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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1020000082654 | 20 | 3 | <ANY>상기 si 기판 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>mos형 트랜지스터</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 4 | <ANY>상기 si 기판 상에 형성되고 상기 mos형 트랜지스터와 접속</ANY> <COMPONENT>강유전성 캐패시터를</COMPONENT> <RELATION_622715>를 포함하고</RELATION_622715>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 5 | <COMPONENT>상기 강유전성 캐패시터는</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 6 | <ANY>ir 또는 rh를 함유하고 상기 si 기판 상에 에피택셜 성장한 금속막, 및 페로브스카이트 결정 구조를 갖고 상기 금속막 상에 에피택셜하게 성장한 도전성 산화막</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>하부 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 7 | <COMPONENT>상기 하부 전극 상에 에피택셜 성장한 페로브스카이트형 강유전성 박막</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 8 | <ANY>상기 강유전성 박막 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>상부 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 9 | <RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 13 | 1 | <PATENT_ITEM>강유전성</PATENT_ITEM> 캐패시터<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 13 | 2 | <COMPONENT>si 기판</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 13 | 3 | <ANY>화학식 msi 2 (여기서 m는 니켈, 코발트 및 망간으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종류의 천이 금속임)으로 표현되고 상기 si 기판 상에 에피택셜 성장한 실리사이드막, ir 또는 rh를 함유하고 상기 실리사이드막 상에 에피택셜 성장한 금속막, 및 페로브스카이트 결정 구조를 갖고 상기 금속막 상에 에피택셜 성장한 도전성 산화막</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>하부 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 13 | 4 | <COMPONENT>상기 하부 전극 상에 에피택셜 성장한 페로브스카이트형 강유전성 박막</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 13 | 5 | <ANY>상기 강유전성 박막 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>상부 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 13 | 6 | <RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>강유전성 캐패시터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 1 | <ANY>다수개의 auca로부터 소신호 무선 주파수를 각각 입력받아 그 소신호 무선 주파수의 신호레벨을 증폭한 후 feu로 각각 전송하는 리던던시가 가능한 신호레벨 증폭 장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 2 | <ANY>상기 각 섹터별 auca로부터 소신호 무선 주파수를 각각 입력받아 그 소신호 무선 주파수의 신호레벨을 증폭한 후 상기 feu로 전송하는 한편, 자신의 상태를 알리는 상태신호</ANY><RELATION_34>를 전송하는</RELATION_34> <COMPONENT>다수개의 lpa</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 3 | <ANY>상기 각 셀터별 lpa로부터 상태신호를 각각 입력받은 후 상기 임의의 lpa에 장애가 발생하면 제 1 제어신호를 전송하는 한편, 상기 임의의 lpa 리던던시 처리된 상태에서 또 다른 lpa에 장애가 발생하면 제 2 제어신호</ANY><RELATION_34>를 전송하는</RELATION_34> <COMPONENT>제어부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 4 | <ANY>장애가 발생한 lpa와 접속된 상기 auca로부터 소신호 무선 주파수를 입력받아 그 소신호 무선 주파수의 신호레벨을 보상한 후 상기 feu</ANY><RELATION_42>로 전송하는</RELATION_42> <COMPONENT>리던던시 처리부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 5 | <COMPONENT>상기 각 섹터별 auca와 상기 각 셀터별 lpa를 일대 일로 접속시키다가 상기 제어부로부터 제 1 제어신호를 입력받으면 해당 auca와 상기 리던던시 처리부를 접속시키는 제 1 스위치부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 6 | <ANY>상기 각 셀터별 lpa와 상기 각 섹터별 feu을 일대일로 접속시키다가 상기 제어부로부터 제 1 제어신호를 입력받으면 상기 리던던시 처리부와 해당 feu</ANY><RELATION_977>를 접속시키는</RELATION_977> <COMPONENT>제 2 스위치부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000084649 | 1 | 7 | <COMPONENT>상기 제 1 스위치부와 다수개의 lpa를 일대일로 접속시키다가 상기 제어부로부터 제 2 제어신호를 입력받으면 상기 제 1 스위치부와 상기 리던던시 처리부를 접속시키는 제 3 스위치부</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |