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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019990029943 | 75 | 13 | <RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>냉음극 전계 방출형 표시 장치</COMPONENT>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 75 | 14 | <ANY>에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 이어서 절연막 상에 수속 전극을 형성한 후, 전면에 제2 절연막을 형성하고, 이어서 상기 제2 절연막, 수속 전극 및 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고,</ANY> <COMPONENT>또한 최소한 제2 사이드월의 상부</COMPONENT><RELATION_8624>를 제거함으로써 형성된</RELATION_8624> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>냉음극 전계 방출형 표시 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 1 | <ANY>(a) 절연성 기체 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>패턴된 전극층</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 2 | <ANY>(b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>층간 절연층</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 3 | <ANY>(c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층</ANY><RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>게이트 전극</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 4 | <ANY>(d) 게이트 전극의 상방에 절연막</ANY><RELATION_1093>을 통해 형성된</RELATION_1093> <COMPONENT>수속 전극</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 5 | <ANY>(e) 수속 전극 및 절연막을 관통하는 제1 개구부와 연통되고, 게이트 전극 및 층간 절연층</ANY><RELATION_284>을 관통하는</RELATION_284> <COMPONENT>제2 개구부,</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 6 | <ANY>(f) 상기 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상</ANY><RELATION_15>을 가지는</RELATION_15> <COMPONENT>에미터 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 7 | <RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>냉음극 전계 방출 소자</COMPONENT>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 57 | 8 | <ANY>에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 그 후 절연막 상에 수속 전극을 형성하고, 또한 전면에 제2 절연막을 형성하고, 이어서 상기 제2 절연막, 수속 전극 및 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극층이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고,</ANY> <COMPONENT>또한 최소한 제2 사이드월의 상부</COMPONENT><RELATION_8624>를 제거함으로써 형성된</RELATION_8624> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>냉음극 전계 방출 소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 45 | 1 | <ANY>(a) 절연성 기체 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>패턴된 전극층</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 45 | 2 | <ANY>(b) 절연성 기체 및 전극층 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>층간 절연층</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 45 | 3 | <ANY>(c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층</ANY><RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>게이트 전극,</COMPONENT> 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 45 | 4 | <ANY>(d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상</ANY><RELATION_15>을 가지는</RELATION_15> <COMPONENT>에미터 전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 45 | 5 | <RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>냉음극 전계 방출 소자</COMPONENT>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990029943 | 45 | 6 | <ANY>상기 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 최소한 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 개구부를 형성하고, 이어서 상기 개구부의 측벽에 절연재료로 이루어지는 사이드월을 형성함으로써 개구부의 직경을 축소하고, 그 후, 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 상기 제2 도전체층을 에치 백하고,</ANY> <COMPONENT>이어서, 최소한 사이드월의 상부</COMPONENT><RELATION_8624>를 제거함으로써 형성된</RELATION_8624> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>냉음극 전계 방출 소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990030373 | 11 | 1 | <PATENT_ITEM>전계 방출 디스플레이</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990030373 | 11 | 2 | <ANY>기판에 정렬된 나노구조와, 상기 나노구조를 이웃하는 소자와 전기적으로 분리하는 절연층과, 및 상기 절연층 상에서 상기 나노구조의 상단부에 근접하여 형성된 게이트전극을 포함하는</ANY> <COMPONENT>삼극형 전계 방출 에미터</COMPONENT><RELATION_433693>를 음극으로서 구비하고</RELATION_433693>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990030373 | 11 | 3 | <ANY>상기 나노구조로부터 발산된 전자에 여기되어 발광하는</ANY> <COMPONENT>형광체</COMPONENT><RELATION_433690>를 양극으로서 구비하는</RELATION_433690> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전계 방출 디스플레이</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990030373 | 1 | 1 | <PATENT_ITEM>삼극형 전계 방출 에미터</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |