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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019890003106 | 17 | 2 | <ANY>동공에 삽입하거나 분리할 수있고 쿠크탑틀이 지탱해주며 상부표면의 수평높이 아래에 바닥면이있어 여기에서부터 아래쪽으로 확장하는 형태의 팬으로서 4개의 측면과 한 개의 호올이있는 바닥면</ANY><RELATION_148>으로 된</RELATION_148> <COMPONENT>2차팬</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 17 | 3 | <ANY>2차팬의 바닥면 위에 설치된 지지선반</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>전기적 저항성 가열부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 17 | 4 | <ANY>4개의 측면과 공동을 형성하는 바닥면으로 이루어지고 2차팬이 지탱해 주는 1차팬이 물을 담는 수단을 갖고 있어 열원이 물을 가열시켜 증기를 생성하는 결과로 열원</ANY><RELATION_400633>과 열적교환(thermocommunication) 하는</RELATION_400633> <COMPONENT>1차팬의 바닥면</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 17 | 5 | <ANY>다수의 측면이 있고 1차팬에 의해 받쳐지며 물이 증기</ANY><RELATION_400615>를 생성함에 따라 데워지는</RELATION_400615> <COMPONENT>음식 지지용 용기</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 17 | 6 | <ANY>그리고 1차팬의 아래에 열이 모이는 것을 방지하기 위해 공기가 홀을 통해 1차팬의 주위를 따라 순환하도록</ANY> <COMPONENT>2차팬과 1차팬 사이</COMPONENT><RELATION_625318>에 만들어 놓은</RELATION_625318> 흡수단<RELATION_SEP>으로 이루어진</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>조리대 쿠크탑속의 음식 가열장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 25 | 1 | <ANY>동공이 있는 상부표면</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>조리대 쿠크탑</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 25 | 2 | <ANY>다수의 측면</ANY><RELATION_373>이 있는</RELATION_373> <COMPONENT>음식 지지용 용기</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 25 | 3 | <ANY>4개의 측면과 바닥면이 있고 공동을 형성하며 공동속의 높은 위치에서 음식지지 용기를 지지하는 수단</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>1차팬</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 25 | 4 | <ANY>4개의 측면과 공동을 형성하는 바닥면을 갖고 있고, 상부표면 아래에 위치한 2차팬의 바닥면에서 부터 아래쪽으로 확장하는 형태의 팬으로서 동공 (aperture)속에 배치되어 있고 쿠크탑에 의해 지탱받으며 측면이 1차팬을 지지하는 수단</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>2차팬</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 25 | 5 | <ANY>그리고 1차팬 속에 배치되어 있고 가열부가 열을 전달함으로써 2차팬이 데워지도록 하는 수단</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>2차팬</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003106 | 25 | 6 | <ANY>그리고 1차팬속에 배치되어 있고</ANY> <COMPONENT>가열부가 열</COMPONENT><RELATION_400636>을 전달함으로써 2차팬이 데워지도록 하는</RELATION_400636> 전기적 저항성 가열부<RELATION_SEP>를 갖는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>조리대 쿠크탑속의 음식 가열장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 7 | 1 | <ANY>반도체기판(101)과 ; 이 반도체기판(101)</ANY><RELATION_343794>에 매립형성된</RELATION_343794> <COMPONENT>절연층(102)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 7 | 2 | <ANY>매트릭스형상으로 배열되고 상기 절연층(102)위의 기판에 형성되어 가로와 세로방향으로 뻗은 도랑(106)</ANY><RELATION_1304>에 의해 분리되는</RELATION_1304> <COMPONENT>복수의 반도체주상돌기(105a~105d)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 7 | 3 | <ANY>이 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면내에 형성된 기억노드(103)와, 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면내에 형성된 기억노드(103)와, 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면상에 형성된 캐패시터절연막(108) 및, 이 캐패시터절연막(108)상에 캐패시터전극(109)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mos캐패시터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 7 | 4 | <ANY>상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 적어도 상부측면에 형성된 챈널영역과, 이 챈널영역을 사이에 두도록 상기 챈널영역의 상하에 설치된 소오스 및 드레인영역(116), 상기 챈널영역을 형성시키는 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 상부측면상에 형성된 게이트절연막(111) 및, 이 게이트절연막(111)상에 설치된 게이트전극(112a,112b)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 상부측면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mosfet</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 7 | 5 | <ANY>상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 상면에 접석된</ANY> <COMPONENT>비트선(117a,117b)</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다이나믹형 반도체기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 1 | 1 | <ANY>반도체기판(1)과; 매트릭스형상으로 배열되면서 상기 반도체기판(1)에 형성되어 가로와 세로방향으로 뻗은 도량(4)</ANY><RELATION_1304>에 의해 분리되는</RELATION_1304> <COMPONENT>복수의 반도체주상돌기(3a~3d)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 1 | 2 | <ANY>이 반도체주상돌기(3a~3d)의 하부측면내에 형성된 기억노드(6)와, 상기 반도체주상돌기(3a~3d)의 하부측면상에 형성된 캐패시터절연막(7) 및 이 캐패시터절연막(7)상에 형성된 캐패시터전극(8)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(3a~3d)의 하부측면</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>mos캐패시터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 1 | 3 | <ANY>상기 반도체주상돌기(3a~3d)의 적어도 상부측면에 형성된 챈널영역과, 이 챈널영역을 사이에 두도록 상기 챈널영역의 상하에 설치된 소오스 및 드레인영역(16), 상기 챈널영역을 형성시키는 상기 반도체주상돌기(3a~3d)의 상부측면상에 형성되 게이트절연막(11) 및, 이 게이트절연막(11)상에 설치된 게이트전극(12a,12b)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(3a~3d)의 상부측면</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>mosfet</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 1 | 4 | <ANY>상기 반도체 주상돌기(3a~3d)의 상단면에 자기정합적으로 접속되어 있고 상기 반도체주상돌기(3a~3d)의 상단면에 접속된</ANY> <COMPONENT>비트선(17a,17b)</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다이나믹형 반도체기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |