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특허 A220623006484 뉴로스포라 크라사 유래 Ｌ-카르니틴 생합성 관련유전자를 포함하는 엔테로박테리아세 속 미생물 및 이를이용한 Ｌ-카르니틴의 제조방법 특허청 의약학 그러나, 데히드로카르니틴은 아주 불안정하고 아세토닐 트리메틸암모늄과 이산화탄소로 자발적으로 분해된다. 아세토닐 트리메틸암모늄 데히드로카르니틴 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623006484 뉴로스포라 크라사 유래 Ｌ-카르니틴 생합성 관련유전자를 포함하는 엔테로박테리아세 속 미생물 및 이를이용한 Ｌ-카르니틴의 제조방법 특허청 의약학 그러나, 데히드로카르니틴은 아주 불안정하고 아세토닐 트리메틸암모늄과 이산화탄소로 자발적으로 분해된다. 이산화탄소 데히드로카르니틴 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 반도체 소자 또는 전자 소자 등에 있어서는, 금속배선형성 기술로서 절연막 상에 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 도전체막이 증착된 후, 상기 도전체막이 통상의 포토리소그래피 공정 및 건식식각 공정을 통해 패터닝됨으로써 금속배선이 형성되는 기술이 확립되어 이 분야에서 널리 이용되고 있다. 포토리소그래피 공정 반도체 소자 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 반도체 소자 또는 전자 소자 등에 있어서는, 금속배선형성 기술로서 절연막 상에 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 도전체막이 증착된 후, 상기 도전체막이 통상의 포토리소그래피공정 및 건식식각공정을 통해 패터닝됨으로써 금속배선이 형성되는 기술이 확립되어 이 분야에서 널리 이용되고 있다. 건식식각공정 반도체 소자 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 이에 따라, 먼저 트렌치를 형성한 후 상기 트렌치가 매립되도록 금속배선을 형성하는 소위 '다마신' 공정이 사용되고 있다. 트렌치 다마신 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 현재 일반적으로 사용되는 공정으로는 싱글 다마신 공정과 듀얼 다마신 공정이 있다. 싱글 다마신 공정 다마신 공정 isPartOf 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 싱글 다마신 공정은 비아홀을 형성한 후 도전재료로 상기 비아홀을 매립하고 그 상부에 배선용 트렌치를 형성한 후 다시 배선재료로 상기 트렌치를 매립하여 금속배선을 형성하는 방법이다. 싱글 다마신 공정 비아홀 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 듀얼 다마신 공정은 비아홀과 배선용 트렌치를 형성한 후 배선재료를 동시에 비아홀과 배선용 트렌치를 매립하여 금속배선을 형성하는 방법이다. 듀얼 다마신 공정 배선용 트렌치 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 듀얼 다마신 공정은 비아홀과 배선용 트렌치를 형성한 후 배선재료를 동시에 비아홀과 배선용 트렌치를 매립하여 금속배선을 형성하는 방법이다. 듀얼 다마신 공정 비아홀 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006490 반도체 소자의 금속배선 형성방법 특허청 의약학 일반적인, 컨택 플러그 형성방법은 컨택홀내에 텅스텐을 매립한 후 CMP 방식으로 평탄화하는 과정으로 이루어진다. CMP 방식 컨택 플러그 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 예를 들면, 액정표시장치 등의 플랫 패널형의 화상표시장치는 유리가 적합한절연기판상에 성막한 반도체박막에 만든 화소회로나 구동회로를 가진다. 화상표시장치 화소회로 isPartOf 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 화소회로나 구동회로를 구성하는 구동소자로서는 박막트랜지스터가 많이 이용된다. 구동소자 박막트랜지스터 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 이 박막트랜지스터의 활성층으로서 최근에는 비정질반도체박막에 대신해 다결정반도체박막을 이용하는 것으로 고정밀로 고화질의 화상 표시를 얻을 수 있다. 박막트랜지스터의 활성층 다결정반도체박막 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 예를 들면, 액정표시장치 등의 플랫 패널형의 화상표시장치는 유리가 적합한절연기판상에 성막한 반도체박막에 만든 화소회로나 구동회로를 가진다. 화상표시장치 구동회로 isPartOf 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 이 박막트랜지스터의 활성층으로서 최근에는 비정질반도체박막에 대신해 다결정반도체박막을 이용하는 것으로 고정밀로 고화질의 화상 표시를 얻을 수 있다. 박막트랜지스터의 활성층 고화질 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 비정질실리콘반도체박막은 조사된 레이저광을 흡수하는 것에 의해 온도가 상승하여 녹는 것으로 온도가 저하한다. 비정질실리콘반도체박막 온도가 상승 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 실리콘반도체박막의 대입경화 기술의 다른 방법으로서 광강도분포를 제어하는 방법이 있다. 실리콘반도체박막 광강도분포 isCausedBy 가공데이터
특허 A220623006491 반도체박막의 개질방법, 개질한 반도체박막과 그 평가방법및 이 반도체박막으로 형성한 박막트랜지스터 및 이박막트랜지스터를 이용해 구성한 회로를 가지는화상표시장치 특허청 의약학 이러한 표면거칠기를 계측하는 공지기술로서는 원자간력현미경에 의한 평가방법이 있다. 표면거칠기를 계측 원자간력현미경 isUsedFor 가공데이터
특허 A220623006494 고전압 트랜지스터의 제조방법 특허청 의약학 본 발명은 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소자의 디자인 룰의 증가 없이 게이트 전극과 드리프트 영역의 중첩 크기를 크게 하는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 트랜지스터 게이트 전극 isPartOf 가공데이터
특허 A220623006494 고전압 트랜지스터의 제조방법 특허청 의약학 본 발명은 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소자의 디자인 룰의 증가 없이 게이트 전극과 드리프트 영역의 중첩 크기를 크게 하는 고전압 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 트랜지스터 드리프트 영역 isPartOf 가공데이터
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