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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019870002898 | 37 | 2 | <ANY>스케일 값의 1내지 n 배 만큼 각각 확산된 출력</ANY><RELATION_240>을 발생하기 위한</RELATION_240> <COMPONENT>스케일 발생기와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002898 | 37 | 3 | <ANY>각각의 제1 입력에서 제1 내지 제 n의 스케일 발생기로 부터의 대응 출력</ANY><RELATION_11>을 수신하는</RELATION_11> <COMPONENT>제1 내지 제 n 의 가산기</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002898 | 37 | 4 | <ANY>상기 제 n의 가산기로부터의 출력을 홀드시켜 그 출력을 상기 제1 내지 제 n의 가산기의 각각의 제2 입력</ANY><RELATION_560>에 공급하기 위한</RELATION_560> <COMPONENT>레지스터</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002898 | 37 | 5 | <ANY>제2 내지 제n의 가산기로부터의 합과 각각의 제 2 내지 제(n-1)의 가산기의 합 사이의 불일치를 검출 하여 검출결과</ANY><RELATION_9>를 생성하는</RELATION_9> <COMPONENT>제1 내지 제(n-1)의 검출수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002898 | 37 | 6 | <ANY>n 비트의 단위로 입력된 영상 크기 변환 대상의 도트 패턴을 수신하여 상기 제1 가산기의 출력 및 상기 제1 내지 제(n-1)의 검출수단의 검출 결과에 응답하여 입력 도트 패턴과 n 비트 출력 도트 패턴 사이의 일치여부를 판단하기 위한</ANY> <COMPONENT>크기 변환 데이타 발생기</COMPONENT><RELATION_6>를 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>영상 크기 변환기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 1 | 1 | <ANY>제2도 전형의 제1 및 제2소자 영역에 형성된 상보형 mos 트랜지스터(c―mos)와 2중 확산형 mos 트랜지스터(c―mos)가 제1도전형 반도체 기판상에 형성되는</ANY> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 1 | 2 | <ANY>상보형 mos 트랜지스터용 제2도전형의 상기 제1소자 영역</ANY><RELATION_398470>에 형성된 제1도</RELATION_398470> <COMPONENT>전형의 제1웰확산층(34)과 제2도 전형의 제2웰 확산층(35)에 각각 n찬넬 mos 트랜지스터와 p찬넬 mos 트랜지스터에 형성되어져 있는 상보형 mos 트랜지스터</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 1 | 3 | <ANY>상기 2중확산형 mos 트랜지스터용 제2도전형의 상기 제2소자 영역영역에 형성된 제1도전형 웰 확산층(36)과 게이트전극(43)에 자기정입에 의해 접촉되게 제1도 전형의 챈널영역(45)이 형성되고, 상기 챈널영역(45)과 제2도전형의 소자영역에는 제2도전형 소오스와 드레인영역(45, 50)이 형성되어 있는</ANY> <COMPONENT>2중 확산형 mos 트랜지스터</COMPONENT><RELATION_27>로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 5 | 1 | <ANY>상보형 mos 트랜지스터와 2중확산형 mos 트랜지스터가 제1도전형 반도체기판상에 형성된</ANY> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 5 | 2 | <ANY>상기 반도체기판(57)</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>최소한 2개이상의 제1 및 제2요부(凹)</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 5 | 3 | <ANY>상기 제1 및 제2요부표면상</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>고농도 매립영역(60, 61)</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 5 | 4 | <ANY>상기 고농도 매립영역(60, 61)보다 낮은 불순물농도를 가지면서 상기 제1 및 제2요부</ANY><RELATION_9211>를 에워싸도록 형성되는</RELATION_9211> <COMPONENT>제2도 전형의 제1 및 제2소자영역(58, 59)</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 5 | 5 | <ANY>상기 제2도 전형의 제1소자영역(58)에 형성된 제1도전형의 제1웰확산층(34)과 제2도전형의 제2웰 확산층(35)에 각각 형성되는 n 챈널 mos 트랜지스터와 p 챈</ANY><RELATION_398473>널 mos 트랜지스터로 이루어진</RELATION_398473> <COMPONENT>상보형 mos 트랜지스터</COMPONENT> 및, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002911 | 5 | 6 | <ANY>제1도전형의 챈널영역(45a)이 게이트전극(43a)과 자기정합에 의해 형성된</ANY> <COMPONENT>2중 확산형 mos 트랜지스터</COMPONENT><RELATION_27>로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002924 | 16 | 1 | <ANY>회전자와, 회전자를 일정한 간격을 유지하여 원주적으로 에워싸는 고정자를 갖는 발전기용 배플</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002924 | 16 | 2 | <COMPONENT>상기 배플</COMPONENT>이, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002924 | 16 | 3 | <ANY>수직축을 구비하여 고정자와 회전자간의 공간내에 위치되어, 고정자가 회전자</ANY><RELATION_398528>를 원주적으로 에워싸도록 하는</RELATION_398528> <COMPONENT>오목판 부재</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002924 | 16 | 4 | <ANY>상기 고정자와 회전자로부터 일정한 간격을 유지한 상기 판부재</ANY><RELATION_398526>를 유지시키기 위하여 상기 판부재에</RELATION_398526> <COMPONENT>결합된 지지수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002924 | 16 | 5 | <ANY>상기 판부재에 결합되어, 가스가 상기 고정자와 접촉하도록 하기 위한</ANY> <COMPONENT>가요성 플랜지</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>발전기용 냉각 가스 유동 분리기 배플</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870002924 | 1 | 1 | <ANY>회전자와 사이에 갭영역을 형성하기 위하여 회전자와 일정한 간격을 유지하여 원주적으로 에워싸는 고정자를 가지되, 상기 고정자는 그 내부에 적어도 하나의 냉각, 가스통로를 포함하며 팬수단이 냉각가스 유출을 상기 갭영역의 축방향내로 유도시키기 위해 상기 회전자에 결합되는 발전기</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |