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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980704380 | 1 | 2 | <COMPONENT>ho - z - oh, 상기 식에서 -z-는 -r-, -(-r 1 -o-) x -r 2 - 또는 -r 3 - 이며 상기</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980704380 | 1 | 3 | │ | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980704380 | 1 | 4 | <COMPONENT>(oh)y</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980704380 | 1 | 5 | <ANY>-r-, -r 1 -, -r 2 - 그리고 -r 3 -는 알킬렌 라디칼이고, x는 전체 정수의 수가 1 내지 4, y는 전체정수의 수가 1 내지 8, 복합물에서 탄소원자의 수는 10을 초과하지 않으며, 그리고 수용성용액내에 존재하는 물은 최소한 조성물 중량의 약 40%를 포함되도록 구성되는 세척조성물과, 상기 세척조성물내에서 웨이퍼 표면물질을 세척하기위해 충분한 온도와 시간동안 상기 웨이퍼표면물질이 상기 세척조성물과 접촉되도록 하는 과정과, 상기 웨이퍼물질 표면평활도를 유지하는</ANY> <COMPONENT>동안 금속오염</COMPONENT><RELATION_85>을 제거하는</RELATION_85> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척을 위한 프로세스</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705155 | 1 | 1 | <ANY>다이얼링</ANY> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM>와 원격지에 배치되어 있는 전화 서비스 회사의 서버 시스템 사이에 양방향 통신에 의해 원격 프로그램 가능한 다이얼링 장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705155 | 1 | 2 | <ANY>서비스 회사에 의해 작성된 전화 서비스 정보 데이터</ANY><RELATION_17>를 저장하는</RELATION_17> <COMPONENT>메모리 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705155 | 1 | 3 | <ANY>전화 라인을 통한 상기 서버 시스템으로부터의 신호를 수신하고 수신된 신호</ANY><RELATION_429880>를 바이터리 데이터로 변환하는</RELATION_429880> <COMPONENT>신호 수신 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705155 | 1 | 4 | <ANY>상기 서버 시스템으로부터 전송된 상기 메모리 수단의 서비스 정보를 저장 또는 변경하는 다운로딩 과정과, 상기 메모리 수단에 저장된 데이터를 전화 라인을 통해 상기 서버 시스템으로 전송하는 업로딩 과정을 포함하는 프로그램된 작동</ANY><RELATION_16>을 제어하는</RELATION_16> <COMPONENT>마이크로프로세서 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705155 | 1 | 5 | <ANY>상기 프로그래밍 과정을 가능하게 하기 위하여 전화 라인</ANY><RELATION_3287>을 점유하는</RELATION_3287> <COMPONENT>전화 라인 점유수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705155 | 1 | 6 | <ANY>상기 마이크로프로세서 수단으로부터 입력된 데이터에 대응하는</ANY> <COMPONENT>신호</COMPONENT><RELATION_31>를 발생하는</RELATION_31> 신호 발생수단<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705412 | 1 | 1 | <ANY>(a) 표면상에 전기전도성 주석-도핑된 산화인듐의 제 1 층이 배치되고, 이러한 제 1 층상에 산화텅스텐 및 산화텅스텐 화합물로부터 선택된 일렉트로크로믹 산화물의 제 2 층</ANY><RELATION_174>이 배치된</RELATION_174> <COMPONENT>제 1 투명 기재</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705412 | 1 | 2 | <ANY>(b) 표면상에 전기전도성 주석-도핑된 산화인듐의 제 1 층이 배치되고, 이러한 제 1 층상에 이리듐, 산소 및 질소를 포함하는 일렉트로크로믹 질소-함유 산화이리듐 필름의 제 2 층</ANY><RELATION_174>이 배치된</RELATION_174> <COMPONENT>제 2 투명 기재(이때, 산소 원자대 이리듐 원자의 비율은 3.2:1 내지 3.4</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705412 | 1 | 3 | <ANY>1이고</ANY> <COMPONENT>필름중</COMPONENT><RELATION_350>에 존재하는</RELATION_350> 질소의 양은 약 11 내지 13 원자%이다); 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705412 | 1 | 4 | <ANY>(c) 상기 일렉트로크로믹 산화텅스텐 필름과 상기 산화이리듐 필름 사이</ANY><RELATION_10136>에 접촉하도록 배치된</RELATION_10136> <COMPONENT>이온-전도층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705412 | 1 | 5 | <RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>일렉트로크로믹(electrochromic) 제품</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705497 | 11 | 1 | <ANY>대략 원형의</ANY> <PATENT_ITEM>반도체웨이퍼의 열처리용 보트</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705497 | 11 | 2 | <ANY>상기 보트의 상하 끝부분에 각각 배치 설치된 상틀 및 하틀과, 상기 상하 틀 사이에 배치 설치되고 또한 상기 상하 틀에 각각 접속된 제 1, 제 2 및 제 3 지주와, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 지주는 상기 보트에 대해서 상기 웨이퍼를 반출입하기 위한 입구</ANY><RELATION_430064>를 규정하도록 배치되는</RELATION_430064> <COMPONENT>것</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705497 | 11 | 3 | <ANY>상기 제 1 , 제 2 및 제 3 지주의 각각에 수직방향으로 간격을 두고 접속되며 또한 상기 보트의 안쪽</ANY><RELATION_430063>으로 향하여 뻗는</RELATION_430063> <COMPONENT>복수의 제 1 빔, 복수의 제 2 빔 및 복수의 제 3 빔</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705497 | 11 | 4 | <ANY>복수의 수평인 웨이퍼지지레벨을 규정하도록 상기 제 1, 제 2 및 제 3 빔의 선단부에 각각 설치된 제 1, 제 2 및 제 3 재치부와, 각 웨이퍼지지레벨은 대응의 높이에 있는 1개의 상기 제 1 재치부와, 1개의 상기 제 2 재치부와, 1개의 상기 제 3 재치부가 1조</ANY><RELATION_430062>로 되어 형성되는</RELATION_430062> <COMPONENT>것</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980705497 | 11 | 5 | <ANY>여기에서 각 재치부는 상기 웨이퍼의 이면과 접촉하는 최내단 위치가 상기 웨이퍼의 직경을 d로 한 때 상기 웨이퍼의 이면 상의 0. 6d∼0. 95d의 범위에 있도록 설정되는</ANY> <COMPONENT>것</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체웨이퍼의 열처리용 보트</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |