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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019960007918 | 1 | 3 | <ANY>상기 벨신호감지부로부터 인가된 논리레벨신호에 의해 송신으로 판단하고 시외지역번호에 해당하는 다이얼톤 신호가 송출되면 국선라인을 차단한 후 키입력된 가입전화기의 다이얼톤 신호를 일시적으로 저장하고 서어비스 업체의 고유코드를 출력한 후 저장된 다이얼톤 신호</ANY><RELATION_10>를 출력하는</RELATION_10> <COMPONENT>마이컴</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960007918 | 1 | 4 | <ANY>상기 마이컴에서 송신으로 판단하여 출력되는 제어신호</ANY><RELATION_87>에 의해</RELATION_87> <COMPONENT>국선선로를 개ㆍ폐로시키는 선로스위칭수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960007918 | 1 | 5 | <ANY>상기 선로스위칭수단에 의해 선로가 폐로됨과 동시에 가입전화기로부터 송출되는 다이얼톤 신호인 dtmf신호</ANY><RELATION_412651>를 디지털신호로 복조하여 마이컴에 인가하는</RELATION_412651> <COMPONENT>dtmf 감지부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960007918 | 1 | 6 | <ANY>상기 마이컴에서 출력된 서어비스업체 코드번호, 지역번호 그리고 가입자번호</ANY><RELATION_412649>를 dtmf신호로 변조시키는</RELATION_412649> <COMPONENT>dtmf변조기</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960007918 | 1 | 7 | <ANY>상기 dtmf변조기에서 출력된 신호</ANY><RELATION_141>를 증폭하는</RELATION_141> <COMPONENT>증폭부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960007918 | 1 | 8 | <ANY>상기 증폭부에서 증폭된 dtmf신호를 국선라인 2차측에 유기시켜</ANY> <COMPONENT>전화국</COMPONENT><RELATION_723>에 송출하는</RELATION_723> 매칭트랜스로 구성됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>dtmf 제어장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960008001 | 1 | 1 | <ANY>유리 인벨럽; 상기 인벨럽의 바깥쪽에서 부터 도입부를 통해 인벨럽의 안쪽으로 들어가고 인벨럽의 도입부</ANY><RELATION_412695>에 봉인된</RELATION_412695> <COMPONENT>한쌍의 도입관</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960008001 | 1 | 2 | <ANY>상기 인벨럽 안에 있는 도입관위</ANY><RELATION_412693>에 장치되어 있는</RELATION_412693> <COMPONENT>전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960008001 | 1 | 3 | <ANY>및 상기 인벨럽 안에 있는 전극과 도입부 사이에서 한쌍의 도입관위에서 그것</ANY><RELATION_1682>을 둘러싸고 있는</RELATION_1682> <COMPONENT>세라믹-유리 구슬</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960008001 | 1 | 4 | <RELATION_SEP>로 구성된</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>냉음극 초소형 형광 램프</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 5 | 1 | <ANY>반도체기판에 형성되고, 제1층의 도전층으로 이루어진 게이트와 상기 게이트의 양측에 형성된 소오스/드레인</ANY><RELATION_558>을 각각 구비하는</RELATION_558> <COMPONENT>제1, 제2구동 트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 5 | 2 | <ANY>제1층의 도전층으로 이루어진 게이트와, 상기 게이트의 양측에 형성되며, 그 일측이 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 드레인과 접속하는 소오스/드레인</ANY><RELATION_558>을 각각 구비하는</RELATION_558> <COMPONENT>제1 및 제2전송 트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 5 | 3 | <ANY>상기 제1 및 제2전송 트랜지스터의 소오스/드레인 상에 형성되며 제2층의 도전층</ANY><RELATION_19>으로 이루어진</RELATION_19> <COMPONENT>제1패드층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 5 | 4 | <ANY>및 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 소오스/드레인 상에 형성되며,제2층의 도전층으로 이루어진</ANY> <COMPONENT>제2패드층</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스태틱 랜덤 억세스 메모리장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 1 | 1 | <ANY>두 개의 전송 트랜지스터, 두 개의 구동 트랜지스터 및 두 개의 부소자가 플리플롭(flip flop) 형태로 연결되어 이루어진 메모리장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 1 | 2 | <ANY>제1 및 제2전송 트랜지스터의 소오스/드레인과 접속하고, 상부 도전층</ANY><RELATION_19>으로 이루어진</RELATION_19> <COMPONENT>제1 및 제2비트라인</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 1 | 3 | <ANY>및 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 소오스와 접속하고, 상기 비트라인과 동일 도전층에 형성된</ANY> <COMPONENT>접지라인(vss)</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스태틱 랜덤 억세스 메모리장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 10 | 1 | <ANY>두 개의 전송 트랜지스터, 두 개의 구동 트랜지스터 및 두 개의 부하소자가 플립플롭(filp flop) 형태로 연결되어 이루어진 메모리장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 10 | 2 | <ANY>반도체기판 상에, 제1층의 도전층</ANY><RELATION_4>으로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트전극들</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960010274 | 10 | 3 | <ANY>제2층의 도전층으로 형성되고, 상기 제1 및 제2전송 트랜지스터의 소오스 및 드레인 상에 형성된 제1패드층과, 상기 제1 및 제2구동터의 소오스 및 드레인 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2패드층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |