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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019860010803 | 2 | 17 | <ANY>p) 150nm 이하의 두께로 전표면위에 제1폴리실리콘층을 용착하고, 인으로 상기층</ANY><RELATION_398825>을 도우핑하는</RELATION_398825> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 18 | <ANY>q) 포토레지스트마스크를 사용하여, 실리콘기판의 표면이 에미터와 콜렉터구역에서 노출되어지는 방법으로 폴리실리콘층과 밑에있는 게이트 절연층을 구조화하고 포토레지스트 마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 19 | <ANY>r) 100 내지 300nm의 두께로 전표면위에 제2실리콘층</ANY><RELATION_13888>을 용착하는</RELATION_13888> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 20 | <ANY>s) 포토레지스트 마스크를 사용하여, mos 트랜지스터의 게이트전극과 쌍극성트랜지스터의 콜렉터 및 에미터 접촉구역을 만들기 위해 제1과 제2폴리실리콘층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 21 | <ANY>t) n채널 mos 트랜지스터의 소오스와 드레인 단자구역을 형성하기 위해 인이온을 주입하고, 단계 s)에서 구조화를 위해 사용했던 포토레지스트 마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 22 | <ANY>u) 포토레지스트 마스크를 사용하여, n채널트랜지스터의 소오스 및 드레인구역을 만들고 쌍극성 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터구역을 도우프하기 위해 비소이온</ANY><RELATION_659>을 주입하는</RELATION_659> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 23 | <ANY>v) 포토레지스트마스크를 사용하여, p채널 트랜지스터의 소오스 및 드레인 구역을 제조하기 위해 붕소이온</ANY><RELATION_659>을 주입하는</RELATION_659> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 24 | <ANY>w) 절연산화물층으로서 중간층</ANY><RELATION_262>을 제조하는</RELATION_262> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 25 | <ANY>x) n채널트랜지스터의 소오스 및 드레인 구역과 쌍극성 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터 구역에 비소를 확산시키고, p채널 트랜지스터의 소오스 및 드레인 구역과 쌍극성 트랜지스터의 베이스 접촉구역에 붕소를 확산시키기 위해 900℃에서 배열의 고온처리</ANY><RELATION_18>를 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 26 | <ANY>그리고y) 능동트랜지스터 구역의 p ＋ 및 n ＋ 도전터미널에 상기 중간층을 통해 접촉구멍을 열고, 상기단자를 접촉하기 위한 금속화</ANY><RELATION_18>를 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 27 | <RELATION_SEP>를 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 1 | 1 | <ANY>공유실리콘 기판위에 쌍극성 트랜지스터와 상보 mos (cmos) 트랜지스터의 동시제조를 위한</ANY> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM>, 이에 공지된 공정단계들이 n도우프 내지 p도우프된 지역의 제조를 위해 사용되고, 이중 폴리실리콘 기술이 사용되며, 공지된 공정단계들 n 이도우프된 지역에서 절연된형으로 배열된 npn―쌍극성 트랜지스터의 제조를 위해 사용되고 있으며, 그중 a) 쌍극성 트랜지스터의 베이스 터미널의 접촉을 돕는 폴리실리콘층의 제조에 앞서, cmos 트랜지스터의 능동구역은 베이스 접촉층구조를 형성하기 위한 폴리실리콘의 후속적인 구조화동안 부식중지층<RELATION_398859>으로 적합한 두께에서</RELATION_398859> <COMPONENT>보호 산화물층으로 덮혀지</COMPONENT>고 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 1 | 2 | <ANY>b) 폴리실리콘 혹은 폴리실리콘과 규화물의 이중층으로 이루어진 게이트 전극물질은 두단계로 가해지고, 인 도우핑이 제1단계후 수행되며, 이 첫 번째 도우핑층과 밑에 있는 게이트 산화물층이 제2단계에서 폴리실리콘의 적용에 앞서</ANY> <COMPONENT>쌍극성 트랜지스터 구역</COMPONENT><RELATION_4803>으로부터 제거되고</RELATION_4803> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 1 | 3 | <ANY>c) cmos―트랜지스터의 게이트전극과 쌍극성 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터 접촉부는 n채널 mos 트랜지스터의 얇게 도우프된 소오스 및 드레인 터미널구역을 제조하기 위해 이온주입마스크로 사용된 포토레지스트마스크를 사용하여 가해진</ANY> <COMPONENT>전극물질</COMPONENT><RELATION_398853>을 구조화함으로서 제조되는</RELATION_398853> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 17 | 1 | <ANY>제1항 내지 제16항중 어느 한항에 따른 공정에 의해 만들어진, 자기 정열된</ANY> <COMPONENT>쌍극성 트랜지스터와 상보 mos―트랜지스터</COMPONENT><RELATION_625153>를 가지고 있는 실리콘</RELATION_625153> 기판<RELATION_SEP>으로 이루어진</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>집적회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 1 | <ANY>p―채너트랜지터를 수용하기 위해 n―도우프된 영역이 p―도우프된 기판에 만들어져 있으며 절연된 npn―쌍극성 트랜지스터의 렉터를 형성하는 n―도우프된 영역에 도입되어 있는 공유 실리콘 기판 위에, 상보 mos(coms)―트랜지스터 및 자기 정열된 쌍극성 트랜지스터</ANY><RELATION_398893>를 동시제조하는</RELATION_398893> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM>은 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 2 | <ANY>a) 상기 p―도우프된 기판 위에 실리콘 산화물층과 실리청질화물층으로 이루어진 이중층을 가해서, 다음의 국부산화(locos)단계를 위해 실리콘질화물층</ANY><RELATION_398892>을 적절하게 구조화하는</RELATION_398892> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 3 | <ANY>b) 산화마스키로서 실리콘질화물 구조를 사용하는 국부산화에 의해 기판에서 능동트랜지스터영역 분리시키는데 필요한 필드산화물 구역을 만드는 단계. c) n―도우핑이온 및 p―도우핑이온을 주입하고 확산시킴으로써 기판에 n―도우프된 영역과 p―도우프된 영역</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 4 | <ANY>d) 질화물／산화물 마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010804 | 1 | 5 | <ANY>e) 에칭동안 미래의 게이트 구역에 대한 보호층으로 사용하고 기억캐패시터에 대한 유전층으로 사용하기 위해, 그리고 계속해서 가해지게될 p―도전층으로부터 붕소가 미래의 콜렉터구역에 인접해 있는 쌍극성 트랜지스터 구역으로 확산되는 것을 피하기 위해 기껏해야 50mm의 두께로 전체영역 위에 제1절연층</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |