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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019880000043 | 23 | 1 | <ANY>수신기 및 선택 부품을 수용하기 위한</ANY> <PATENT_ITEM>구조물</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000043 | 23 | 2 | <ANY>수신기를 수용하기 위한 수신기 하우징 장치, 선택 부품을 수용하기 위한 콘테이너 장치, 수신기 하우징 장치내에 제공된 제 1 록킹 장치, 수신기 하우징 장치에 또는 이 수신기 하우징 장치로부터 콘테이너 장치를 선택적으로 부착 또는 분리시키기 위해 제 1 록킹 장치와 결합 가능한 제 2 록킹 장치, 수신기 하우징 장치의 1개의 벽 상에 제공된 제 1 전기 접속 장치, 및 콘테이너 장치의 1개의 벽상에 제공되고 콘테이너 장치가 수신기 하우징 장치에 부착될 때 제 1 전기 접속 장치에 접속 가능하게 되는</ANY> <COMPONENT>제 2 전기 접속 장치</COMPONENT><RELATION_27>로 구성되는</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>구조물</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 11 | 1 | <ANY>상기 몸체</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>소오스영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 11 | 2 | <ANY>상기 소오스영역으로부터 격리 위치하며 그 사이에 채널영역</ANY><RELATION_400143>을 한정하는 상기 몸체에 형성된</RELATION_400143> <COMPONENT>드레인영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 11 | 3 | <ANY>상기 제1게이트부재의 에지와 상기드레인영역 사이의 상기 몸체에 제3영역을 정의하기 위하여 상기 채널위로 상기 소오스영역으로부터 상기 드레인영역으로부터 격리 위치한 점까지 연장되며 절연층</ANY><RELATION_400142>으로 완전히 둘러 쌓인</RELATION_400142> <COMPONENT>제1폴리실리콘부재</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 11 | 4 | <ANY>상기 소오스 및 드레인영역을 형성하는 도판트와 반대인 도판트</ANY><RELATION_13068>로서 도우프된</RELATION_13068> <COMPONENT>상기 제3영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 11 | 5 | <ANY>및 상기 제1게이트부재와 정렬되어 형성되며 상기 채널 영역위로 상기 제1게이트부재로부터 오버래핑 상기 드레인영역까지 연장되며 상기 제1게이트부재 및 상기 몸체로부터 절연된 제2폴리실리콘 게이트부재로 구성되며 상기 소오스영역은 상기 드레인영역보다</ANY> <COMPONENT>더 깊숙히 상기 몸체</COMPONENT><RELATION_419>로 연장되며</RELATION_419> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 11 | 6 | <ANY>이에 의하여 일체로 형성된</ANY> <COMPONENT>선택장치</COMPONENT><RELATION_617046>를 갖는 메로미셀이 실현되는</RELATION_617046> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>실리콘 몸체에 형성된 전기적으로 프로그램 가능하며 소거가능한 메모리셀</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 1 | <ANY>상기 몸체에 제1절연층</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 2 | <ANY>상기 제1절연층에 형성된 제1폴리실리콘층으로부터 제1폴리실리콘 게이트부재의 적어도 제1에지</ANY><RELATION_217>를 정의하는</RELATION_217> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 3 | <ANY>상기 제1절연층 및 상기 제1게이트부재의 상기 노출된 부분을 덮기 위하여 제2절연층</ANY><RELATION_90501>을 침적하는</RELATION_90501> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 4 | <ANY>상기 제1게이트부재의 상기 제1에지에 인접한 스페이서 부재를 정의하기 위하여 상기 제2절연층</ANY><RELATION_1366>을 에칭하는</RELATION_1366> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 5 | <ANY>상기 스페이서 부재가 상기 스페이서부재하의 상기 몸체의 제1영역이 도판트를 받아들이지 않도록 보호하면서, 제1전도형의 도판트로서 제1도 우핑단계로서 상기 실리콘 몸체</ANY><RELATION_398825>를 도우핑하는</RELATION_398825> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 6 | <ANY>상기 스페이서 부재</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 7 | <ANY>상기 제1 영역을 제2전도형의 도판트로서 도우프하기 위하여 제2전도형의 도판트로서 제2도 우핑단계로서 상기 몸체</ANY><RELATION_398825>를 도우핑하는</RELATION_398825> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 8 | <ANY>상기 제1게이트 부재위에 이것과 절연된 제2폴리실리콘층을 형성하여 상기 제1영역위로 연장된 제2게이트부재</ANY><RELATION_400145>를 상기 제2층으로부터 정의하는</RELATION_400145> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 14 | 9 | <ANY>및 상기 제2게이트부재와 정렬하여 제3도 우핑단계로서 상기 몸체에 소오스 및 드레인영역을 형성하는 단계로 구성되며, 이에 의하여 일체로 형성된</ANY> <COMPONENT>선택장치</COMPONENT><RELATION_617047>를 갖는 메모리셀이 실현되는</RELATION_617047> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>실리콘 몸체에 전기적으로 프로그램 가능하며 소거 가능한 메모리셀을 형성하는 프로세스</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 9 | 1 | <ANY>상기 몸체</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>소오스영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 9 | 2 | <ANY>상기 소오스영역으로부터 격리 위치하며 그 사이에 채널영역</ANY><RELATION_400143>을 한정하는 상기 몸체에 형성된</RELATION_400143> <COMPONENT>드레인영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880000511 | 9 | 3 | <ANY>상기 제1게이트부재의 에지와 상기 드레인영역사이의 상기 몸체에 제3영역을 정의하기 위하여 상기 채널위로 상기 소오스영역으로부터 상기 드레인영역으로부터 격리 위치한 점까지 연장되고 절연층</ANY><RELATION_400152>으로 완전히 둘러</RELATION_400152> <COMPONENT>쌓이 제1폴리실리콘부재</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |