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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019860010077 | 12 | 2 | <ANY>상기 포스트에 전기적으로 접착되어있는 한면과 상기링에 전기적으로 접착되어 있는 다른 한면을 가지고 있는 전류보호링의 내측벽과 전극 포스트 사이에배치</ANY>된 <COMPONENT>제1도전성 금속시이트와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010077 | 12 | 3 | <ANY>그리고, 상기 링의 외측벽에 전기적으로 접착되어 있는 금속박피시이트의 내측벽을 가지고 있는,</ANY> <COMPONENT>전류보호링의 외측벽</COMPONENT><RELATION_1682>을 둘러싸고 있는</RELATION_1682> 제2금속시이트로 이루어져있는 것<RELATION_SEP>을 특징으로하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>밧테리커버조립체</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 1 | <ANY>p―채널 트랜지스터를 수용하기 위해 n―도우프된 구역이 p―도우프된 시리콘 기판에 만들어져 있고, 절연된 npn―쌍극성 트랜지스터가 쌍극성 트랜지스터의 코렉터를 형성하는 n―도우프된 구역에 위치하고 있으며, n―도우프된 구역이 쌍극성 트랜지스터 구역에서 깊게 뻗어있는 콜렉터터미널에 의해 연결되어 있는 매입된 n ＋ ―도우프된 구역을 덮고 있는 공유실리콘 기판위에 쌍극성 트랜지스터 및 상보 mos(cmos)―트랜지스터</ANY><RELATION_398813>를 동시에 제조하기위한</RELATION_398813> <PATENT_ITEM>공정</PATENT_ITEM>이 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 2 | <ANY>a) 남아있는 구역의 앞선 마스킹후, n―도우핑이온을 주입함으로서 p―도우프된 기판에 매입된 n ＋ ―도우프된 구역</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 3 | <ANY>b) 전체표면 위에 p―도우프된 또는 n―도우프된 에피택셜층</ANY> <RELATION_622701>을 가하는</RELATION_622701> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 4 | <ANY>c) 실리콘 질화물층과 실리콘 산화물 층으로 이루어진 이중층을 가하고, 포토레지스트 마스크를 사용해 다음 국부산화(locos)단계를 위해 실리콘 질화물층</ANY><RELATION_398805>을 적적히 구조화하는</RELATION_398805> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 5 | <ANY>d) 단계 c)에서 사용된 포토레지스트 마스크를 제거한 후 산화마스크로서 실리콘 질화물 구조를 사용하는 국부산화에 의해 기판에 능동 트랜지스터 구역을 분리시키는데 필요한 필드 산화물구역</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 6 | <ANY>e) n― 및 p―도우핑 이온을 주입함으로써 기판에 n―도우프된 구역 및 p― 도우프된 구역을 만들고, n―도우핑 이온을 사용하는 깊은 주입 및 계속해서 일어나는 확산에 의해 쌍극성 트랜지스터의 깊게 뻗어 있는 콜렉터 터미널에 필요한 구역</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 7 | <ANY>f) 질화물/산화물 마스크</ANY><RELATION_85>를 제거하는</RELATION_85> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 8 | <ANY>g) 폴리실리콘 및 금속규화물로된 붕소 도우프된 층이나 폴리실리콘 및 금속규화물로 된 이중층</ANY><RELATION_398793>을 전체표면 위에 용착시키는</RELATION_398793> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 9 | <ANY>h) 전체표면 위에 제1절연층</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 10 | <ANY>i) 포토레지스트 기술을 사용해, 쌍극성 트랜지스터의 베이스 구역과 p―채널 트랜지스터의 소오스 및 드레인 구역을 한정해주는 수직 측벽을 가진 구조를 형성하기 위해 에칭되지 않은 영역에서 기판의 표면이 드러나게 될 때까지 드라이 에칭 절차로 붕소―도우프된 층 및 제1절연층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 11 | <ANY>j) 포토레지스트 기술을 사용해, 붕소이온 주입으로 상기 쌍극성 트랜지스터에 대한 능동 베이스구역</ANY><RELATION_740>을 만드는</RELATION_740> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 12 | <ANY>k) p ＋ ―도전층 및 제1절연층으로부터 구조의 가장자리에 대한 양호한 커터링을 제공하는 제2절연층</ANY><RELATION_398793>을 전체표면 위에 용착시키는</RELATION_398793> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 13 | <ANY>l) p ＋ ―도전층 구조의 측벽에서 제2절연층으로부터 측면절연스트립을 제공하기 위해 비등방성 에칭</ANY><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 14 | <ANY>m) 폴리시리콘 및 금속규화물로 된 n ＋ ―도전층이나 폴리실리콘 및 금속규화물로 된 이중층</ANY><RELATION_398792>을 전체표면위에 용착시키는</RELATION_398792> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 15 | <ANY>n) 포토레지스트 기술을 사용해, n―채널 트랜지스터의 소오스 및 드레인 터미널과 쌍극성 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터 터미널이 기판에 형성되도록 n ＋ ―도전층</ANY><RELATION_36459>을 구조화하는</RELATION_36459> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 16 | <ANY>o) 고온처리를 수행함으로서, 폴리실리콘이나 규화물이 없는 표면에는 도우핑에 따라 두께가 변화되는 산화물층이 제공되고, mos―트랜지스터의 소오스 및 드레인구역과 쌍극성 트랜지스터의 베이스 및 에미터구역이 p ＋ ― 및 n ＋ ―도전구조로부터의 확산</ANY><RELATION_301>에 의해 형성되는</RELATION_301> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 17 | <ANY>p) mos―트랜지스터의 게이트구역에서 산화물층을 에칭하는 단계(이 경우, p ＋ ― 및 n ＋ ―도전구조의 측벽에 자리잡고 있는 산화물 스트립의 두께는 mos―트랜지스터의 게이트 길이</ANY><RELATION_7015>에 따라 설정된다)</RELATION_7015> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019860010802 | 1 | 18 | <ANY>q) mos―트랜지스터의 게이트 산화물 층을 용착하는 단계(예를들면</ANY><RELATION_398789>, 적층 성장에 의해)</RELATION_398789> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |