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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019910021483 | 3 | 2 | <ANY>메모리 경로 레지스터(334)가 m(mn)선행 비트의 기억깊이</ANY><RELATION_25>를 가지며</RELATION_25>, <COMPONENT>순시 1에서 최소 ""</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021483 | 3 | 3 | <ANY>0"";- 경로의 전체 확률 파라메타가 회소 "";1"";-경로의 전체 확률 파라메터 보다 작으면 비트 bi-n(n′＜n≤m)</ANY><RELATION_59>에 대한</RELATION_59> <COMPONENT>최소 ""</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021483 | 3 | 4 | <ANY>0"";-경로로부터 산정치(bi-n)</ANY><RELATION_404348>를 택하고, 그렇지 않으면</RELATION_404348> <COMPONENT>최소 ""</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021483 | 3 | 5 | <ANY>1"";-경로로부터 산정치를 택하며, 확실성 정보를 n-n′시간 간격만큼 지연시킬 때 비트(bi-n′)에 할당된 산정치의 신뢰성 정보에 산정치(</ANY> <COMPONENT>-n)</COMPONENT><RELATION_404347>가 적절히 할당되는</RELATION_404347> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>디지탈 전송 시스템용 수신기."</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021483 | 7 | 1 | <ANY>"제1내지 6항중 어느 한 항</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021483 | 7 | 2 | <COMPONENT>""</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021483 | 7 | 3 | <ANY>0"";-경로의 전체 미터는 "";1"";-경로의 전체 미터에서 감해지며, 차의 부호는 산정치를 나타내고 절대차 값은 이산정치에 할당되어진</ANY> <COMPONENT>확실성 정보</COMPONENT><RELATION_99>를 나타내는</RELATION_99> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>디지탈 전송 시스템용 수신기."</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021959 | 1 | 1 | <ANY>축전지로 동작되는 장치의 동작을 조정하기 위한 장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021959 | 1 | 2 | <ANY>동장치가 폐쇄된 하우징(21),하우징상에 있는 외부의 이동가능한 트리거핸들(14). 그리고 모터로 공급될 전력의 크기를 조절하기 위한 전기회로수단을 포함하며, 전기회로 수단이 트리거 핸들의 이동에 응답하여 조절되는 전위차계 조절에 응답하는 적어도 하나의 전력반도체(hs)가 있는 한 전위차계 포함의 다수의 회로 컴포넌트를 포함하고, 전력반도체(mos-fet;hs)가 장치 모터로의 전류흐름을 조정하고 기판상의 하우징내에 배치되며,</ANY> <COMPONENT>하우징(30)내의 개구</COMPONENT><RELATION_248308>를 통해 바깥쪽으로 돌출되는</RELATION_248308> 히트싱크(29)와 접촉하게됨<RELATION_SEP>을 특징으로하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>축전지에 의한 전력공급 전기장치의 제어장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 1 | <ANY>하나의 스위칭 트랜지터와 하나의 개패시터로 이루어진 고집적 메모리셀 구조를 갖춘 반도체 메모리장치의 제조방법</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 2 | <ANY>상기 캐패시터를 형성하는 공정은, 반도체기판에 상기 스위칭 트랜지스터</ANY><RELATION_20>를 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>공정</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 3 | <ANY>결과물 전면에 절연막을 퇴적하고 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스영역의 일부가 노출되도록 상기 절연막에 콘택홀</ANY> <RELATION_622759>을 형성하는</RELATION_622759> <COMPONENT>공정</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 4 | <ANY>결과물 전면에 도전물질을 퇴적한 후 패터닝하여 제 1 스토리 지전극패턴</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>공정</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 5 | <ANY>결과물 전면에 절연층을 퇴적한 후 역액티브영역패턴</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>공정</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 6 | <ANY>결과물 전면에 도전물질을 두껍게 퇴적한 후 상기 제 1 도전층패턴마스크를 사용하여 패터닝하여 제 2 스토리지전극</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>공정</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 7 | <ANY>결과물의 전표면에 유전체막</ANY><RELATION_4364>을 퇴적하는</RELATION_4364> <COMPONENT>공정</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 9 | 8 | <ANY>및 상기 유전체막의 표면에 도전물질을 퇴적하여</ANY> <COMPONENT>플레이트전극</COMPONENT><RELATION_400629>을 형성하는 공정으로 이루어진</RELATION_400629> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 메모리장치의 캐패시터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 1 | 1 | <ANY>하나의 스위칭 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 고집적 메모리셀 구조를 갖춘 반도체 메모리장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 1 | 2 | <ANY>상기 캐패시터는 일측벽</ANY><RELATION_414>이 개방된</RELATION_414> <COMPONENT>우물형 스토리지전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019910021973 | 1 | 3 | <ANY>상기 스토리지전극</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>유전체막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |