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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019890003190 | 14 | 1 | <ANY>반도체기판(201)과 ; 매트릭스형상으로 배열되면서 복수의 블록으로 나누어지고 상기 반도체기판(201)에 형성되어 가로와 세로방향으로 뻗은 도랑(206)</ANY><RELATION_1304>에 의해 분리되는</RELATION_1304> <COMPONENT>복수의 반도체주상돌기(205a~205f)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 14 | 2 | <ANY>이 반도체주상돌기(205a~205f)의 하부측면내에 형성된 기억노드(203)와, 상기 반도체주상돌기(205a~205f)의 하부측면상에 형성된 캐패시터절연막(208) 및, 이 캐패시터절연막(208)상에 형성된 캐패시터전극(209)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(205a~205f)의 하부측면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mos캐패시터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 14 | 3 | <ANY>상기 반도체주상돌기(205a~205f)의 적어도 상부측면에 형선된 챈널영역과, 이 챈널영역을 사이에 두도록 상기 챈널영역의 상하에 설치된 소오스 및 드레인영역(208), 상기 챈널영역을 형성시키는 상기 반도체주상돌기(205a~205f)의 상부측면에 형성된 게이트절연막(211) 및, 이 게이트절연막(211)상에 설치된 게이트전극(212)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(205a~205f)의 상부측면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> mosfet | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 14 | 4 | <ANY>상기 반도체주상돌기(205a~205f)의 상단면</ANY><RELATION_29>에 설치된</RELATION_29> <COMPONENT>비트선(217a,217b)</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 14 | 5 | <ANY>상부표면에 상기 mosfet의 상기 게이트절연막(211)보다 두꺼운 제1절연층(212)이 형성되고 이 제1절연층(212)상에 각 블록내 메모리셀의 상기 게이트전극(217a,217b)과 전기적으로 접속되는 워드선용 접속패드가 형성되며 각 블록마다 적어도 1개이상 설치된</ANY> <COMPONENT>접속용 반도체주상돌기(205aa~205cc)</COMPONENT><RELATION_27>로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다이나믹형 반도체기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 11 | 1 | <ANY>반도체기판(101)과; 이 반도체기판(101)</ANY><RELATION_343794>에 매립형성된</RELATION_343794> <COMPONENT>절연층(102)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 11 | 2 | <ANY>매트릭스형상으로 배열되고 상부와 하부로 이루어지면서 상부와 하부사이에 단차(107)가 형성되어 상기 절연층(102)상의 상기 기판에 형성되어 가로와 세로방향으로 뻗은 도랑(106)</ANY><RELATION_1304>에 의해 분리되는</RELATION_1304> <COMPONENT>복수의 반도체주상돌기(105a~105d)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 11 | 3 | <ANY>이 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면내에 형성된 기억노드(103)와, 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면상에 형성된 캐패시터절연막(108) 및, 이 캐패시터절연막(108)상에 형성된 캐패시터전극(109)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 하부측면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mos캐패시터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 11 | 4 | <ANY>상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 적어도 상부측면에 형성된 챈널영역과, 이 챈널영역을 사이에 두도록 상기 챈널영역의 상하에 설치된 소오스 및 드레인영역(116), 상기 챈널영역을 형성시키는 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 상부측면상에 형성된 게이트절연막(111) 및 이 게이트절연막(111)상에 설치된 게이트전극(112a,112b)으로 구성되어 상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 상부측면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mosfet</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003190 | 11 | 5 | <ANY>상기 반도체주상돌기(105a~105d)의 상면에 접속된</ANY> <COMPONENT>비트선(117a,117b)</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성된</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다이나믹형 반도체기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 1 | <ANY>접속된 광전자 비임에 의해 목적물 상에 소망하는 패턴을 전사하기위한 광전자 전사장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 2 | <ANY>광비임</ANY><RELATION_240>을 발생하기 위한</RELATION_240> <COMPONENT>광원수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 3 | <ANY>광원으로부터 광 비임에 의해 조사되도록 배치되며, 상기 소망하는 패턴에 따라 패턴되고 상기 광 방사에 의해 조사에 응답하여 광전자를 방사하는 재료를 갖춘 광전자 마스크</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>광전자 마스크 수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 4 | <ANY>상기 광전자 비임이 상기 목적물에 접속되도록 상기 접속된 광전자 비임을 형성하기 위해 광전자 마스크로부터 방사되는 광전자</ANY><RELATION_1258>를 접속하기 위한</RELATION_1258> <COMPONENT>접속수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 5 | <ANY>광전자 비임의 경로를 차단하도록 배치되어 광전자 비임의 광전자</ANY><RELATION_15180>를 가속시키기 위한</RELATION_15180> <COMPONENT>가속전극수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 6 | <ANY>상기 가속전극수단내에 형성되어 이를 통해 광전자 비임의 일부</ANY><RELATION_400960>를 통과시키기 위한 가늘고 긴</RELATION_400960> <COMPONENT>통로 수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 7 | <ANY>가늘고 긴 통로수단을 통과한 광전자 비임이 목적물에 접속되도록 상기 목적물</ANY><RELATION_400959>을 지지하기 위해 배치된</RELATION_400959> <COMPONENT>스테이지수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 8 | <ANY>및 광전자 마스크와 가속전극수단 사이에 가속전압을 인가하기 위한</ANY> <COMPONENT>전압원 수단</COMPONENT><RELATION_38>으로 구성되며</RELATION_38> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003672 | 1 | 9 | <ANY>상기 가속전극수단은 스테이지 수단의 전기 전위레벨과 동일한 전기전위 레벨로 유지되어 스테이지 수단위에 지지되는 목적물이 가속전극수단에 의해</ANY> <COMPONENT>상기 광전자 마스크로 부터 전기적</COMPONENT><RELATION_400957>으로 시일드 되는</RELATION_400957> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>광전자 전사장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890003939 | 5 | 1 | <ANY>광섬유 혼합애자</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |