 노출하는</RELATION_843> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 1 | 3 | <ANY>상기 폴리크리스탈린 실리콘층의 상기 인접한 부분들이 각각을 따라 상기 장치 영역과 접촉하는 폴리실리콘 측벽을 형성하는 단계, 상기 폴리크리스탈린 실리콘층의 상기 부분의 각각의 불순물로 하여금 그 부분을 따라 측벽으로 또한 상기 장치 영역으로 확산하게 하여서 상기 장치 영역의 에미터 및 베이스 영역을 형성하기 위하여 상기 웨이퍼를 아넬링하는 단계, 및 상기 베이스 및 에미터 영역에 전기적 접촉을 설정하기 위하여 상기 폴리크리스탈린 실리콘층의 상기 인접한</ANY> <COMPONENT>부분들에 접점</COMPONENT><RELATION_403137>을 제공하는 단계로 구성되는</RELATION_403137> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>바이폴라 트랜지스터를 제조하기 위한 프로세스</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 1 | <ANY>전도형의 매몰층 및 에피택셜층을 실리콘 기판</ANY><RELATION_313>에 형성하는</RELATION_313> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 2 | <ANY>상기 에피택셜층의 두 영역을 서로 전기적 절연시키기는 단계; 상기 영역의 다른 곳은 노출시킨 상태로 인슐레이션층으로 상기 영역의 한곳</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 3 | <ANY>상기 인슐레이션층 및 상기 에피택셜층의 상기 노출된 영역에 폴리크리스탈린 실리콘의 제1층</ANY><RELATION_90501>을 침적하는</RELATION_90501> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 4 | <ANY>상기 폴리크리스탈린층의 한부분을 제1전도성 있게 상기 폴리크리스탈린층의다른 부분을 제2전도성 있도록 도우핑하여 상기 두부분의 각각이 부분적으로 상기 에피택셜층의 상기 한 영역상에 덮이고 상기 두부분의오직 한곳만이 상기 다른 영역상</ANY><RELATION_357644>에 덮이도록 하는</RELATION_357644> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 5 | <ANY>상기 두부분을 서로 분리하고 상기 한 영역을 노출 시키기 위하여 상기 제1폴리크리스탈린층 및 상기 인슐레이션층에 제1개구</ANY><RELATION_20>를 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 6 | <ANY>상기 한 영역상에 부분적으로 덮혀있는 상기 한 부분의 일부를 상기 다른 영역상에 덮혀있는 상기 부분의 다른 일부와 절연시키기 위하여 상기 폴리크리스탈린층에 제2개구를 형성하는 단계 적어도 상기 제1개구내에 폴리크리스탈린의 제2층</ANY><RELATION_90501>을 침적하는</RELATION_90501> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 7 | <ANY>상기 한영역의 부분을 노출하여 상기 제1층의 상기 분리된 부분에 각각 위치하고 상기 한 영역에 접속된 폴리크리스탈린 실리콘 측벽 리본을 형성하기 위하여 상기 제2층</ANY><RELATION_92518>을 이방성 에칭하는</RELATION_92518> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009164 | 6 | 8 | <ANY>베이스 및 에미터가 상기 한 영역에 형성되고 상기 측벽이 각각 상기 베이스 및 에미터에 전기적 접속을 형성 하도록 상기 제1층의 상기 두 분리된 부분의 각각으로부터 상기 부분에 위치한 각 측벽리본 및 상기 측벽리본과 접속된 상기 한 영역에 불순물을 확산하는 단계 및 상기 제1층의 상기 한 부분의 상기 두 일부분의 각각 및 상기</ANY> <COMPONENT>제1층의 상기 기타 부분에 전기적 접점영역</COMPONENT><RELATION_403137>을 제공하는 단계로 구성되는</RELATION_403137> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>단일 폴리실리콘 장치 접점층을 사용하여 트랜지스터를 제조하기 위한 프로세스</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009305 | 1 | 1 | <ANY>전압이 인가되면 가시광</ANY><RELATION_94558>을 발산할 수 있는</RELATION_94558> <COMPONENT>반도체 칩(23)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009305 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체 침(23)이 그 위에 착설되는 한쌍의 전극(22)과, 그</ANY> <COMPONENT>안에 상기 반도체 칩(23)</COMPONENT><RELATION_9132>이 배설되는</RELATION_9132> 원통형 개구부(25)<RELATION_SEP>를 갖는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반사기(24)(24a)와, 상기 원통형 개구부(25)를 충전하는 부위를 가지며, 상기 원통형 개구부(25)를 충전하는 부위를 가지며, 상기 원통성 개구부(25)상에 대략 반구 형상인 돌기 형상으로 형성되는 고체인 피복체(고정덮개)(26)와 이루어지는 발광 다이오드(led)디스플레이 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009305 | 5 | 1 | <ANY>기판(21)과 ; 상기 자판(21)의 한쪽면상에 인쇄회로</ANY><RELATION_4>로써 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>다수쌍의 전극들(22a),(22a)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009305 | 5 | 2 | <ANY>상기한 다수쌍의 전극들(22a),(22a)의 각각의쌍의 전극(22a)상에 각각 접합되어지며, 전압이 인가되면 가시광</ANY><RELATION_94558>을 발산할 수 있는</RELATION_94558>, <COMPONENT>다수개의 반도체 칩(23), (23)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870009305 | 5 | 3 | <ANY>상기 기판(21)상에 확보되어지고, 상기한 다수개의 반도체 칩(23), (23)의 각각이, 대응하는 각각의 상기한 다수개의 원통형 개구부(25),(25)내에 배설되어지도록 상기한 다수개의 반도체 칩(23),(23)에 대응하는 다수개의 원통형 개구부(25), (25)</ANY><RELATION_15>를 가지는</RELATION_15> <COMPONENT>반사기(24l), (24r)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |