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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019860010802 | 1 | 19 | <ANY>r) 전체표면 위에 붕소이온을 사용해 채널 주입</ANY><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 20 | <ANY>s) mos―트랜지스터의 각 게이트 전극</ANY><RELATION_398786>을 용착시키고, 도우핑시키며, 구조화하는</RELATION_398786> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 21 | <ANY>t) 절연 산화물층으로 사용되는 중간층을 만들고, 능동트랜지스터 구역의 p ＋ ― 및 n ＋ ―도전구조에 의해 형성된 터미널에 접촉구멍을 만들고, 상기 터미널의 접촉부에 대해</ANY> <COMPONENT>금속화</COMPONENT><RELATION_625151>를 수행하는 단계로 이루어져 있는</RELATION_625151> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 10 | 1 | <ANY>1항 내지 9항중 어느 한항에 따른</ANY> <COMPONENT>공정</COMPONENT><RELATION_1013>에 의해 제조된</RELATION_1013> 쌍극성 트랜지스터와 상보 mos 트랜지스터<RELATION_SEP>를 갖는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>집적된 회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 1 | <ANY>공유실리콘 기판위에 쌍극성 트랜지스터와 상보 mos 트랜지스터의 동시제조를 위한</ANY> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM>중, n도우프된 구역이 p채널트랜지스터를 공급하기 위한 p도우프된 실리콘 기판에서 형성되고, 절연된 npn 쌍극성 트랜지스터가 상기 n도우프된 구역에서 배열되고, n도우프된 구역은 쌍극성 트랜지스터의 콜렉터를 형성하고 그리고 깊게 도달된 콜렉터 터미널에 의해 쌍극성 트랜지스터에 연결된 매입 n ＋ 도우프된 구역<RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>공정</COMPONENT>이 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 2 | <ANY>a) 나머지 지역의 앞서 마스킹후 n도우핑 이온주입에 의해 p도우프된 기판에서 매입 n ＋ 도우프된 구역</ANY><RELATION_262>을 제조하는</RELATION_262> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 3 | <ANY>b) 전표면위에 p 혹은 n 도우프된 에피택셜층</ANY> <RELATION_622701>을 가하는</RELATION_622701> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 4 | <ANY>c) 실리콘 산화물과 실리콘 질화물층으로 구성된 이중층을 가하고, 후속되는 국부산화(locos) 단계를 위한 마스킹 구조를 형성하기 위해 포토레지스트층을 사용하여 실리콘 질화물층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 5 | <ANY>d) 산화 마스크를 형성하는 실리콘 질화물을 구조화하기 위해 사용된 포토레지스트 마스크의 제거후 국부산화에 의해 기판에서 능동트랜지스터 구역</ANY><RELATION_262>을 제조하는</RELATION_262> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 6 | <ANY>e) n도우핑 내지 p도우핑 이온주입에 의해 기판에서 n도우프된 구역과 p도우프된 구역을 만들고, n도우핑 이온의 확산 및 깊은 주입에 의해 쌍극성 트랜지스터의 깊게 도달하는 콜렉터구역을 위해 필요한 구역</ANY><RELATION_262>을 제조하는</RELATION_262> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 7 | <ANY>f) 질화물／산화물 마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 8 | <ANY>g) 베이스 접촉층구조를 형성하기 위해 후속적 구조화동안 부식중지층으로서 적당한 두께로 전표면위에 제1절연층</ANY><RELATION_262>을 제조하는</RELATION_262> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 9 | <ANY>h) 포토레지스트 마스크를 사용하여, 베이스구역과 에미터 구역으로 되어 있는 쌍극성 트랜지스터 구역에서 상기 제1절연층</ANY><RELATION_398838>을 부식하는</RELATION_398838> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 10 | <ANY>i) 포토레지스트마스크의 제거후, 전표면위에 폴리실리콘, 금속규화물 혹은 폴리실리콘과 금속규화물의 이중층으로 구성된 p + －도전층</ANY><RELATION_13888>을 용착하는</RELATION_13888> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 11 | <ANY>j) 전표면위에 제2절연층</ANY><RELATION_13888>을 용착하는</RELATION_13888> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 12 | <ANY>k) 포토레지스트 마스크를 사용하여, 기판표면이 노출될때까지 상기 p ＋ 도전층과 제2절연층을 구조화하고, 쌍극성 트랜지스터의 베이스구역을 한정하는 수직측벽으로 된 구조를 만들기 위해 드라이 에칭절차</ANY><RELATION_209>를 사용하는</RELATION_209> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 13 | <ANY>l) 포토레지스트층으로 나머지 구역의 마스크 수행후 붕소이온 주입에 의해 쌍극성 트랜지스터의 능동베이스구역</ANY><RELATION_262>을 제조하는</RELATION_262> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 14 | <ANY>m) 포토레지스트마스크의 제거후, 전표면위에 제2절연층과 p ＋ 도전층으로부터 형성된 구조를 위해 좋은 가장자리 덮개를 제공하는 제3절연층</ANY><RELATION_13888>을 용착하는</RELATION_13888> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 15 | <ANY>n) 쌍극성 트랜지스터의 콜렉터구역과 mos 트랜지스터의 능동구역에서 기판표면을 부식하고, p ＋ 도전층 구조의 측벽을 덮는 제3절연층으로부터 측벽절연스트립을 만들기 위한 비등방성 에칭</ANY><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010803 | 2 | 16 | <ANY>o) mos 트랜지스터를 위한 게이트 절연층</ANY><RELATION_430>을 가하는</RELATION_430> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |