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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019950025980 | 5 | 2 | <ANY>복수열</ANY><RELATION_14>에 배치되는</RELATION_14> <COMPONENT>복수의 제1의 메모리 셀(dmc)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 5 | 3 | <ANY>상기 워드선과 상기 제1의 비트선쌍과의 어느것의 교점에 대응하여 배치되어 각각이 제1의 액세스 속도를 가지고 대응하는 워드선 및 대응하는 제1의 비트선쌍</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>제2의 비트선쌍(sbl,/sbl)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 5 | 4 | <ANY>상기 워드선</ANY><RELATION_410425>에 교반하여 배치되는</RELATION_410425> <COMPONENT>및 복수의 제2의 메모리 셀(smc)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 5 | 5 | <ANY>상기 워드선과 상기 제2의 비트선쌍과의 어느것의 교점에 대응하여 배치되어 각각이 상기 제1의 액세스 속도 보다도 빠른 제2의 액세스 속도를 가지고 대응하는</ANY> <COMPONENT>워드선 및 제2의 비트선쌍</COMPONENT><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 45 | 1 | <ANY>복수의 메모리 블록(dwl) : 복수의 행</ANY><RELATION_14>에 배치되는</RELATION_14> <COMPONENT>복수의 비트선쌍(bl,/bl)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 45 | 2 | <ANY>복수의 열</ANY><RELATION_14>에 배치되는</RELATION_14> <COMPONENT>복수의 제1의 메모리 셀(dmc)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 45 | 3 | <ANY>상기 제1의 워드선과 상기 비트선쌍과의 어느것의 교점에 대응하여 배치되어 각각이 제1의 액세스 속도를 가지고 대응하는 제1의 워드선 및 대응하는 비트선</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>제2의 워드선(swl)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 45 | 4 | <ANY>상기 비트선쌍</ANY><RELATION_32102>에 교차하여 배치된</RELATION_32102> <COMPONENT>및, 복수의 제2의 메모리 셀(smc)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 45 | 5 | <ANY>상기 제2의워드선과 상기 비트선쌍과의 어느것의 교점에 대응하여 배치되어 각각이 상기 제1의 액세스 속도 보다도 빠른 제2의 액세스 속도를 가지고 대응하는 제2의 워드선 및 대응하는</ANY> <COMPONENT>비트선쌍</COMPONENT><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 1 | <COMPONENT>제1의 메모리 셀 어레이(da)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 2 | <ANY>복수의 행 및 복수의 제1의 열에서 되는 매트릭스상으로 배치되어 각각이 제1의 액세스 속도를 가지는 복수의 제1의 열에서 되는 매트릭스상으로 배치되어 각각이 제1의 액세스 속도를 가지는 복수의 제1의 메모리 셀(dmc)</ANY><RELATION_410433>을 포함하는 제2의 메모리 셀</RELATION_410433> <COMPONENT>어레이(sa)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 3 | <ANY>상기 제1의 메모리 셀 어레이와 그의 행이 연장하는 한편측에 인접하여 배치되어 상기 복수의 행중 기수 행 및 적어도 하나의 제2의 열에서 되는 매트릭스상으로 배치되어 각각이 상기 제1의 액세스 속도 보다도 빠른 제2의 액세스 속도를 가지는 복수의 제2의 메모리 셀(sac)</ANY><RELATION_410432>을 포함하는 제3의 메모리 셀</RELATION_410432> <COMPONENT>어레이(sa0)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 4 | <ANY>상기 제1의 메모리 셀 어레이와 그의 행이 연장하는 다른편에 인접하여 배치되어 상기 복수의 행 중 우수행 및 적어도 하나의 제3의 열에서 되는 매트릭스상으로 배치되어 각각이 상기 제2의 액세스 속도를 가지는 복수의 제3의 메모리 셀(smc)</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>복수의 기수 워드선(wl1-wln-1)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 5 | <ANY>상기 기수행에 배치되어 각각이 대응한 행에 배치된 제1 및 제2의 메모리 셀</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>복수의 우수워드선(wl2-wln)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 6 | <ANY>상기 우수행에 배치되어 각각이 대응하는 행에 배치된 제1 및 제3의 메모리 셀</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>복수의 제1의 비트선쌍(dbl1,/dblm,/dblm)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 7 | <ANY>상기 복수의 제1의 열에 배치되어 각각이 대응하는 제1의 열에 배치된 제1의 메모리 셀</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>제2의 비트선쌍(sbl1,/sbl1-sblk,/sblk)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 8 | <ANY>상기 제2의 열에 배치되어 그의 제2의 열에 배치된 제2의 메모리 셀</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>및 제3의 비트선쌍의(sbl01,/sbl01-sbl0k,/sbl0k)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 41 | 9 | <ANY>상기 제3의 열에 배치되어 그의 제3의 열에 배치된</ANY> <COMPONENT>제3의 메모리 셀</COMPONENT><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 4 | 1 | <ANY>센스앰프(3) : 상기 제1 및 제2의 비트선쌍</ANY><RELATION_2177>에 대응하여 설치되는</RELATION_2177> <COMPONENT>제1의 열선택 게이트(cs)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019950025980 | 4 | 2 | <ANY>상기 제1의 비트선쌍과 상기 입출력선쌍과의 사이</ANY><RELATION_24>에 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>및, 제2의 열선택 게이트(cs)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |