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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1020000082591 | 16 | 3 | <ANY>증착실을 포함하고, 상기 반입실 및 상기 반출실 및 상기 증착실이 직렬로 연결되며, 증착실에 길이방향을 가진 증착원 및 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구 및 기구의 상부 위에 형성된</ANY> <COMPONENT>전자석</COMPONENT><RELATION_131>을 갖춘</RELATION_131> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>막형성장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 1 | 1 | <ANY>길이방향</ANY><RELATION_15>을 가진</RELATION_15> <COMPONENT>증착원</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 1 | 2 | <ANY>증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한</ANY> <COMPONENT>기구</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>막형성장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 10 | 1 | <COMPONENT>반입실</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 10 | 2 | <ANY>반입실</ANY><RELATION_12>에 연결된</RELATION_12> <COMPONENT>반송실</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 10 | 3 | <ANY>반송실에 연결된 증착실을 포함하고, 증착실에 길이방향을 가진 증착원, 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한 기구, 및 기구의 상부위에 형성된</ANY> <COMPONENT>전자석</COMPONENT><RELATION_131>을 갖춘</RELATION_131> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>막형성장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 7 | 1 | <COMPONENT>반입실</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 7 | 2 | <ANY>반입실</ANY><RELATION_12>에 연결된</RELATION_12> <COMPONENT>반송실</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 7 | 3 | <ANY>반송실에 연결된 증착실을 포함하고, 증착실에 길이방향을 가진 증착원 및 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한</ANY> <COMPONENT>기구</COMPONENT><RELATION_131>를 갖춘</RELATION_131> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>막형성장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 13 | 1 | <COMPONENT>반입실</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 13 | 2 | <COMPONENT>반출실</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082591 | 13 | 3 | <ANY>증착실을 포함하고, 상기 반입실 및 상기 반출실 및 상기 증착실이 직렬로 연결되며, 증착실에 길이방향을 가진 증착원 및 증착원의 길이방향에 직각인 방향으로 증착원을 이동시키기 위한</ANY> <COMPONENT>기구</COMPONENT><RELATION_131>를 갖춘</RELATION_131> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>막형성장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 1 | 1 | <PATENT_ITEM>강유전성</PATENT_ITEM> 캐패시터<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 1 | 2 | <COMPONENT>si 기판</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 1 | 3 | <ANY>ir 또는 rh를 함유하고 상기 si 기판 상에 에피택셜 성장한 금속막, 및 페로브스카이트 결정 구조를 갖고 상기 금속막 상에 에피택셜 성장한 도전성 산화막</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>하부 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 1 | 4 | <COMPONENT>상기 하부 전극 상에 에피택셜 성장한 페로브스카이트형 강유전성 박막</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 1 | 5 | <ANY>상기 강유전성 박막 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>상부 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 1 | 6 | <RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>강유전성 캐패시터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 1 | <PATENT_ITEM>반도체 장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020000082654 | 20 | 2 | <COMPONENT>si 기판</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |