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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980049784 | 6 | 5 | <ANY>상기 의사 랜덤 이진 시퀀스 발생부에서 얻어지는 현재 prbs로부터 넥스트 셀의 특정 표본값</ANY><RELATION_49>을 산출하는</RELATION_49> <COMPONENT>넥스트 셀 표본 산출부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980049784 | 6 | 6 | <ANY>셀의 시작신호에 따라 혼화기와 동기화를 이루기 위해 동기 모드의 천이 제어신호</ANY><RELATION_31>를 발생하는</RELATION_31> <COMPONENT>상태 머신 및 제어부</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980049784 | 6 | 7 | <ANY>상기 셀 시작 신호와 상태 머신 및 제어부에서 출력되는 천이 제어신호와 상기 현재 셀 표본 산출부에서 얻어지는 현재 셀의 특정 표본값을 논리 연산하여 그 결과치로 제1 및 제2 선택신호</ANY><RELATION_31>를 발생하는</RELATION_31> <COMPONENT>선택신호 발생부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980049784 | 6 | 8 | <ANY>상기 선택신호 발생부에서 발생된 제1 및 제2 선택신호에 따라 상기 의사 랜덤 이진 시퀀스 발생부에서 발생된 prbs와 상기 레지스터 정정부에서 얻어지는 prbs중 하나</ANY><RELATION_367>를 선택하여 출력하는</RELATION_367> <COMPONENT>prbs 선택기</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980049784 | 6 | 9 | <ANY>상기 prbs 선택기에서 출력되는 prbs로부터 소정 클록후의 레지스터 상태값</ANY><RELATION_49>을 산출하는</RELATION_49> <COMPONENT>레지스터 상태값 산출부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980049784 | 6 | 10 | <ANY>상기 prbs 선택기에서 출력되는 prbs로부터 병렬 prbs</ANY><RELATION_49>를 산출하는</RELATION_49> <COMPONENT>병렬 prbs 산출부와</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980049784 | 6 | 11 | <ANY>상기 병렬 prbs 산출부에서 산출된 병렬 prbs와 수신 데이터를 논리 연산하여 그 결과치를 역혼화된 데이터로 출력하는 역혼화 데이터 출력부를 포함하여 구성된</ANY> <COMPONENT>것</COMPONENT><RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>병렬 분산 표본 역혼화기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050238 | 1 | 1 | <ANY>실리카(silica), 물 및 계면활성제(sufactant)를 포함하는</ANY> <PATENT_ITEM>연마제</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050238 | 1 | 2 | <ANY>상기 실리카 표면에 하이드록시알킬 실레인(hydroxyalkyl silane)이 결합되어 있어</ANY> <COMPONENT>상기 실리카 사이에 수소결합</COMPONENT><RELATION_427621>을 최소활 수 있는</RELATION_427621> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>연마제</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 10 | 1 | <ANY>(a) 기판 상에 제1 물질막, 식각저지막 및 제2 물질막</ANY><RELATION_4335>을 순차적으로 형성하는</RELATION_4335> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 10 | 2 | <ANY>(b) 상기 제2 물질막 상에 다층 마스크</ANY><RELATION_20>를 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 10 | 3 | <ANY>(c) 상기 다층 마스크를 패터닝하여 상기 제2 물질막</ANY><RELATION_315>을 노출시키는</RELATION_315> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 10 | 4 | <ANY>(d) 상기 패터닝된 다층 마스크를 식각마스크로 사용하여 상기 제1 물질막에 상기 기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 동시에 상기 제2 물질막에 상기 콘택홀과 그 둘레의 상기 식각저지막을 노출시키는 창</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>단계</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 10 | 5 | <ANY>(e) 상기 콘택홀 및 창에 평탄화된 도전성 배선을 형성하는</ANY> <COMPONENT>단계</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다마신 공정으로 형성된 도전성 배선을 구비하는 반도체 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 1 | 1 | <COMPONENT>기판</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 1 | 2 | <ANY>상기 기판 상에 형성되어 있으면서 상기 기판의 소정영역을 노출시키는 접촉홀</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제1 물질막 패턴</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 1 | 3 | <ANY>상기 제1 물질막 패턴 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>식각저지막 패턴</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 1 | 4 | <ANY>상기 식각저지막 패턴 상에 형성되어 있고 상기 콘택홀과 그 둘레의 상기 식가저지막 패턴을 노출시키는 창(window)</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제2 물질막 패턴</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 1 | 5 | <ANY>상기 제2 물질막 패턴 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>마스크층 패턴</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980050455 | 1 | 6 | <ANY>상기 콘택홀과 창에 채워진</ANY> <COMPONENT>도전성 배선</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다마신 공정으로 형성된 도전성 배선을 구비하는 반도체 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |