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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019910020526 | 25 | 7 | <ANY>상기 제2의 절연층에 형성되며, 상기 제1패드를 부분적으로 노출시키는 제6콘택홀, 상기 제2패드를 부분적으로 노출시키는 제7콘택홀, 상기 제1구동트랜지스터의 게이트를 부분적으로 노출시키는 제8콘택홀, 및 상기 제2구동트랜지스터의 게이트</ANY><RELATION_15095>를 부분적으로 노출시키는</RELATION_15095> <COMPONENT>제9콘택홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 8 | <ANY>제3의 도전층에 형성되며, 상기 제6콘택홀과 제9콘택홀을 연결하는 제1노드, 및 상기 제7콘택홀과 제8콘택홀</ANY><RELATION_74>을 연결하는</RELATION_74> <COMPONENT>제2노드</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 9 | <ANY>상기 제3의 도전층이 형성되어 있는 기판 전면에 형성되며, 상기 제3의 도전층</ANY><RELATION_15095>을 부분적으로 노출시킨</RELATION_15095> <COMPONENT>제3의 절연층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 10 | <ANY>상기 제3의 절연층에 형성되며, 상기 제1노드를 부분적으로 노출시키는 제10콘택홀, 및 상기 제2노드</ANY><RELATION_15095>를 부분적으로 노출시키는</RELATION_15095> <COMPONENT>제11콘택홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 11 | <ANY>제4의 도전층에 형성되며, 셀 중앙부를 가로지르는 모양으로 형성된 제2일정전원선, 한쪽은 상기 제2일정전원선과 연결되고 다른 한쪽은 상기 제10콘택홀을 채우는 형태로 형성된 제2저항소자, 및 한쪽은 상기 제2일정전원선과 연결되고 다른 한쪽은 상기 제11콘택홀</ANY><RELATION_93227>을 채우는 형태로 형성된</RELATION_93227> <COMPONENT>제1저항소자</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 12 | <ANY>상기 제4의 도전층이 형성되어 있는 기판 전면에 형성되며, 상기 제2의 도전층</ANY><RELATION_15095>을 부분적으로 노출시킨</RELATION_15095> <COMPONENT>제4의 절연층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 13 | <ANY>상기 제4의 절연층에 형성되며, 상기 제3패드를 부분적으로 노출시키는 제12콘택홀, 및 상기 제4패드</ANY><RELATION_15095>를 부분적으로 노출시키는</RELATION_15095> <COMPONENT>제13콘택홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 25 | 14 | <ANY>및 제5의 도전층에 형성되며, 상기 제12콘택홀을 채우며 상기 워드라인들에 대해 수직으로 배치된 제1비트라인, 및 상기 제13콘택홀을 채우며 상기 워드라인들에 대해 수직으로 배치된</ANY> <COMPONENT>제2비트라인</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성되는</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 메모리장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 1 | <ANY>그 게이트는 제1워드라인과 접속하고, 그 드레인은 제1비트라인</ANY><RELATION_626>과 접속하는</RELATION_626> <COMPONENT>nmos 제1전송트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 2 | <ANY>그 게이트는 제2워드라인과 접속하고, 그 드레인은 제2비트라인</ANY><RELATION_626>과 접속하는</RELATION_626> <COMPONENT>nmos 제2전송트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 3 | <ANY>상기 제1전송트랜지스터의 소오스와 그 드레인이 접속하고, 그 소오스는 제1일정전원선(vss)과 연결되며, 그 게이트는 상기 제2전송트랜지스터의 소오스</ANY><RELATION_626>와 접속하는</RELATION_626> <COMPONENT>nmos 제1구동트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 4 | <ANY>상기 제2전송트랜지스터의 소오스와 그 드레인이 접속하고, 그 소오스는 상기 제1일정전원선(vss)과 연결되며, 그 게이트는 상기 제1전송트랜지스터의 소오스</ANY><RELATION_626>와 접속하는</RELATION_626> <COMPONENT>nmos 제2구동트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 5 | <ANY>그 한쪽은 상기 제1구동트랜지스터의 드레인과 접속하고, 그 다른 한쪽은 제2일정전원선(vcc)</ANY><RELATION_626>와 접속하는</RELATION_626> <COMPONENT>제1저항소자</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 6 | <ANY>및 그 한쪽은 상기 제2구동트랜지스터의 드레인과 접속하고, 그 다른 한쪽은 제2일정전원선(vcc)와 접속하는 제2저항소자로 구성된</ANY> <COMPONENT>메모리셀</COMPONENT><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020526 | 16 | 7 | <ANY>제1의 도전층에는 두개의 워드라인 및 두개의 구동트랜지스터의 게이트가 배치되고, 제2의 도전층에는 제1일정전원선이 배치되며, 제3의 도전층에는 제1노드 및 제2노드가 배치되며, 제4의 도전층에는 제2일정전원선, 제1저항소자 및 제2저항소자가 배치되며,</ANY> <COMPONENT>제5의 도전층에는 두개의 비트라인</COMPONENT><RELATION_174>이 배치되는</RELATION_174> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 메모리장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020885 | 12 | 1 | <ANY>부도체로 된 본체내에 캡슐화된 다수의 입/출력 노드들과, 상기 부도체로 된 본체위에 장착되어 그 밖으로 돌출하는 다수의 커넥터 리이드들과, 상기 부도체로 된 본체내에 캡슐화되어 상기 입/출력 노드들을 상기 커넥터 리이드들에 전기 접속시키는 다수의 전도성 핑거 리이드들로 이루어진 핑거 리이드 조립체와를 포함하는 회로 소자를 갖는 형태의</ANY> <PATENT_ITEM>전자회로 패키지</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020885 | 12 | 2 | <ANY>상기 다수의 전도성 핑거 리이드들의 내단부들은 상호연결 영역 둘레</ANY><RELATION_3072>에 이격되어 있고</RELATION_3072> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020885 | 12 | 3 | <ANY>상기 전도성 핑거 리이들중의 하나는 상기 상호연결 영역을 가로지르는 베이스 지지판을 갖는 제1 극성의 핑거 리이드를 구성하고 상기 전도성 핑거 리이드들중의 다른 하나는 그</ANY> <COMPONENT>반대 극성의 핑거리이드</COMPONENT><RELATION_198>를 구성하며</RELATION_198> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020885 | 12 | 4 | <ANY>상기 제1극성 핑거 리이드에 장착되어 전기 접속되는 하나의 리이드와 상기 반대 극성 핑거 리이드에 장착되어 전기 접속되는 다른 하나의 리이드인, 양극 및 음극 전력 리이드들을 갖는</ANY> <COMPONENT>배터리</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하고</RELATION_1> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910020885 | 12 | 5 | <ANY>상기 회로 소자는 핑거 리이드 조립체의 한쪽면에서 상기 기판상에 장착되며, 상기 배터리는 핑거 리이드</ANY> <COMPONENT>조립체의 반대면상에서 상기 부도체</COMPONENT><RELATION_148>로 된</RELATION_148> 본체내에 캡슐화됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전자회로 패키지</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |