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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019990048163 | 1 | 3 | <ANY>상기 버퍼장치로부터 공급된 저항소자를 소정개수 위치마다 마킹 표시</ANY><RELATION_435005>를 하여 이송하는</RELATION_435005> <COMPONENT>폴딩부</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048163 | 1 | 4 | <ANY>상기 공급된 전자부품</ANY><RELATION_435003>을 소정개수 위치마다 커팅하는</RELATION_435003> <COMPONENT>테이프 절단기</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048163 | 1 | 5 | <ANY>상기 테이프 절단기로써 커팅된 전자부품</ANY><RELATION_435000>을 압착하여 적재하도록 이동시키는</RELATION_435000> <COMPONENT>실린더부</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048163 | 1 | 6 | <ANY>상기 실린더부에서 압착된 상기 전자부품을 순차로 적재하기 위한 팰릿부를 구비하여 이루어지는</ANY> <COMPONENT>것</COMPONENT><RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전자부품 폴딩장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 1 | <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 2 | <COMPONENT>반도체기판과</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 3 | <ANY>상기 반도체기판상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>p형 웰 및 n형 웰</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 4 | <ANY>상기 반도체기판의 표면상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 5 | <ANY>상기 반도체기판의 표면상에 형성되어 소자형성영역</ANY><RELATION_217>을 정의하는</RELATION_217> <COMPONENT>소자격리막과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 6 | <ANY>상기 p형 웰내에 형성되고, 상기 p형 웰과 함께 보호다이오드로서의 역할</ANY><RELATION_89>을 하는</RELATION_89> <COMPONENT>제 1 n형 확산영역</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 7 | <ANY>상기 n형 웰내에 형성되고, 상기 n형 웰과 함께 보호다이오드로서의 역할</ANY><RELATION_89>을 하는</RELATION_89> <COMPONENT>제 1 p형 확산영역</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 8 | <ANY>상기 p형 웰내에 형성되고, 각각이 소오스 또는 드레인으로서의 역할</ANY><RELATION_89>을 하는</RELATION_89> <COMPONENT>제 2 n형 확산영역</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 9 | <ANY>상기 n형 웰내에 형성되고, 각각이 소오스 또는 드레인으로서의 역할</ANY><RELATION_89>을 하는</RELATION_89> <COMPONENT>제 2 p형 확산영역</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 10 | <ANY>제 1 도전층이 상기 게이트절연막 및 상기 소자격리막의 적어도 일부분상에 형성되고, 제 2 도전층이 상기 제 1 도전층상과 상기 제 1 n형 확산층 또는 상기 제 1 p형 확산층상에 형성되고 상기 제 1 도전층에 및 상기 제 1 n형 확산층 또는 상기 제 1 p형 확산층에 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층이 2층 구조를 갖는 게이트전극</ANY><RELATION_86>을 구성하는</RELATION_86> <COMPONENT>상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 11 | <ANY>상기 반도체기판상에 형성되고, 상기 제 2 도전막</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>제 1 절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 12 | <ANY>상기 제 1 절연막상에 형성되며, 상기 제 1 절연막에 형성된 적어도 하나의 콘택홀을 통해서 상기 제 2 도전층, 상기 제 2 n형 확산영역 또는 상기 제 2 p형 확산영역에 전기적</ANY><RELATION_24>으로 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>제 1 금속배선층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 13 | <ANY>상기 제 1 절연막과 상기 제 1 금속배선층상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 14 | <ANY>상기 제 2 절연막상에 형성되고, 상기 제 2 절연막에 형성된 적어도 하나의 콘택홀을 통해서 상기 제 1 금속배선층과 전기적</ANY><RELATION_24>으로 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>제 2 금속배선층</COMPONENT>과; 그리고 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 12 | 15 | <ANY>상기 제 2 절연막과 상기 제</ANY> <COMPONENT>2 금속배선층상</COMPONENT><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> 제 3 절연막<RELATION_SEP>을 구비하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 1 | <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |