원시데이터
특허 지식베이스 원시데이터
청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019970048102 | 2 | 7 | <ANY>상기 도전막이 백 바이어스 전압 (back bias voltage)에 의해서 구동됨으로써 상기 드레인 영역 및 상기 반도체 물질층과</ANY> <COMPONENT>상기 커패시터 하부 전극 사이의 커플링</COMPONENT><RELATION_1974>이 방지되는</RELATION_1974> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>소이 디램 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 1 | <ANY>채널 영역을 사이에 두고 소오스 영역과 드레인 영역</ANY><RELATION_13>이 형성된</RELATION_13> <COMPONENT>반도체 물질층 (semiconductor material layer)</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 2 | <ANY>상기 반도체 물질층의 채널 영역 상부에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 게이트 전극을 구비한</ANY> <COMPONENT>소이 디램 (silicon-on-insulator dram) 장치</COMPONENT><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 3 | <ANY>반도체 기판 및 상기 반도체 물질층 사이</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 1 절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 4 | <ANY>상기 제 1 절연막과 상기 반도체 기판 사이</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 5 | <ANY>상기 제 2 절연막 하부에 형성되어 있되, 그것과 소정 간격을 두고 형성되며, 매립 콘택 홀을 통해서 상기 반도체 물질층의 소오스 영역</ANY><RELATION_1389>과 접하도록 형성된</RELATION_1389> <COMPONENT>커패시터 하부 전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 6 | <ANY>상기 제 2 절연막 하부 및 상기 커패시터 하부 전극의 표면</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>커패시터 유전체막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 7 | <ANY>상기 유전체막 하부에 접하도록 형성되어 있되, 상기 커패시터 하부 전극과 상기 제 2 절연막 사이의 공간</ANY><RELATION_5493>을 채우도록 형성된</RELATION_5493> <COMPONENT>커패시터 상부 전극</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048102 | 6 | 8 | <ANY>상기 반도체 기판과 상기 커패시터 하부 전극 사이에 형성된</ANY> <COMPONENT>제 3 절연막</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>소이 디램 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048115 | 5 | 1 | <ANY>전사용의 패턴이 형성된 마스크를</ANY> <PATENT_ITEM>하전립자선</PATENT_ITEM>으로 소정의 주사방향으로 주사하여 상기 패턴을 전사대상의 기판위에 전사하는 하전립자선 전사장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048115 | 5 | 2 | <ANY>상기 하전립자선의 강도분포의 편차(deflection)을 주사후에 상쇄또는 저감하도록한 단면형상을 이루는 하전립자선으로 상기 마스크위</ANY><RELATION_421205>를 상기 주사방향으로 주사하는</RELATION_421205> <COMPONENT>주사수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048115 | 5 | 3 | <ANY>상기 마스크를 투과한 상기 하전립자선을 집속하여 상기 기판위에 상기 패턴 일부의 상을 형성하는</ANY> <COMPONENT>투영수단</COMPONENT><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>하전립자선 전사장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048115 | 1 | 1 | <ANY>전사용의 패턴이 형성된 마스크를</ANY> <PATENT_ITEM>하전립자선</PATENT_ITEM>으로 소정의 주사방향(x방향)으로 주사하여 상기 패턴을 전사대상의 기판위에 전사하는 하전립자선 전사장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048115 | 1 | 2 | <ANY>상기 주사방향의 폭이 상기 주사방향으로 수직인 비주사 방향의 폭에 비교하여 좁은 단면형상을 갖는 하전립자선으로 상기 마스크위</ANY><RELATION_421205>를 상기 주사방향으로 주사하는</RELATION_421205> <COMPONENT>주사수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048115 | 1 | 3 | <ANY>상기 마스크를 투과한 상기 하전립자선을 집속하여 상기 기판위에 상기 패턴 일부의 상을 형성하는</ANY> <COMPONENT>축대칭의 투영수단</COMPONENT><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>하전립자선 전사장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048546 | 4 | 1 | <ANY>행들 및 열들의 매트릭스 배열</ANY><RELATION_130>로 배열되는</RELATION_130> <COMPONENT>복수의 포토다이오드들 (1)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048546 | 4 | 2 | <COMPONENT>제 1 수평 전하전송수단 (4a) 및 제 2 수평 전하전송수단 (4b)</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048546 | 4 | 3 | <ANY>상기 포토다이오드들의 각 열의 일측상에 각각 배열되어 홀수행들의 상기 포토다이오드들로부터 전하 패킷들을 수신하고 상기 제 1 수평 전하전송수단 (4a) 으로 상기 전하 패킷들</ANY><RELATION_232>을 이동시키는</RELATION_232> <COMPONENT>복수의 제 1 수직 전하전송수단 (2a, 3a, g' 1 , g' 2 , g' 3 , g' 4 )</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048546 | 4 | 4 | <ANY>상기 포토다이오드들의 각 열의 다른측상에 각각 배열되어 짝수행들의 상기 포토다이오드들로부터 전하 패킷들을 수신하고 상기 제 2 수평 전하전송수단 (4b) 으로 상기 전하 패킷들을 이동시키는 복수의 제 2 수직 전하전송수단 (2b, 3b, g' 2 , g' 1 , g' 4 , g' 3 )</ANY> <RELATION_8>를 구비하며</RELATION_8>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970048546 | 4 | 5 | <ANY>상기 제 1 수평 전하전송수단 (4a) 는 상기 제 1 수직 전하전송수단으로부터 상기 전하 패킷들을 수신하고 외부 회로로 수신된 상기 전하 패킷들을 이동시키고, 상기 제 2 수평 전하전송수단 (4b) 는 상기 제 2 수직 전하전송수단으로부터 상기 전하 패킷들을 수신하고 상기 외부 회로로 수신된</ANY> <COMPONENT>상기 전하 패킷들</COMPONENT><RELATION_232>을 이동시키는</RELATION_232> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전하결합소자 촬상센서</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |