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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.

초기화 COMPONENT RELATION_* RELATION_SEP PATENT_ITEM
출원번호청구항순번청구항 텍스트 (XML)청구항 속성
1019990014887 1 4 <ANY>상기 스위칭 트랜지스터의 전류 소오싱 제어에 따라 상기 출력단으로 소오싱전류</ANY> <RELATION_622972>가 흐르게 하는</RELATION_622972> <COMPONENT>전류 소오싱블록과</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 5 <ANY>상기 스위칭 트랜지스터의 전류 싱킹 제어에 따라 상기 출력단으로부터 싱킹전류가 흐르게 하는</ANY> <COMPONENT>전류 싱킹 블록</COMPONENT><RELATION_38>으로 구성되며</RELATION_38> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 6 <COMPONENT>상기 전류 소오싱 블록이</COMPONENT>; 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 7 <ANY>상기 출력단에 연결되어 있고 상기 소오싱 전류가 흐르는 제1 패스에 적어도 3단이상의 캐스케이드 구조</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>출력저항용 p채널 트랜지스터</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 8 <ANY>상기 제1 p채널 트랜지스터가 낮은 동작전원에서 동작할 수 있도록 상기 출력저항용 p채널 트랜지스터의 각 게이트</ANY><RELATION_432497>에 필요한 바이어스를</RELATION_432497> <COMPONENT>걸어주는 바이어스용 p채널 트랜지스터</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 9 <ANY>일정 전류원이 상기 출력저항용 p채널 트랜지스터가 형성된 패스로 미러링되어 상기 소오싱 전류로 공급되게 하는</ANY> <COMPONENT>전류미러용 p채널 트랜지스터</COMPONENT><RELATION_431>로 구성하고</RELATION_431>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 10 <COMPONENT>상기 전류 싱킹 블록이</COMPONENT>; 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 11 <ANY>상기 출력단에 연결되어 있고 상기 싱킹 전류가 흐르는 제2 패스에 적어도 3단 이상의 캐스케이드 구조</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>출력저항용 n채널 트랜지스터</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 12 <ANY>상기 제1 n채널 트랜지스터가 낮은 동작전원에서 동작할 수 있도록 상기 출력저항용 n채널 트랜지스터의 각 게이트</ANY><RELATION_432497>에 필요한 바이어스를</RELATION_432497> <COMPONENT>걸어주는 바이어스용 n채널 트랜지스터</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1019990014887 1 13 <ANY>상기 일정 전류원이 상기 출력저항용 n채널 트랜지스터가 형성된 제2 패스로 미러링되어</ANY> <COMPONENT>상기 싱킹 전류</COMPONENT><RELATION_10188>로 공급되게 하는</RELATION_10188> 전류미러용 n채널 트랜지스터로 구성함<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전하구동펌프회로</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015845 7 1 <COMPONENT>단결정 실리콘기판상의 활성영역</COMPONENT>; 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015845 7 2 <ANY>상기 활성영역상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트채널</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015845 7 3 <ANY>상기 게이트채널의 양측</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>ldd 소스영역 및 ldd 드레인영역</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015845 7 4 <ANY>상기 소스영역 및 드레인영역을 적어도 부분적으로 덮고 있으며, 상기 게이트채널로부터 횡방향</ANY><RELATION_6432>으로 떨어져 배치된</RELATION_6432> <COMPONENT>살리사이드층</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015845 7 5 <ANY>상기 구조의 나머지의 부분</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>산화물층</COMPONENT>; 및 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015845 7 6 <ANY>상기 소스영역, 게이트채널 및</ANY> <COMPONENT>드레인영역</COMPONENT>에 접속된 전극<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP>, <PATENT_ITEM>esd 보호 살리사이드 소자</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015960 1 1 <ANY>히터를 이루는 벽체, 상기 벽체 내측 공간에 설치되는 석영 튜브, 상하로 움직이면서 외부에서 투입된 다수의 웨이퍼를 적재하여 상기 석영튜브 내부로 옮겨주는 웨이퍼 보트, 상기 웨이퍼 보트를 이동시키는데 사용되는 이동장치, 공정진행중 소오스 가스를 상기 튜브내로 투입할 수 있도록 외부에서 상기 튜브내로 설치되는 관형 노즐을 포함하는 가스 공급장치 및 상기 튜브의 가스를 배기라인으로 배출시키는 통로가 되는 배출구를 구비하여 이루어지는</ANY> <PATENT_ITEM>cvd용 로설비</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019990015960 1 2 <ANY>상기 배출구 부분에 가열수단을 설치하여 공정 배기중에 배기 가스의 온도를 파우더성 물질의 응결온도보다 높게 유지할 수 있도록 하는</ANY> <COMPONENT>것</COMPONENT><RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>cvd용 로설비</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1019990016725 1 1 <ANY>서로 대향하여 배치된 한쌍의 주면 및 상기 한쌍의 주면에 각각 배치되어 있는 한쌍의 전극을 가지고 있는 압전 공진자를 포함하고 있으며, 세로 진동모드로 진동하기</ANY><RELATION_1630>에 적합한</RELATION_1630> <COMPONENT>직렬 공진자들</COMPONENT>; 및 독립항-공개공보 가공데이터
1019990016725 1 2 <ANY>서로 대향하여 배치된 한쌍의 주면 및 상기 한쌍의 주면에 각각 배치되어 있는 한쌍의 전극을 가지고 있는 압전 공진자를 포함하고 있으며, 정방형 진동모드로 진동하기에 적합한 병렬 공진자들</ANY><RELATION_449>을 포함하고 있는</RELATION_449> <COMPONENT>사다리형 압전필터</COMPONENT>로서, 독립항-공개공보 가공데이터
9581–9600번째 행