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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019830001119 | 1 | 5 | <ANY>층의 3조의 각 층을 용착시키도록 이 안에 미리 선정된 반응가스 혼합물을 유입시키기 위해 용착 체임버의 3조의 각 체임버와 작동적</ANY><RELATION_1511>으로 연관된</RELATION_1511> <COMPONENT>장치</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 1 | 6 | <ANY>체임버의 선행하는 3조 각기의 제3체임버(32)중의 가스 혼합물과 인접하여 뒤따르는 체임버의 3조 각기의 제1체임버(28)중의 가스 혼합물</ANY><RELATION_397346>이 서로 오염되는</RELATION_397346> <COMPONENT>것을 방지하기 장치(40)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 1 | 7 | <ANY>체임버의 각 3조의 제2체임버중의 가스 혼합물과 체임버의 각 3조의 제1과 제3 체임버중의 가스혼합물을 격리시키기 위한 장치(58d, 58e, 58h, 58i)로 구성되어 3개의 비결정층으로 구성된 연속적인 3층 유니트를 가지는</ANY> <COMPONENT>다수의 직렬 광전지가 기질 재료위에 연속적</COMPONENT><RELATION_18547>으로 생산되는</RELATION_18547> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>직렬형비결정 광전지를 연속적으로 생산하기 위한 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 17 | 1 | <ANY>제16하</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 17 | 2 | <ANY>제1 용착체임버(28)의 음극(88b)의 길이가 약 30인치이고</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 17 | 3 | <ANY>제2 용착체임버(30)의 음극(88c, 88d) 길이가 약 100인치이며</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 17 | 4 | <ANY>제3(34) 및 제4(36) 용착체임버의 음극(88e-f) 길이가 약 12인치이며</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 17 | 5 | <ANY>제5 용착체임버(36)의 음극(88g) 길이가 약 30인치이며</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 17 | 6 | <ANY>제6 용착체임버(38)의 음극(88h) 길이가 약</ANY> <COMPONENT>12인치 인것</COMPONENT><RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 75 | 1 | <ANY>기질이 적어도 하나의 비어 있는 용착 체임버</ANY><RELATION_397360>를 통해 연속적으로 전진되고</RELATION_397360> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 75 | 2 | <ANY>상기 체임버가 기질 위에서 반도체층을 용착하기 위한</ANY> <COMPONENT>글로우 방전 장치</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하고</RELATION_1> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 75 | 3 | <ANY>글로우 방전장치가 연신된 음극판, 동조네트웍 및 발전기를 포함하는 계량된</ANY> <COMPONENT>글로우 방전, 조립체</COMPONENT><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001119 | 75 | 4 | <ANY>일정하고 효율이 높은 반도체층(16a-c,18a-c,20a-c)이 사용된 것 보다 더 낮은 전원과 신장된 단일 음극판와 함께 이용될 수 있는 것보다 더 간단한 동조 네트웍크로 용착될 수 있도록, 불연속 동조 네트웍(90a-h)과 그와 연결된 불역속 발전기(92a-h)를 갖는 다수의 축소된</ANY> <COMPONENT>불연속 음극판(88a-j)</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>계량된 글로우 방전 조립체</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 1 | 1 | <ANY>표면을 내장하는 장치를 제조하기 위한 석판 처리 방법은, 절연도료의 선택된 부분을</ANY><RELATION_397407>, 상기한 표면위에서, 에너지에 노출시키는</RELATION_397407> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 1 | 2 | <ANY>절연도료의 노출되지 않은 부분을 제거하기 위해 현상액으로 절연도료를 처리하는 단계를 구비하며, 상기 절연도료가 다수의 영역을 내장하며, 각각의 영역을 제1 또는 제2화학 성분을 가지며, 제1화학 성분을 가지는 영역은 제2화학 성분 사이에 있으며, 제2화학 성분을 가지는 영역의 측면길이는 절연도료의 두께보다 더 작다는 것과, 상기 현상액이 제1과 제2화학성분을 내장하며, 제1화학성분은 제1화학성분을 가지는 영역을 선택적으로 에칭하며,</ANY> <COMPONENT>제1화학 성분의 에칭율은 제2화학 성분화 에칭율</COMPONENT><RELATION_859>보다 더 크다는</RELATION_859> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 장치 제조를 위한 석판 처리공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 18 | 1 | <ANY>전의항중의 어느 한항에 의한 방법</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 18 | 2 | <ANY>은 성분을 함유하는 물질을 유지하는 칼코제나이드 유리를 내장하는</ANY> <COMPONENT>절연도료</COMPONENT><RELATION_397410>를 표면위에 침전하고</RELATION_397410> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 18 | 3 | <ANY>은성분을 함유하는 물질로부터의 응이동을 칼코제나이드 유리의 선택된 부분의 노출을 유도하고, 현상액내에 감소된 용해도의 은을 입힌</ANY> <COMPONENT>칼코제나이드 패턴</COMPONENT><RELATION_3699>을 정하고</RELATION_3699> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 18 | 4 | <ANY>칼코제나이드 유리 표면으로부터의 에너지에 의해 영향을 받지 않은 은성분을 함유하는</ANY> <COMPONENT>물질</COMPONENT><RELATION_397408>을 스트리핑하고</RELATION_397408> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019830001474 | 18 | 5 | <ANY>팬턴 절연도료를 만들도록 칼코제나이드 유리의 노출되지 않은 부분을 선택적으로 제거시키기 의한</ANY> <COMPONENT>현상액으로 칼코제나이드 유리의 처리</COMPONENT><RELATION_307>를 유도하는</RELATION_307> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 장치 제조를 위한 석판처리공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |