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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019910019531 | 11 | 2 | <ANY>상기 제1세트의 스토크스 편이파에 응답하여 제2세트의 스토크스 편이파</ANY><RELATION_403608>를 발생시키는 제2라만 셀</RELATION_403608> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019531 | 11 | 3 | <ANY>상기 제1라만 셀 수단과 상기 제2라만 셀 수단 사이에 배치되어 상기 제1세트의 스토크스 편이파를 제1편광상태 또는 제1편광 상태와 상이한 제2편공 상태로 상기 제2라만셀 수단</ANY><RELATION_403597>으로 전파시키는</RELATION_403597> <COMPONENT>편광 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019531 | 11 | 4 | <ANY>상기 제2라만 셀 수단이 상기 제1세트의 스토크스 편이파를 수신하는 동안이 기설정 시저에서 상기 편광 수단을 상기 제1 및 제2편광 상태 사이에서 선택적으로 절환되게 하여, 시간에 따라 파장 분포가 변화하는</ANY> <COMPONENT>복수의 스토크스 편이파</COMPONENT><RELATION_35>를 발생시키는</RELATION_35> 제어 수단<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>라만 변환기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 1 | <ANY>제1정의를 갖는 비데오 신호가 제2 및 하위 정의를 갖는 호환성 방식으로 감소된 데이타 속도로 송신 및/또는 기록되며, 송신 및/또는 기록의 상이한 모드가 사용되고, 상기 모드는 원리</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 2 | <ANY>상기 비데오 신호의 화면내용 또는 화면 내용의 일부의 속도로부터 얻어지고, 상기 비데오 신호는 휘도 및 색 필셀에 의하여 기술되는, 비데오 신호 송신 및/또는 기록시스템내에 사용하기위한 호환성 개선장치에 있어서, -상기 비데오 신호의 필드 주파수의 1/4의 범위에서 상기 비데오 신호의 시간 휘도 및/또는 색 주파수</ANY><RELATION_1470>를 억제하기 위한</RELATION_1470> <COMPONENT>제1수단, 즉, 시간필터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 3 | <ANY>-상기 필드 주파수의 1/2의 범위에서 상기 비데오 신호의 수직 및/또는 수평 휘도 주파수</ANY><RELATION_1470>를 억제하기 위한</RELATION_1470> <COMPONENT>제2수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 4 | <ANY>-상기 비데오 신호의 프레임내에서 휘도 픽셀의 수직 저역 통과 필터링</ANY><RELATION_28>을 위한</RELATION_28> <COMPONENT>제3수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 5 | <ANY>-휘도 픽셀의 비선형 및 운동 적응 보간</ANY><RELATION_28>을 위한</RELATION_28> <COMPONENT>제4수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 6 | <ANY>-색 픽셀의 보간과 수직 및/또는 시간 재배열</ANY><RELATION_28>을 위한</RELATION_28> <COMPONENT>제5수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910019660 | 1 | 7 | <ANY>가운데 하나 또는 그 이상의 수단을 포함하며, 상기 비데오 신호를 상기 제2정의로 디코딩할때 사용되고, 상기 송신 및/ 또는 기록이전에 보간되지않은</ANY> <COMPONENT>픽셀</COMPONENT>만<RELATION_1880>이 사용되는</RELATION_1880> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>호환성 개선장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 1 | 1 | <ANY>제1메모리셀, 상기 제1메모리셀과 우측으로 대칭되게 형성되는 제2메모리셀, 상기 제2메모리셀과 하측으로 대칭되게 형성되는 제3메모리셀, 및 상기 제3메모리셀과 좌측으로 대칭되게 형성되는 제4메모리셀을 하나의 블록으로 했을 때, 상기 블럭들이 반도체기판 전체에 걸쳐 매트릭스 모양으로 형성되어 셀어레이를 형성하는</ANY> <PATENT_ITEM>반도체 메모리장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 1 | 2 | <ANY>각 메모리셀내의 상, 하측에 각각 하나씩 형성되어 횡방향으로 이웃하는 메모리셀들로 연장되며, 셀어레이의 임의부분에서 상기 상, 하측이 연결되는 모양</ANY><RELATION_4>으로 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>워드라인</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 1 | 3 | <ANY>각 메모리셀의 중앙부에 위치하며 횡방향으로 이웃하는 메모리셀들과 연결되는 모양</ANY><RELATION_4>으로 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1일정전원선</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 1 | 4 | <ANY>상기 제1일정전원선과 평행하는 모양으로 형성된 제2일정전원선 및 각 메모리셀내의 좌, 우측에 각각 하나씩 형성되어 종방향으로 이웃하는 메모리셀들로 연장되는 모양으로 형성되는</ANY> <COMPONENT>비트라인</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성되는</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 메모리장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 1 | <ANY>반도체기판 ; 상기 반도체기판에 형성되고 그 내부에는 소정모양의 불순물 확산영역들</ANY><RELATION_134>이 형성되어 있는</RELATION_134> <COMPONENT>활성영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 2 | <ANY>제1의 도전층에 형성되며 제1전송트랜지스터의 게이트로 이용되는 제1워드라인, 제2전송 트랜지스터의 게이트로 이용되는 제2워드라인, 및 상기 제1 및 제2전송트랜지스터의 한쪽 불순물확산영역을 각각 공유하며 상기 제1 및 제2전송트랜지스터 각각에 대해 셀 내측</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 및 제2구동트랜지스터의 게이트</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 3 | <ANY>상기 제1의 도전층이 형성되어 있는 기판전면에 형성되며 상기 불순물확산영역들</ANY><RELATION_15095>을 부분적으로 노출시킨</RELATION_15095> <COMPONENT>제1의 절연층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 4 | <ANY>상기 제1의 절연층에 형성되며 상기 제1구동트랜지스터의 게이트사이에 형성되는 제1콘택홀 상기 제1워드라인과 제1구동트랜지스터의 게이트사이에 형성되는 제2콘택홀 상기 제2워드라인과 제2구동트랜지스터의 게이트 사이에 형성되는 제3콘택홀, 제1워드라인의 일측에 형성되는 제4콘택홀, 및 제2워드라인의 일측</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제5콘택홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 5 | <ANY>제2의 도전층에 형성되며, 상기 제1콘택홀을 채우면서 셀 중앙을 가로지르는 제1일정전원선, 상기 제2콘택홀을 채우는 형태로 형성된 제1패드, 상기 제3콘택홀을 채우는 형태로 형성된 제2패드, 상기 제4콘택홀을 채우는 형태로 형성된 제3패드, 및 상기 제5콘택홀</ANY><RELATION_93227>을 채우는 형태로 형성된</RELATION_93227> <COMPONENT>제4패드</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 6 | <ANY>상기 제2의 도전층이 형성되어 있는 기판 전면에 형성되며, 상기 제1의 도전층 및 제2의 도전층</ANY><RELATION_15095>을 부분적으로 노출시킨</RELATION_15095> <COMPONENT>제2의 절연층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |