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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019880011677 | 10 | 2 | <ANY>상기 조성물은 (a) 소정의 원자비의 성분 l, m, a를 가진</ANY> <COMPONENT>l, m, a용해염 용액</COMPONENT><RELATION_1822>을 제조하고</RELATION_1822> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011677 | 10 | 3 | <ANY>(b) 제4급암모늄 카보네이트용액</ANY><RELATION_1822>을 제조하여</RELATION_1822> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011677 | 10 | 4 | <ANY>(c) 상기 l, m, a용해염용액과 제4급암모늄 카보네이트용액을 물푸올(water pool)에서 동시에 교반하면서 혼합시켜 화학양론적인</ANY> <COMPONENT>공침전물</COMPONENT><RELATION_80>을 생성하며</RELATION_80> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011677 | 10 | 5 | <ANY>(d) 상기 공침전물</ANY><RELATION_12946>을 회수하고</RELATION_12946> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011677 | 10 | 6 | <ANY>(e) 분해 또는 휘발시키기에 충분한 온도로 상기 건조된 공침전물을 가열시켜</ANY> <COMPONENT>제4급 암모늄과 니트레이트</COMPONENT><RELATION_617089>를 잔류시키고</RELATION_617089> 상기 공침전물의 카보네이트를 산화물로 부분전환시킴<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>공정으로 얻어진 생성물임을 특징으로 한 상기 조성물. 상기 l은 적어도 하나의 3가금속, 상기 m은 적어도 하나의 2가금속, a는 적어도 하나의 다가금속이다. 상기 l, m, a는 주어진 원자비로 구성되어 있음</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 14 | 1 | <ANY>한쌍의 절연판과 ; 상기 핀의 각각에 장착된 수직</ANY><RELATION_251>으로 연장하는</RELATION_251> <COMPONENT>전도성 핀의 행과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 14 | 2 | <ANY>상기 쌍으로 된 핀 사이에서 전기적 기계적 결합을 하기 위한 전기 커넥터 장치를 구비하는데, 상기 행으로 된 핀을 부수의 쌍으로된 핀을 제공하는 다른 행의 대응핀과 통상적으로 정열되어 있는 한행내의 각각의 핀과 서로 병렬을 이루고, 상기 커넥터 장치는 중앙부에 의해서 결합된 두개의 굴곡 포크부분을 갖는 복수의 이격진 집촉자를 구비하며, 상기 각 접촉자의 상기 굴곡 포크부분은 강기 각</ANY> <COMPONENT>쌍의 핀</COMPONENT><RELATION_193>과 결합되는</RELATION_193> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>결합창치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 12 | 1 | <ANY>한쌍의 수직방향으로 이격되고 정열된 전도성 핀을 결합시키기 위한</ANY> <PATENT_ITEM>전기 접촉자</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 12 | 2 | <ANY>상기 중앙부로부터 같은방향으로 구부러진 두개의 단부분 및 중앙부분</ANY><RELATION_15>을 가진</RELATION_15> <COMPONENT>전도성 스트립부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 12 | 3 | <ANY>핀 및 상기 접촉자 사이에서 래치 고정작용과 그들 사이에 전기 결합작용을 제공하도록 상기 핀을 수용하는 상기 각 굴곡 포크 부분에 대하여 적어도 한부분의 연부에 리세스부를 구비하는네, 상기 각 단부는 슬롯내에서 상기 핀들중의 하나를 수용하기 위해 그들 사이에서 슬롯을 형성하는 두개의 이격진 접촉빔을 포함하는 굴곡 포크부분으로 구성되어 있고,</ANY> <COMPONENT>상기 빔을 접합 연부</COMPONENT><RELATION_6>를 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전기 접촉자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 1 | 1 | <ANY>절연 지지수단에 장착되어 두개의 병렬로 이격된 대응하는 전도성 행을 이루는 핀들간에 전기 결합을 행하기 위한</ANY> <PATENT_ITEM>전기 커넥터</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 1 | 2 | <COMPONENT>신장된 절연 부재</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011753 | 1 | 3 | <ANY>상기 부재에 장작된 복수의 이격진 접촉자를 구비하는데, 상기 각각의 접촉자는 중앙부 및 두개의 단부부분을 갖고, 상기 각각의 단부부분은 슬롯내에서 상기 핀들중의 하나를 수용하기 위해 슬롯을 형성하는 두개의 이격진 접촉빔을 포함하는 굴곡 포크부분으로 되어있으며, 상기 빔은 접합 연부를 갖고, 추가로 상기 핀 및 상기 접촉자사이에서 래치 고정 작용과 그들 사이에서 전기 결합 작용을 제공하도륵 상기 핀을 수용하는 상기 각 접촉자의 상기 각각의 굴곡 포크부분에 대하여</ANY> <COMPONENT>적어도 한부분의 연부</COMPONENT><RELATION_629185>에 리세스부를 구비하는</RELATION_629185> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전기 커넥터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 12 | 1 | <ANY>반도체 기판위에 형성된 제 1 트랜지스터, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 전극 부위</ANY><RELATION_15315>를 제외하고 형성된</RELATION_15315> <COMPONENT>절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 12 | 2 | <ANY>상기 절연막, 상기 게이트 전극의 노출부 및 상기 제 1 트랜지스터로부터 분리된 반도체 기판위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>에피텍셜층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 12 | 3 | <ANY>상기 반도체 기판위의 에피텍셜층 위에 형성된 제 2 트랜지스터로 구성된</ANY> <COMPONENT>스태틱 반도체 메모리 장치</COMPONENT><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 12 | 4 | <ANY>상기 에피택셜층은 반도체 기판상에 단결정구조로 형성되며, 상기 기판을 제외한 다른 부분은 다결정구조로 형성되어, 상기 에페텍셜층의 제 1 트랜지스터가 고저항부하소자로 사용되도록 된</ANY> <COMPONENT>것</COMPONENT><RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 7 | 1 | <ANY>실리콘 반도체 기판 ; 소자를 분리하기 위해 기판위에 선택적</ANY><RELATION_4>으로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 7 | 2 | <ANY>절연막이 형성되지 않은 기판 주변부의 절연막과, 이 절연막이 형성되지 않은 기판위에 연속적으로 형성된 실리콘층, 상기 실리콘층 위에 부분적으로 설치됨과 더불어 불순물</ANY><RELATION_1064>이 주입된</RELATION_1064> <COMPONENT>mos트랜지스터의 소오스 및 드레인영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880011978 | 7 | 3 | <ANY>상기 소오스 및 드레인영역 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>mos트랜지스터의 게이트 절연막과 게이트 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |