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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019890020288 | 9 | 2 | <ANY>상기 페로브스키트화합물에 첨가된 유리질성분을 함유하고 있으며, 상기에서, 유리질 성분은 약 10-80wt%의 b 2 o 3 , 약 10-60wt%의 sio 2 , 약 2-20wt%의 al 2 o 3 , 약 2-20wt%의 bao 및 약 2-20wt%의 mgo의 구성으로 되어 있으며,</ANY> <COMPONENT>상기 구성의 전체량이 100wt%</COMPONENT><RELATION_221>가 되는</RELATION_221> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고유전율의 세라믹 조성물을 지닌 커패시터 소자(element)</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020288 | 23 | 1 | <ANY>주 성분으로 납</ANY><RELATION_12603>을 베이스로 한</RELATION_12603> <COMPONENT>페로브스키트 화합물</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020288 | 23 | 2 | <ANY>최소한 pbo, b 2 o 3 및 sio 2 를 갖는 다수의 비정질상을 함유하고 있으며,</ANY> <COMPONENT>상기에서 비정질상은 삼중점</COMPONENT><RELATION_4>에서 형성되는</RELATION_4> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고유전율 세라믹 조성물을 갖는 커패시터 소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020288 | 1 | 1 | <ANY>주 성분으로 납</ANY><RELATION_12603>을 베이스로 하는</RELATION_12603> <COMPONENT>페로브스키트화합물</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020288 | 1 | 2 | <ANY>상기 페로브스키트화합물에 첨가된 유리질성분을 함유하고 있으며, 상기에서, 유리질 성분은 약 10-80wt%의 b 2 o 3 , 약 10-60wt%의 sio 2 , 약 2-20wt%의 al 2 o 3 , 약 2-20wt%의 bao 및 약 2-20wt%의 mgo의 구성으로 되어 있으며,</ANY> <COMPONENT>상기구성의 전체량이 100wt%</COMPONENT><RELATION_221>가 되는</RELATION_221> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고유전율의 세라믹 조성물</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020674 | 9 | 1 | <ANY>광통신 시스템의 주요성분인 광수신기의 구성소자중 광검출기와 증폭회로를 단일칩 집적한 회로</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020674 | 9 | 2 | <ANY>반절연 inp기판(21), 상기 반절연 기판(21) 상에 형성된 n형 inp채널층(22)과, 상기 n형 채널층(22)상의 중앙에 형성된 ingaas흡수층(23)과, 상기 n형 채널층(22)상의 ingaas흡수층(23) 양옆에 증착된 n형 금속(26)과, 상기 ingaas흡수층(23)상에 형성된 p형 inp클래드층(24)과, 상기 p형 inp클래드층(24)상의 양측가장자리에 증착된 p형 금속(25)으로 구성되는 핀(pin) 광검출기. 상기 동일 반전연 기판(21)상에 형성된 n형 inp채널층(22′)과, 상기 n형 inp채널층(22′) 상의 중앙에 양측면이 언더컷트된 구조로 형성된 p형 inp클래드층(24′)과, 상기 p형 inp클래드층(24′) 상에 증착된 p형 금속(25′)과, 상기 n형 inp채널층(22′)상의 p형 inp클래드층(24′) 양옆 및 p형 금속(25′)에 증착된 n형 금속(26′)으로 구성되는 접합형 전rp과 트랜지스터, 상기 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코팅된</ANY> <COMPONENT>폴리마이드(polyimide)(27), 및 소자간 전기 배선</COMPONENT><RELATION_402617>을 위한 금속층(28)으로 이루어져</RELATION_402617> 동일기판상에 핀(pin) 광검출기 및 접합형 전계효과 트랜지스터가 집적됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>수신용 광전집적회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020674 | 14 | 1 | <ANY>광통신 시스팀의 주요부분인 광수신기의 구성소자중 광검출기와 증폭회로를 단일칩 집적한 회로</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020674 | 14 | 2 | <ANY>반절연 inp기판(41)과, 상기 반절연 기판 상에 형성된 n형 채널층(42)과, 저항성 접촉층(43), 저항성 접촉층(43) 상의 중앙에 형성된 광흡수층(44) 상기 저항성 접촉층(43)상의 광흡수층(44) 양옆에 증착된 n형 금속(47), 상기 흡수층(44)상에 형성된 클래드층(45), 및 상기 클래드층(45)상의 양측 가장자리에 증착된 p형 금속(46)으로 구성되는 핀(pin)광검출기, 상기 동일 반절연 기판(41)상에 형성된 채널층(42′), 저항형 접촉층(43′), 상기 저항성 접촉층(43′) 중앙을 선택 식각한 후 성장한 것으로 양 측면이 언더-컷트된 구조로 형성된 클래드층(45′), 상기 클래드층(45′)상에 증착된 p형 금속(46′), 상기 n형 inp(43′) 상의 클래드층(45′) 양 옆 및 p형 금속(46′)에 증착된 n형 금속(47′)으로 구성되는 접합형 전계효과 트랜지스터와, 상기 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코팅된</ANY> <COMPONENT>폴리마이드(polyimide)(48), 및 소자간 전기 배선</COMPONENT><RELATION_402622>을 위한 금속층(49)으로 이루어져</RELATION_402622> 동일 기판상에 핀(pin) 광검출기 및 접합형 전계효과 트랜지스터가 집적됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>수신용 광전집적회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020674 | 20 | 1 | <ANY>광수신기의 구성소자중 광검출기와 증폭회로를 단일칩 집적한 회로</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890020674 | 20 | 2 | <ANY>반전열 gaas기판(51), 상기 반절연 기판(51) 상에 형성된 gaalas채널층(52)과, 상기 gaalas채널층(52) 상의 중앙에 형성된 gaas 흡수층(53)과, 상기 gaalas채널층(52) 상의 gaas 흡수층(53 )양 옆에 증착된 n형 금속(56)과, 상기 gaas흡수층(53)상에 형성된 gaalas클래드층(54)과, 상기 gaalas클래드층(54) 상의 양측 가장자리에 증착된 p형 금속(55)으로 구성되는 핀(pin) 광검출기. 상기 동일 반절연 기판(51)상에 형성된 gaalas채널층(52′)과, 상기 gaasal채널층(51′) 상의 중앙에 양측면이 언더컷트된 구조로 형성된 gaalas채널층(54′)과, 상기 gaalas클래드층(54′) 상에 증착된 p형 금속(55′)과, 상기 gaalas채널층(52′) 상의 클래드층(54′) 양옆 및 p형 금속(55)에 증착된 n형 금속(56′)으로 구성되는 접합형 전계효과 트랜지스터, 상기 광검출기의 광흡수된 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코딩된</ANY> <COMPONENT>폴리마이드(polyimide)(57), 및 소자간 전기배선</COMPONENT><RELATION_402623>을 위한 금속층(58)으로 이루어져</RELATION_402623> 동일 기판 상에 핀(pin) 광검출기 및 접합형 전계효과 트랜지스터가 집적됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>단파장 수신용 광전집적회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700568 | 9 | 1 | <ANY>서로로부터 예정된 거리를 두고 배치되어 있는 적어도 두 관통-홀을 갖고 있는 전자 필터</ANY><RELATION_101>를 수용하는</RELATION_101> <COMPONENT>절연 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700568 | 9 | 2 | <ANY>제 1 단부에 용량성 리액턴스를 제공하기 위한 개방 부분과 연합 분포 인덕턴스를 갖고 있는 제 2 단부를 구성하는 베이스로서의 쇼트 회로 단부를 제공하기 위한 개방 부분과, 상기 베이스의 단부와 마주하는 단부에 있는 각각의 관통-홀 둘레에서 용량성 리액턴스를 갖고 있는 제 1 단부를 구성하는 개방 영역을 포함하고 있는 전송 라인으로 각각 형성되는 적어도 두 공진기를 형성하기 위해 각각의 관통-홀은 물론이고 모든 외부면에 걸쳐서 상기 절연 수단</ANY><RELATION_401946>에 일정하게 적용되는</RELATION_401946> <COMPONENT>전도 코팅 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700568 | 9 | 3 | <ANY>상기 베이스 내에서 상기 전도 코팅이 제거되어 상기 적어도 한 공진기의 인덕턴스가 전도 코팅 부분이 제거되기 전에 상기 적어도 한 공진기의 인덕턴스에 관하여 증가된 상기 베이스 가까이에 있는</ANY> <COMPONENT>전도 코팅의 일부</COMPONENT><RELATION_941>를 갖고 있는</RELATION_941> 상기 공진기 중 적어도 하나의 베이스<RELATION_SEP>로 이루어지는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전자 필터장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700568 | 16 | 1 | <ANY>서로로부터 예정된 거리를 두고 배치되어 있는 적어도 두 관통-홀을 갖고 있는 적어도 하나의 전자 필터</ANY><RELATION_101>를 수용하는</RELATION_101> <COMPONENT>절연 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700568 | 16 | 2 | <ANY>제 1 단부에 용량성 리액턴스를 제공하기 위한 개방 부분과 연합 분포 인덕턴스를 갖고 있는 제 2 단부를 구성하는 베이스로서의 쇼트 회로 단부를 제공하기 위한 개방 부분과, 상기 베이스의 단부와 마주하는 단부에 있는 각각의 관통-홀 둘레에서 용량성 리액턴스를 갖고 있는 제 1 단부를 구성하는 개방 영역을 포함하고 있는 전송 라인으로 각각 형성되어 적어도 두 공진기를 형성하기 위해 각각의 관통-홀은 물론이고 모든 외부면에 걸쳐서 상기 절연 수단</ANY><RELATION_401946>에 일정하게 적용되는</RELATION_401946> <COMPONENT>전도 코팅 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700568 | 16 | 3 | <ANY>상기 베이스 내에서 상기 전도 코팅이 제거되어 상기 적어도 한 공진기의 인덕턴스가 전도 코팅 부분이 제거되기 전에 상기 적어도 한 공진기의 인덕턴스에 관하여 증가된 상기 베이스 가까이에 있는</ANY> <COMPONENT>전도 코팅의 일부</COMPONENT><RELATION_941>를 갖고 있는</RELATION_941> 상기 공진기 중 적어도 하나의 베이스<RELATION_SEP>로 이루어지는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>투-웨이 라디오 내의 전자 필터장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700684 | 21 | 1 | <ANY>상기 항중 하나의 항</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700684 | 21 | 2 | <COMPONENT>이중나선부(1)는 전기모터</COMPONENT><RELATION_65277>에 의해 회전가능하게 구동되는</RELATION_65277> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>비 접촉식 선형 구동장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019890700786 | 1 | 1 | <ANY>절연성 물질로 성형되고, 전방 개구를 구비하고 전도성 물질로 성형되어 그 속에 고정된 수 접촉 부재를 포함하는 리셉터클과, 절연성 물질로 성형되고 리셉터클에 이끌어져 수납되도록 되어 그 속에 부분적으로 끼워지고 전방 개구를 구비하며, 전도성 물질로 성형되어 고정된 암 접촉 부재를 포함하는 플러그로 구성되는 콘넥터</ANY> <PATENT_ITEM>어셈블리</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |