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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019900019824 | 3 | 5 | <RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>브리지형 파워 콘버터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 6 | 1 | <ANY>제1∼3항 중 어느 항</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 6 | 2 | <ANY>상기 직류선로들(p 및 n)중의 제1선로(p)와 상기 제1 및 제3스위칭소자(41a)의 제1단자와의 사이에 삽입되어 상기 제1 스위칭소자(41a)로 과전류가 흐르는 것</ANY><RELATION_109>을 방지하는</RELATION_109> <COMPONENT>제1과전류 방지수단(31a)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 6 | 3 | <ANY>및 상기 직류선로들(p 및 n)중의 제2선로(n)와 상기 제2 스위칭소자(54a)의 제2단자와의 사이에 삽입되어 상기 제2 스위칭소자(54a)로 과전류가 흐르는 것</ANY><RELATION_109>을 방지하는</RELATION_109> <COMPONENT>제2과전류 방지수단(32a)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 6 | 4 | <RELATION_69>를 더 포함하는</RELATION_69> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>브리지형 파워 콘버터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 1 | <ANY>제1단자 및 제2단자(애노드 및 캐소드)를 구비하고 낮은 도전저항을 갖으나, 한류특성(제6도)</ANY><RELATION_2582>을 갖지 않는</RELATION_2582> <COMPONENT>제1스위칭소자(5)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 2 | <ANY>제1단자 및 제2단자(콜렉터와 에미터)를 구비하고 실질적으로 정전류 특성(제2도)</ANY><RELATION_5>를 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제2스위칭소자(42)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 3 | <ANY>제1단자 및 제2단자(애노드 및 캐소드)를 구비하고 낮은 도전저항을 갖으나 한류특성(제6도)</ANY><RELATION_2582>을 갖지 않는</RELATION_2582> <COMPONENT>제3스위칭소자(53)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 4 | <ANY>제1단자 및 제2단자(콜렉터와 에미터)를 구비하고 실질적으로 정전류 특성(제2도)</ANY><RELATION_5>를 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제4스위칭소자(44)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 5 | <ANY>제1선로(p)와 제2선로(n)로 구성되고, 상기 제1선로(p)가 상기 제1 및 상기 제3스위칭소자들(51,53)의 제1단자들</ANY><RELATION_339105>에 연결되고 상기</RELATION_339105> <COMPONENT>제2선로(n)가 상기 제2 및 제4 스위칭소자들(42,44)의 제2단자들에 연결되어있는 한 쌍의 직류선로(p 및 n)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 6 | <ANY>제1노드 및 제2노드를 갖으며 그 중 하나가 상기 제1스위칭소자(51)의 제2단자와 상기 제2스위칭소자(41)의 제1단자에 연결되고 나머지 하나가 상기 제3스위칭소자(53)의 제2단자와 상기 제4스위칭소자(44)의 제1단자</ANY><RELATION_227>에 연결되어 있는</RELATION_227> <COMPONENT>부하회로(5)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 7 | <ANY>및 상기 제1-제4스위칭소자들(51,42,53,44)의 on/off 상태</ANY><RELATION_931>로 제어하는</RELATION_931> <COMPONENT>수단(8,9)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 1 | 8 | <RELATION_1491>로 구성되어 있는</RELATION_1491> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>브리지형 파워 콘버터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 4 | 1 | <ANY>제1∼3항 중 어느 항</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 4 | 2 | <ANY>상기 직류선로들(p 및 n)중의 제1선로(p)와 상기 제1 및 제3스위칭소자들(41a,41b)중의 제1단자와의 사이에 삽입되어 상기 제1 및 제3스위칭소자들(41a,41b)로 과전류가 흐르는 것</ANY><RELATION_109>을 방지하는</RELATION_109> <COMPONENT>제1과전류 방지수단(31a)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 4 | 3 | <ANY>및 상기 직류선로들(p 및 n)중의 제2선로(n)와 상기 제2 및 제4스위칭소자들(54a,54b)중의 제2단자와의 사이에 삽입되어 상기 제2 및 제4스위칭소자들(54a,54b)로 과전류가 흐르는 것</ANY><RELATION_109>을 방지하는</RELATION_109> <COMPONENT>제2과전류 방지수단(32a)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900019824 | 4 | 4 | <RELATION_69>을 더 포함하는</RELATION_69> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>브리지형 파워 콘버터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900020123 | 1 | 1 | <ANY>하나의 스위칭트랜지스터와 하나의 커패시터로 이루어진 복수의 메모리셀을 매트릭스 모양으로 반도체 기판에 구비한 고집적 반도체 메모리장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900020123 | 1 | 2 | <ANY>상기 커패시터는, 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스영역과 연결되고, 상기 각 메모리셀 영역내에 고립된 하부도전층, 상기 하부도전층상에 수직으로 형성되고 어느 한 방향으로 달리는 적어도 하나 이상의 수직도전벽 및 상기 하부 도전층과 상기 수집도전벽과는 일정공간을 유지하면서 소정두께로 이들을 덮고, 그의 양단이 상기 하부도전층의 양단과 각각 연결되어 물결모양의 구조</ANY><RELATION_403013>를 갖는 상부도전층으로 이루어진</RELATION_403013> <COMPONENT>스토리지 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019900020123 | 1 | 3 | <ANY>상기 스토리지전극의 표면</ANY><RELATION_348>에 도포되는</RELATION_348> <COMPONENT>유전체막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |