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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980006838 | 1 | 2 | <ANY>원형몸체의 원주방향을 따라 30°각도로 자력돌부와 홈을 형성하고, 이 자력돌부들에는 일측으로 편심되게 자석이 매입되어 중심부 동력축을 통하여 회전력</ANY><RELATION_730>을 얻기 위한</RELATION_730> <COMPONENT>원동차</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980006838 | 1 | 3 | <ANY>상기 원동차보다 작은 크기로 상기 원동차의 원주를 따라 소정각도로 설치되며, 각각은 상기 자력돌부와 대응하는 자력돌부와 돌부를 접속개구를 사이에 두고 교번 형성하며,각 자력돌부의 일측으로 상기 자석에 대응하는 자석을 매입하며, 각각의 회전축이 독립적</ANY><RELATION_424464>으로 자전가능하게 축수설치된</RELATION_424464> <COMPONENT>종동차</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980006838 | 1 | 4 | <ANY>일정한 배치간격으로 설치된 상기 원동차와 종동차의 전,후면의 내측으로 상기 원동차의 동력축과 종동차의 회전축상에 각각 메인기어와 유성기어들을 설치하여 상기 원동차와 종동차의 회전력</ANY><RELATION_7127>을 일정하게 유지하기 위한</RELATION_7127> <COMPONENT>밸런싱수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980006838 | 1 | 5 | <ANY>상기 동력축상에 일체로 설치되어 동력축의 회전</ANY><RELATION_424463>을 정지,해제하기 위한</RELATION_424463> <COMPONENT>브레이크장치</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980006838 | 1 | 6 | <ANY>상기 커버부재의 외측에서 상기 동력축의 풀리를 통하여 발생된</ANY> <COMPONENT>회전력</COMPONENT><RELATION_6546>을 이용하여 발전하는</RELATION_6546> 소정의 발전수단<RELATION_SEP>을 포함하여 이루어지는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>자력발전장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008069 | 1 | 1 | <ANY>공기압에 의해 신축이 가능하도록 형성된 벨로우즈, 상기 벨로우즈의 내부를 신축방향으로 관통하며, 상기 벨로우즈를 지지하는 구동축 및 상기 벨로우즈의 일단부와 상기 구동축의 일단부를 각각 고정시키는 실플레이트를 구비하여 이루어지는</ANY> <PATENT_ITEM>반도체 제조설비용 진공밸브</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008069 | 1 | 2 | <ANY>상기 구동축의 일단부에 수나사를 형성하고, 상기 실플레이트의 일측에 돌출된 수나사를 형성하며, 상기 구동축의 수나사와 나사결합되고 상기 실플레이트의 수나사와 나사결합되어 상기 구동축을 상기 실플레이트에 고정시키는</ANY> <COMPONENT>고정너트를 상기 구동축과 상기 실플레이트의 연결부</COMPONENT><RELATION_726>에 설치하는</RELATION_726> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 제조설비용 진공밸브</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008684 | 1 | 1 | <ANY>전원전압(11)은 스위치(sw1)를 온시키면 안정기(l1)를 경유하여 형광등(lamp)(12)의 양 필라멘트저항(rf1)(rf2)으로 공급되어 점등시키도록 한</ANY> <PATENT_ITEM>형광등의 수명말기 보호기능을 갖춘 전자식 스타터</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008684 | 1 | 2 | <ANY>상기 양 필라멘트저항(rf1)(rf2)에는 램프점등 판별회로의 분할저항(r5) (r6)과 정전압 다이오드(zd1)의 직렬접속을 병렬로 연결하면서 상기 정전압 다이오드(zd1)에 트랜지스터(tr1)의 베이스를 연결하여 두 분할저항(r5)(r6)에 의한 분배전압에 의해</ANY> <COMPONENT>트랜지스터(tr1)</COMPONENT><RELATION_423774>가 온되도록 하고</RELATION_423774>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008684 | 1 | 3 | <ANY>상기 양 필라멘트저항(rf1)(rf2)의 양측에 역류방지용 다이오드(d1)를 거쳐 방전펄스발생회로의 저항(r3)과 콘덴서(c1)의 직렬접속을 병렬로 연결하면서 사이의 접점에는 저항(r4)을 거쳐 상기 트랜지스터(tr1)의 콜렉터에 접속하는</ANY> <COMPONENT>동시에 정전압 다이오드(zd2)</COMPONENT><RELATION_423768>를 거쳐 다이리스터(scr1)의 게이트에 접속하고</RELATION_423768>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008684 | 1 | 4 | <ANY>상기의 저항(r3)에 병렬로 접속된 저항(r1)(r2)의 중간접점에서 정전압 다이오드(zd3)를 거쳐</ANY> <COMPONENT>전계효과 트랜지스터(fet1)의 게이트</COMPONENT><RELATION_1253>에 연결하고</RELATION_1253>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980008684 | 1 | 5 | <ANY>상기 전계효과 트랜지스터(fet1)에 병렬로 접속된 수명말기보호회로의 저항(r7) 및 콘덴서(c2)의 중간접점에서는 정전압 다이오드(zd4)를 거쳐 상기 다이리스터(scr2)의 게이트에 접속하여 이의 드레인에 게이트가 연결된</ANY> <COMPONENT>전계효과 트랜지스터(fet1)의 게이트전압</COMPONENT><RELATION_140>을 제어하도록</RELATION_140> 구성됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>형광등의 수명말기 보호기능을 갖춘 전자식 스타터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 1 | 1 | <ANY>아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된</ANY> <PATENT_ITEM>반도체 발광 소자</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 1 | 2 | <ANY>상기 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 컨택트층을 갖는 동시에, 이 컨택트층은 적어도 일부가 알칼리 금속 원소를 p형 불순물로서 포함하는</ANY> <COMPONENT>ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체</COMPONENT><RELATION_27>로 구성되는</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 발광 소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 9 | 1 | <ANY>아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된</ANY> <PATENT_ITEM>반도체 발광 소자</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 9 | 2 | <ANY>상기 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물을 포함하고, 또는 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물 및 알칼리 화합물을 포함하는</ANY> <COMPONENT>컨택트층</COMPONENT><RELATION_6>을 구비한</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 발광 소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 32 | 1 | <ANY>아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자를 갖는 광장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 32 | 2 | <ANY>상기 반도체 발광 소자는 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물을 포함하고, 또는 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물 및 알칼리 화합물을 포함하는</ANY> <COMPONENT>컨택트층</COMPONENT><RELATION_6>을 구비한</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>광장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 31 | 1 | <ANY>아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자를 갖는 광장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980010772 | 31 | 2 | <ANY>상기 반도체 발광 소자는 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 컨택트층을 갖는 동시에, 이 컨택트층은 알칼리 금속 원소를 p형 불순물로서 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체에 의해</ANY> <COMPONENT>적어도 일부</COMPONENT><RELATION_574>가 구성되는</RELATION_574> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>광장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |