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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019890004159 | 9 | 1 | <ANY>내부 및 외부 표면과 측벽(7)이 있는 페이스플레이트(5), 네크(3), 페이스플레이트(5)와 네크(3)를 연결하는 콘(4)을 포함하고 있는 엔빌로프(2)와 하나이상의 전자비임을 방사하는 네크내에 설치된 전자총(8)과 전자비임의 충돌에 의해 가시광을 발광하는 페이스플레이트 내표면에 배치된 형광면(9)과 광을 선택적으로 투과시키기 위해 페이스플레이트의 전면에 배치된 광필터 장치(10)로 구성되어 있는</ANY> <PATENT_ITEM>음극선관</PATENT_ITEM>(1)<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890004159 | 9 | 2 | <ANY>광필터 장치가 400-650nm의 파장 영역에서 575±20nm 파장 영역에 최대 흡수 파장</ANY><RELATION_25>을 가지며</RELATION_25>, <COMPONENT>다음식</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890004159 | 9 | 3 | <COMPONENT>tmin＜t 550 ＜t 530 , 1＜t 450 /t 530 ＜2, 1＜t 630 /t 530 ＜2, 0.7＜t 450 /t 630 ＜1.43</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890004159 | 9 | 4 | <ANY>(여기에서 t 450 ,t 530 ,t 550 ,t 630 및 tmin은 각각 450nm,530nm,550nm,630nm 및</ANY> <COMPONENT>최대 흡수 파장에서의 광투과율을 나타낸다)</COMPONENT><RELATION_970>을 만족시키는</RELATION_970> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>음극선관</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 1 | <ANY>그 위에 배치되는 다수의 기본셀(1,204,205)을 포함하며, 각각이 제1방향(y) 및 상기 제1방향에 수직인 제2방향(x)을 따라 뻗어있는 다수의 배선 채널</ANY><RELATION_8>을 구비하며</RELATION_8> 그리고 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 2 | <ANY>상기 제2방향</ANY><RELATION_357497>에 평행하게 뻗어 있는</RELATION_357497> <COMPONENT>1쌍의 전극(2,3)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 3 | <ANY>상기 전극의 중앙부에 대응하는 영역</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>분리영역(10)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 4 | <ANY>상기 제1방향에 대해 상기 분리영역의 일측위에 형성되며, 각각 상기 제2방향에 대해 상기 전극의 일측, 그것의 다른측 및 그들 사이에 형성되는 제1,제2 및 제3영역(4,5,6)</ANY><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> <COMPONENT>p형 불순물영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 5 | <ANY>상기 분리영역의 다른 측 위에 형성되며 각각 상기 제2방향에 대해 상기 전극의 일측, 그것의 다른측 및 그들 사이에 형성되는 제4,제5 및 제6영역(7,9,8)</ANY><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> <COMPONENT>n형 불순물 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 6 | <ANY>및 상기 1쌍 전극의 일부분에 의해 형성되며, 그것의 각 단부에 형성되는 4리두부(11 내지 14)와 그것의 각 중앙부에 형성되는 2리드부(15,16)을 구비하는 6리드부,</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>마스터 칩(203)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 7 | <ANY>상기 마스터칩 위에 형성되며, 상기 배선채널 위에 위치되고 상기 4단부 리드부와 상기 p형 및 n형 불순물 영역에 전기적으로 접속되는 콘택트 호울</ANY><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> <COMPONENT>제1절연층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 8 | <ANY>상기 제1절연층 위에 형성되며, 상기 배선채널에 따라 형성되고 상기 콘택트 호울에 전기적으로 연결되는 고정배선</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제1배선층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 9 | <ANY>상기 제1배선층 위에 형성되며, 상기 배선채널 위에 위치되고 상기 고정 배선에 전기적으로 연결되는 스루호울</ANY> <RELATION_622736>을 구비되는</RELATION_622736> <COMPONENT>제2절연층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 1 | 10 | <ANY>및 상기 제2절연층 위에 형성되며, 소정회로의 요구조건에 따라 상기 배선채널을 따라 프로그램되고 상기 스루호울에 전기적으로 연결되는</ANY> <COMPONENT>배선</COMPONENT><RELATION_401492>을 구비하는 제2배선층으로 구성되는</RELATION_401492> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적회로장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 16 | 1 | <ANY>그 위에 배치되는 다수의 기본셀 어레이(206)을 구비하는 기본셀 영역(201), 및 상기 기본셀 영역의 주변을 따라 배치되 다수의 입력/출력셀(207)을 구비하는 입력/출력 셀 영역(202)</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>마스터 칩(203)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 16 | 2 | <ANY>소정위치에 콘택트호울을 구비하는 제1절연층을 통하여 상기 기본셀영역과 상기 입력/출력 셀 영역위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 배선층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 16 | 3 | <ANY>및 소정위치에 스루 호울을 구비하는 제2 절연층을 통하여 상기 제 1 배선층위에 형성되는 제2배선층을 구성하며, 상기 제1배선층은 상기 입력/출력 셀 영역에 대응하는 영역에 고정배선(la)을 포함하며, 그리고 상기 제2배선층은 상기 입력/출력 셀 영역에 대응하는 영역에 상기입력/출력 셀 영역에 인가되는 소정회로의 조건에 따라 프로그램되는</ANY> <COMPONENT>배선(lb)</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적회로장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 17 | 1 | <ANY>그 위에 배치되는 다수의 기본셀 어레이(206)를 구비하며 그들 사이에 일정한 간격을 두고 제1방향(y)을따라 뻗어 있는 기본셀 영역(201), 및 상기 기본셀 영역의 주변을 따라 배치된 다수의 입력/출력 셀(207)을 구비하는 입력/출력 셀 영역(202)</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>마스터 칩(203)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 17 | 2 | <ANY>소정위치에 콘택트호울을 구비하는 제1절연층을 통하여 상기 기본 셀영역과 상기 입력/출력 셀 영역위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1배선층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890005315 | 17 | 3 | <ANY>및 소정 위치에 스루호울을 구비하는 제2절연층을 통하여 상기제1배선층위에 형성되는</ANY> <COMPONENT>제2배선층</COMPONENT><RELATION_38>으로 구성되며</RELATION_38> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |