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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019860010804 | 1 | 6 | <ANY>f) 포토레지스트 마스크를 사용하는 사진평판에 의해 인접해 있는 구역 및 콜렉터 구역을 제외하고는 미래의 쌍극성 트랜지스터의 모든 구역에서 제1절연층</ANY><RELATION_85>을 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 7 | <ANY>g) 포토레지스크를 제거하는 단계― h) 사진평판기술을 이용하는 주입에 의해 기판에 배열되어 있는 기억캐패시터의 전극</ANY><RELATION_398825>을 도우핑하는</RELATION_398825> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 8 | <ANY>i) 폴리실리콘 및 금속규화물로 이루어진 p―도전층이나 폴리실리콘층 및 금속규화물층으로된 이중층</ANY><RELATION_398882>을 전체영역 위에 용착시키는</RELATION_398882> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 9 | <ANY>j) 전체영역 위에 제2절연층</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 10 | <ANY>k) 쌍극성 트랜지스터의 베이스구역과 기억캐패시터구역을 한정해 주는 수직측벽을 가지고 있는 구조를 만들기 위해 드라이―에칭을 사용해 기판의 표면이 드러나게 될 때까지 포토레지스트기술을 사용해서 p―도전층과 제2절연층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 11 | <ANY>l) mos―트랜지스터의 작동전압을 설정하기 위해 채널주입</ANY><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 12 | <ANY>m) 포토레지스트기술을 사용해서, 붕소주입에 의해 mos―트랜지스터에 능동베이스구역</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 13 | <ANY>n) p―도전층과 제2절연층으로 형성된 구조의 가장자리를 효율적으로 덮도록 전체영역 위에 제3절연층</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 14 | <ANY>o) p―도전층／제2절연층 구조의 측벽을 덮고 있는 제3절연층으로부터 측절연스트립을 만들고, mos―트랜지스터의 능동구역과 쌍극성 트랜지스터의 에미터구역 및 콜렉터구역에서 기판표면을 드러나게 하기 위해 비등방성 에칭</ANY><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 15 | <ANY>p) mos―트랜지스터에 대한 게이트 유전층으로서 제4절연층</ANY><RELATION_430>을 가하는</RELATION_430> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 16 | <ANY>q) 전체영역 위에 제1의 도우프되지 않은 폴리실리콘층</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 17 | <ANY>r) 포토레지스트 기술을 사용해, 쌍극성 트랜지스터의 에미터구역 및 콜렉터구역에서 기판표면을 드러내도록 제1폴리실리콘층과 제4절연층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 18 | <ANY>s) 사용된 포토레지스트마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 19 | <ANY>t) 제2폴리실리콘층</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 20 | <ANY>u) 포토레지스트 기술을 사용하여, mos―트랜지스터의 게이트 전극과 쌍극성 트랜지스터의 에미터 접촉부가 형성되도록 제1, 제2폴리실리콘층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 21 | <ANY>v) n―채널 mos―트랜지스터에 대한 소오스／드네인접속영역을 만들기 위해 인이온주입을 수행하고, 포토레지스트마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 22 | <ANY>w) 포토레지스트 마스크를 사용하여, n／채널트랜지스터의 소요소 및 드레인구역을 만들고 쌍극성 트랜지스터의 에미터구역 및 콜렉터구역을 도우핑하기 위해 비소이온주입</ANY><RELATION_75085>을 수행하는단계</RELATION_75085> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 23 | <ANY>x) 포토레지스트마스크를 사용하여, p―채널트랜지스터의 소오소 및 드레인구역을 만들기 위해 붕소이온주입</ANY><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 24 | <ANY>y) 절연산화물로 이루어진 중간절연층을 만들고, n―채널트랜지스터의 소오소 및 드레인구역과 쌍극성 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터 구역으로의 비소확산을 야기하고 p―채널트랜지스터의 소오소 및 드레인구역과 쌍극성 트랜지스터의 베이스접촉 구역으로의 붕소확산을 야기하기 위해 약 900℃에서 고온처리</ANY><RELATION_18>를 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 25 | <ANY>그리고, z) 중간층을 지나 능동트랜지스터 영역 p ＋ ― 및 n ＋ ―도전터미널에 대해 접촉틈을 열어주고, 금속화에 의해 상기 터미널접촉시켜 주는</ANY> <COMPONENT>단계</COMPONENT><RELATION_2480>로 이루어져 있는</RELATION_2480> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |