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| 문서유형 | doc_id | 제목 | 출처 | 분야 | 문장 | 주어 | 목적어 | 관계 | |
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| 특허 | A220517003835 | 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치 | 특허청 | 전기전자 | 게이트 구동부는 스캔펄스를 게이트 라인들에 순차적으로 공급하여 액정패널 상의 액정셀들을 순차적으로 구동한다. | 게이트 구동부 | 액정셀 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003835 | 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치 | 특허청 | 전기전자 | 이러한 구동회로에서 게이트 구동부는 쉬프트 레지스터를 이용하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동시키기 위한 스캔펄스를 발생한다. | 게이트 구동부 | 스캔펄스 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003835 | 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치 | 특허청 | 전기전자 | 즉, 제 3 및 제 7 트랜지스터는 한 프레임 중 하이 상태의 출력신호를 출력하는 기간을 제외한 기간 동안 바이어스 스트레스를 받게 된다. | 트랜지스터 | 바이어스 스트레스 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003835 | 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치 | 특허청 | 전기전자 | 즉, 게이트 전압에 따라 출력전류 특성이 왼쪽으로 쉬프트될 경우 동일한 전류를 출력하기 위해서는 게이트 전압을 감소시켜야 하는 문제점이 있다. | 전류 | 게이트 전압 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003835 | 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 액정 표시장치 | 특허청 | 전기전자 | 따라서, 일반적인 쉬프트 레지스터는 각 스테이지의 제 2 노드에 접속된 제 3 및 제 7 트랜지스터에 인가되는 바이어스 스트레스를 방지하여야만 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있으며, 회로의 오동작을 방지할 수 있다. | 쉬프트 레지스터 | 바이어스 스트레스 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003836 | 난연성 금속 피복포백 | 특허청 | 기계공학 | 근년, 가정, 오피스등 모든 분야에 전자기기가 급속히 보급됨에 수반하여, 다른 전자기기로부터 누쇄하는 전자파에 의해, 기기가 오작동을 일으킨다고 하는 전자파 장해가 문제가 되고 있다. | 전자기기 | 전자파 장해 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003836 | 난연성 금속 피복포백 | 특허청 | 기계공학 | 이 이유로서는, 금속 피막이 섬유의 용해에 의한 소화 작용을 방해할 뿐만 아니라, 섬유의 열전도성이 좋아져 연소를 조장 시키기 위해서라고 생각된다. | 금속 피막 | 소화 작용 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003836 | 난연성 금속 피복포백 | 특허청 | 기계공학 | 그렇지만, 방염조제로서 이용되는 안티몬 화합물은, 인체에 유독하기때문에 바람직하지 않다. | 방염조제 | 안티몬 화합물 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003836 | 난연성 금속 피복포백 | 특허청 | 기계공학 | 그 중에서도, 가공성 및 내구성을 고려하면 합성 섬유가 바람직하고, 폴리에스테르계 섬유가 보다 바람직하다. | 합성 섬유 | 폴리에스테르계 섬유 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003836 | 난연성 금속 피복포백 | 특허청 | 기계공학 | 우레탄 수지는, 난연성을 저해하기 어렵고, 한편, 감촉이 유연한 것으로부터, 본 발명에 대해 특히 바람직하게 이용된다. | 우레탄 수지 | 발명 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003836 | 난연성 금속 피복포백 | 특허청 | 기계공학 | 정련처리는 종래 공지 방법을 채용할 수 있어 특히 한정되지 않는다. | 정련처리 | 종래 공지 방법 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003840 | 방사선 손상에 대해 현저하게 개선된 안정성을 갖는 유리,이것의 제조 방법 및 그 이용 | 특허청 | 의약학 | 이는, 한편으로, 개별적인 투사 영역들의 보다 더 큰 이미징이 달성되고; 그러나, 다른 한편으로는 이미징될 구조들은 더욱더 작은 칫수로 이미징되고 높은 포인트에서 세밀한 정확도로 이미징되어야 한다는 것을 의미한다. | 투사 영역 | 이미징 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003840 | 방사선 손상에 대해 현저하게 개선된 안정성을 갖는 유리,이것의 제조 방법 및 그 이용 | 특허청 | 의약학 | 그러나, 광학 요소의 전체 발광 효율이 그로 인해 감소되었을 뿐만 아니라, 이러한 결합에 있어서 흡수된 방사선에 의해 상기 광학 요소의 매트릭스 속으로 증가하는 양의 에너지가 도입되었다. | 전체 발광 효율 | 에너지 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003840 | 방사선 손상에 대해 현저하게 개선된 안정성을 갖는 유리,이것의 제조 방법 및 그 이용 | 특허청 | 의약학 | 이러한 고밀도화는 상기 재료 매트릭스의 수축을 야기하고, 이는 또한 특히 굴절능과 같은 광학적 성질들의 변화로 귀결된다. | 고밀도화 | 광학적 성질 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003840 | 방사선 손상에 대해 현저하게 개선된 안정성을 갖는 유리,이것의 제조 방법 및 그 이용 | 특허청 | 의약학 | 광 투과율을 감소시키는 도입된 불순물들을 차폐시키는 다량의 불화물의 추가에 의해 우수한 광학적 특성들이 달성된다. | 불화물 | 광학적 특성 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003840 | 방사선 손상에 대해 현저하게 개선된 안정성을 갖는 유리,이것의 제조 방법 및 그 이용 | 특허청 | 의약학 | SF 유리들은 높은 함량의 납 산화물 및 추가적인 함량의 알카리 금속 산화물을 갖는 것을 특징으로 한다. | SF 유리 | 알카리 금속 산화물 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003840 | 방사선 손상에 대해 현저하게 개선된 안정성을 갖는 유리,이것의 제조 방법 및 그 이용 | 특허청 | 의약학 | 상기 SF 유리의 높은 납 비율은 다시 에너지의 직접적인 흡수에 의한 증가된 방사선 민감성으로 귀결된다. | 납 비율 | 방사선 민감성 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003842 | 티탄 화합물을 촉매로 사용하는 결정성 폴리에스테르의 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 현재 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함한 폴리에스테르 계열의 플라스틱은 기존의 섬유 및 필름 용도 외에, 다양한 적용 분야와 탄산 및 기타 음료시장의 성장, 그리고 유리용기의 대체나 재활용 측면의 유해성 플라스틱에 대한 대체 플라스틱으로 사용되므로 그 수요가 매년 10% 이상의 성장을 거듭하고 있다. | 폴리에스테르 계열의 플라스틱 | 대체 플라스틱 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003842 | 티탄 화합물을 촉매로 사용하는 결정성 폴리에스테르의 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 이와 같은 방식으로 생산된 폴리에스테르는 섬유용으로는 일반적으로 용융 상태에서 그대로 방사 및 연신 등의 추가 공정을 거쳐 제품이 되지만, 특히 PET의 경우 병 용도로 사용하기에는 물성이 부족하므로 일단 펠릿상태로 만든 후 결정화 공정 및 고상중합을 거쳐 원하는 물성을 갖게 된다. | 폴리에스테르 | 추가 공정 | isToBe | 가공데이터 |
| 특허 | A220517003842 | 티탄 화합물을 촉매로 사용하는 결정성 폴리에스테르의 제조방법 | 특허청 | 의약학 | 폴리에스테르 연구 초기부터 티탄 화합물이 매우 높은 촉매 활성이 있다는 사실이 널리 알려져 왔지만, 사용 방법이나 화합물의 선택, 중합 속도 제어나 제품의 물성 등에서 여러 가지 문제가 있어서 현재까지 실제 상업화 단계에 이른 경우는 많지 않았다. | 폴리에스테르 | 티탄 화합물 | isToBe | 가공데이터 |